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公开(公告)号：CN118782644A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410489058.0
申请日：2024-04-23
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种P沟道氮化铝晶体管及其制备方法，本发明涉及电力电子器件领域，包括MIS结构，包括第一部分、氮化铝钪势垒层、P层；所述P层顶部中心处设有N帽层，所述N帽层上方沉积有电介质层，所述电介质层上方沉积有栅极。通过调整氮化铝钪势垒层厚度可以提高p沟道的空穴浓度，在栅金属与异质结构间插入N帽层，可以耗尽p沟道中的二维空穴气，以实现器件的增强特性。
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公开(公告)号：CN118099202A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410168672.7
申请日：2024-02-06
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/47 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了涉及一种氮化镓晶体管器件及制备方法，属于半导体领域。本发明的氮化镓HEMT器件包括由下而上依次设置衬底1、缓冲层2、GaN层3、AlGaN层4、原位ScN钝化保护层5，源极8和漏极6分别穿过所述原位ScN钝化保护层5与所述AlGaN层4形成欧姆接触，栅极7穿过所述原位ScN钝化保护层5与所述AlGaN层4形成肖特基接触，本发明利用ScN材料形成钝化层，一方面，ScN与AlGaN晶格常数更为匹配从而减少器件表面的缺陷，另一方面实验结果证明，本发明可以有效地缓解二维电子气的降低，改善了电流崩塌效应与动态电阻上升的问题。
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公开(公告)号：CN117976728A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410187954.1
申请日：2024-02-20
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/41 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种低开启电压的氮化镓二极管及制造方法，属于半导体技术领域。所述的氮化镓二极管从下至上依次设置衬底、GaN缓冲层、GaN外延层、AlGaN外延层，AlGaN外延层设有凹槽结构，AlGaN外延层上放并列设有第一阳极、第二阳极、阴极，与阴极之间的接触方式为欧姆接触，凹槽结构上方设有阳极2，所述AlGaN外延层与阳极1和阳极2之间的接触方式分别为肖特基接触1和肖特基接触2。本发明使用凹槽结构的深度调控器件的开启电压，通过采用不同的肖特基接触功函数实现阈值电压和反向漏电的调节，从而实现低开启电压和低反向漏电的氮化镓二极管。
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公开(公告)号：CN118032906A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410224394.2
申请日：2024-02-29
Applicant: 江南大学
IPC: G01N27/416 , B01L3/00
Abstract: 本发明涉及一种基于氮化镓微流控芯片的pH值检测装置，属于分析检测技术领域。本发明构建包含本征GaN层、本征AlGaN层的氮化镓微流控芯片，通过设置电极和构造微通道，利用将待测物的化学信号直接转变为电信号的方式来检测pH值，而且其检测灵敏度不会因微通道尺寸的小型化而被降低。采用凹槽结构大幅提升了pH传感器的电流灵敏度和响应速度，能实现实时动态检测。
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公开(公告)号：CN115985970A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211722619.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115144451A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210924661.8
申请日：2022-08-02
Applicant: 江南大学
IPC: G01N27/414 , G01N33/543 , G01N33/574 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于检测mi‑RNA的探针、GaN传感器及检测方法，GaN传感器的栅极上设置有mi‑RNA探针；mi‑RNA的检测方法包括如下步骤，制备GaN传感器；根据GaN传感器电学参数设置源极和漏极电压；配置不同目标mi‑RNA浓度的缓冲液，将GaN传感器插入缓冲液中测试，确定标准曲线；将GaN传感器插入待测溶液，对比检测待测溶液时输出电流与标准曲线输出电流的大小，根据两者电流的大小判断待测溶液中是否有目标mi‑RNA，并通过具体电流值得到目标mi‑RNA的浓度。本发明使用mi‑RNA探针并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕mi‑RNA探针和目标mi‑RNA杂交产生的栅极电位变化；使用p型层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免栅极通电对测量准确性的影响。
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公开(公告)号：CN118053908A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410133115.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管存储器及制备方法，属于集成电路器件技术领域。所述氮化镓晶体管存储器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、本征氮化镓层和本征铝镓氮层，所述本征铝镓氮层上并列设置有氧化铝隧穿层、源极和漏极，所述氧化铝隧穿层上依次生长有HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层以及栅极；其中，采用GaN/AlGaN异质结所产生的二维电子气来作为存储在HfZrO铁电材料层中的电子来源。本发明采用有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)在本征铝镓氮层上依次外延出氧化铝隧穿层、HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层的结构，形成了氮化镓晶体管存储器。本发明提供的氮化镓基存储器件基于氮化镓基三极管结构，具有存储速率高、存储稳定等优势。
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公开(公告)号：CN115985970B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211722619.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。
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公开(公告)号：CN116209337A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310147195.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 江南大学
IPC: H10N30/30 , H10N30/01 , H01L29/778 , H01L21/335 , G01L1/16 , G01L9/08
Abstract: 本发明公开了一种多沟道GaN压力传感器件及其制备方法，包括由下至上依次设置的衬底、沟道结构层、设置于沟道结构层上的栅极以及位于沟道结构层两侧的源极和漏极；其中，沟道结构层由多层堆叠的GaN层和AlGaN势垒层构成，GaN层位于AlGaN势垒层下方。本发明通过多次进行AlGaN/GaN材料的堆叠构成多沟道压力传感器在微纳尺度方面，可以较大的提高相关性能参数，灵敏度高、可靠性强、检测限低。
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公开(公告)号：CN116153933A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310263055.0
申请日：2023-03-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种GaN基CMOS器件及其制备方法，包括衬底；缓冲层，缓冲层的下表面与所述衬底接触；外延层，由位于所述缓冲层上表面的PMOS区和NMOS区构成；以及，电极，包括在所述NMOS区设置的NMOS肖特基栅电极、NMOS欧姆电极以及在所述PMOS区设置的PMOS欧姆电极和PMOS肖特基栅电极；其中，所述NMOS肖特基栅电极和所述PMOS肖特基栅电极均为鳍状结构。本发明的GaN基CMOS器件，载流子迁移率大大提升，栅控能力更强，栅泄漏较小，具有更广的实用范围。
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