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公开(公告)号：CN118053908A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410133115.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管存储器及制备方法，属于集成电路器件技术领域。所述氮化镓晶体管存储器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、本征氮化镓层和本征铝镓氮层，所述本征铝镓氮层上并列设置有氧化铝隧穿层、源极和漏极，所述氧化铝隧穿层上依次生长有HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层以及栅极；其中，采用GaN/AlGaN异质结所产生的二维电子气来作为存储在HfZrO铁电材料层中的电子来源。本发明采用有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)在本征铝镓氮层上依次外延出氧化铝隧穿层、HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层的结构，形成了氮化镓晶体管存储器。本发明提供的氮化镓基存储器件基于氮化镓基三极管结构，具有存储速率高、存储稳定等优势。
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公开(公告)号：CN115985970B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211722619.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。
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公开(公告)号：CN115360235A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210951099.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/283 , H01L21/329 , C01B21/06
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，氮化镓肖特基势垒二极管，由衬底、缓冲层、n+GaN外延层、n‑GaN外延层、欧姆电极、肖特基电极和导电层组成；其中，所述衬底、所述缓冲层、所述n+GaN外延层和所述n‑GaN外延层自下而上依次接触；所述欧姆电极与所述n+GaN外延层的上表面构成欧姆接触；所述肖特基电极与所述n‑GaN外延层的上表面构成肖特基接触；所述欧姆电极和所述肖特基电极的上表面覆盖导电层。本发明采用等离子体氮化形成的氮化镍作为肖特基电极，具有更高的稳定性和更低的反向泄漏电流。
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公开(公告)号：CN119392272A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411482214.7
申请日：2024-10-23
Applicant: 江南大学
IPC: C25B9/00 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B9/65 , C25B11/052 , C25B11/087 , H02J50/20 , H02J50/27 , H02J50/23 , H02J50/40 , H02S40/30
Abstract: 本发明公开了一种无源无线耦合光电解水产氢系统，包括发射装置、接收装置和电解装置；发射装置包括商用太阳能电池，用于提供电能；接收装置包括整流天线，由整流器和天线组成，其中整流器是采由肖特基二极管，即微纳加工的Si基GaN器件，天线则是采用PCB和陶瓷制备；电解装置包括电解槽、光电阴极、阳极和电解液；其中光电阴极采用p‑Si作为基底，背电极为磁控溅射的Al层，正面为均匀分布的微米柱阵列，表面负载有MoS2助催化层。本发明提出将光电阴极与无线能量传输系统耦合搭建，以无线供电的方式替代传统电源，并在前端将太阳能转变为氢能源，实现远距离的新型能源的生产，从而拓宽了新型氢能源的应用前景。
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公开(公告)号：CN118538819A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410639654.2
申请日：2024-05-22
Applicant: 江南大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种三维结构单晶金刚石紫外探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该探测器解决了传统平面结构和现有三维结构金刚石紫外探测器载流子收集效率低的问题，从而提高了器件的响应度，提升了金刚石紫外探测器的性能和应用前景。该探测器的具体结构为，由下至上层叠设置的p型单晶金刚石层衬底、n型单晶金刚石层和i型单晶金刚石条；在i型单晶金刚石条之间的沟槽区域设置叉指形状的正极金属电极和负极金属电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118112891A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410198514.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明涉及一种在绝缘衬底使用低电压实现电子束光刻窄线条的方法，属于半导体器件及集成电路制造工艺技术领域。本发明利用电子束光刻技术与镀内、外层导电层的技术手段结合以制备纳米尺度的精细图案，不仅能够通过外层导电层的设置防止电荷积累的情况发生，而且还能够通过内层导电层的设置使得电子束易于穿透导电层达到电子束光刻胶从而防止图形漂移现象出现，提高了样品的导电性，同时也使得需求电压大大降低。
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公开(公告)号：CN118032906A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410224394.2
申请日：2024-02-29
Applicant: 江南大学
IPC: G01N27/416 , B01L3/00
Abstract: 本发明涉及一种基于氮化镓微流控芯片的pH值检测装置，属于分析检测技术领域。本发明构建包含本征GaN层、本征AlGaN层的氮化镓微流控芯片，通过设置电极和构造微通道，利用将待测物的化学信号直接转变为电信号的方式来检测pH值，而且其检测灵敏度不会因微通道尺寸的小型化而被降低。采用凹槽结构大幅提升了pH传感器的电流灵敏度和响应速度，能实现实时动态检测。
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公开(公告)号：CN115985970A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211722619.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。
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公开(公告)号：CN115274838A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210905165.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种带有结终端场板结构的氮化镓晶体管的制作方法，属于微电子器件技术领域。可用于解决击穿电压低、器件易损坏、可靠性差的问题，扩展了器件的使用环境。其自下而上包括衬底(1)、缓冲层(2)、氮化镓层(3)、铝镓氮层(4)及欧姆金属层、肖特基金属层(6)，该肖特基金属层的栅极与铝镓氮层之间增设有p型层(5)；并在p型层和栅极的上方及两端设有氮化硅/氧化铝/二氧化硅钝化层(7)；在钝化介质层的上方及靠近漏极一端设有金属场板层(8)，该金属场板层采用结终端场板结构，本发明提高了氮化镓晶体管的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN115144451A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210924661.8
申请日：2022-08-02
Applicant: 江南大学
IPC: G01N27/414 , G01N33/543 , G01N33/574 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于检测mi‑RNA的探针、GaN传感器及检测方法，GaN传感器的栅极上设置有mi‑RNA探针；mi‑RNA的检测方法包括如下步骤，制备GaN传感器；根据GaN传感器电学参数设置源极和漏极电压；配置不同目标mi‑RNA浓度的缓冲液，将GaN传感器插入缓冲液中测试，确定标准曲线；将GaN传感器插入待测溶液，对比检测待测溶液时输出电流与标准曲线输出电流的大小，根据两者电流的大小判断待测溶液中是否有目标mi‑RNA，并通过具体电流值得到目标mi‑RNA的浓度。本发明使用mi‑RNA探针并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕mi‑RNA探针和目标mi‑RNA杂交产生的栅极电位变化；使用p型层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免栅极通电对测量准确性的影响。
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