公开(公告)号：CN115360235A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210951099.8

申请日：2022-08-09

Applicant: 江南大学

Inventor： 王霄 ,  赵梓辰 ,  敖金平 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  杨毅喆 ,  张志达

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/283 ,  H01L21/329 ,  C01B21/06

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，氮化镓肖特基势垒二极管，由衬底、缓冲层、n+GaN外延层、n‑GaN外延层、欧姆电极、肖特基电极和导电层组成；其中，所述衬底、所述缓冲层、所述n+GaN外延层和所述n‑GaN外延层自下而上依次接触；所述欧姆电极与所述n+GaN外延层的上表面构成欧姆接触；所述肖特基电极与所述n‑GaN外延层的上表面构成肖特基接触；所述欧姆电极和所述肖特基电极的上表面覆盖导电层。本发明采用等离子体氮化形成的氮化镍作为肖特基电极，具有更高的稳定性和更低的反向泄漏电流。

公开(公告)号：CN115360235B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202210951099.8

申请日：2022-08-09

Applicant: 江南大学

Inventor： 王霄 ,  赵梓辰 ,  敖金平 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  杨毅喆 ,  张志达

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/283 ,  H01L21/329 ,  C01B21/06

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，氮化镓肖特基势垒二极管，由衬底、缓冲层、n+GaN外延层、n‑GaN外延层、欧姆电极、肖特基电极和导电层组成；其中，所述衬底、所述缓冲层、所述n+GaN外延层和所述n‑GaN外延层自下而上依次接触；所述欧姆电极与所述n+GaN外延层的上表面构成欧姆接触；所述肖特基电极与所述n‑GaN外延层的上表面构成肖特基接触；所述欧姆电极和所述肖特基电极的上表面覆盖导电层。本发明采用等离子体氮化形成的氮化镍作为肖特基电极，具有更高的稳定性和更低的反向泄漏电流。

公开(公告)号：CN115266889A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210914761.2

申请日：2022-08-01

Applicant: 江南大学

Inventor： 王霄 ,  杨毅喆 ,  敖金平 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  赵梓辰 ,  张志达

IPC: G01N27/416

Abstract: 本发明公开了一种用于检测葡萄糖浓度的GaN传感器及检测方法。用于检测葡萄糖浓度的GaN传感器包括有机官能团，其沉积在金单质层上，所述有机官能团为在常温常压、pH为4～9能与葡萄糖发生反应且反应前后存在极性或电负性差异的化合物；葡萄糖浓度的检测方法包括将葡萄糖特异性孔位分子印迹薄膜通过巯基与栅极上的金单质层相连，制备GaN传感器。本发明所述装置及方法使用官能团为葡萄糖特异性孔位分子印迹薄膜作为葡萄糖检测探头并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕捉官能团和葡萄糖分子反应产生的电位变化；使用p型层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免栅极通电对葡萄糖测量准确性的影响。