公开(公告)号：CN119372698A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411482216.6

申请日：2024-10-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 陈治伟 ,  时文祥 ,  王鑫雨 ,  李威 ,  李淼涛 ,  尤杰 ,  刘璋成 ,  王霄 ,  李杨 ,  敖金平

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25B11/053 ,  C25B11/059

Abstract: 本发明公开了一种多功能中间层修饰的硅基纳米线光电阴极，包括p‑Si基底层、纳米线形貌层、CdS层和MoS2助催化剂层；其制备方法为：(1)将p‑Si基底清洗干净，吹干备用；(2)在第一沉积液中沉积，制得表面吸附银粒子的p‑Si基底；(3)放入刻蚀液中刻蚀，在p‑Si基底上形成纳米线结构；(4)放入第二沉积液中沉积，在纳米线结构上形成CdS层；(5)将步骤(4)处理后的p‑Si基底作为工作电极，在电沉积液中沉积，制得所述硅基纳米线光电阴极。本发明光电阴极中CdS层与MoS2助催化剂层，减少两者直接负载的晶格失配问题，同时与硅基底形成异质pn结结构，多层协同作用，显著提高了光电化学性能。

公开(公告)号：CN118583846A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410635544.9

申请日：2024-05-22

Applicant: 江南大学

Inventor： 陈治伟 ,  李淼涛 ,  时文祥 ,  李威 ,  王鑫雨 ,  王霄 ,  李杨 ,  刘璋成 ,  敖金平

IPC: G01N21/76 ,  G01N27/26

Abstract: 本发明属于光电化学传感器领域，特别是一种硅基亚硝酸盐光电化学传感器及其制造方法。一种硅基亚硝酸盐光电化学传感器，其具体结构为，下至上层叠构建的铝(Al)背电极欧姆接触层、微纳加工处理的n型单晶硅(n‑Si)基底吸光层、表面金(Au)特异性层。本发明提出将微纳加工工艺以及物理生长法引入到光电化学传感器设计中，解决了传统化学型传感器重现性和稳定性差的问题，从而提升并拓宽了硅基光电化学传感器的应用前景。