公开(公告)号：CN118782644A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410489058.0

申请日：2024-04-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 敖金平 ,  王文倩 ,  左敏 ,  朱霞 ,  王霄 ,  李杨 ,  刘璋成 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  赵森 ,  夏文浩

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种P沟道氮化铝晶体管及其制备方法，本发明涉及电力电子器件领域，包括MIS结构，包括第一部分、氮化铝钪势垒层、P层；所述P层顶部中心处设有N帽层，所述N帽层上方沉积有电介质层，所述电介质层上方沉积有栅极。通过调整氮化铝钪势垒层厚度可以提高p沟道的空穴浓度，在栅金属与异质结构间插入N帽层，可以耗尽p沟道中的二维空穴气，以实现器件的增强特性。

公开(公告)号：CN118053908A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410133115.1

申请日：2024-01-31

Applicant: 江南大学

Inventor： 王霄 ,  夏文浩 ,  余鸿铭 ,  敖金平 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  赵森 ,  张冲

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  C30B25/18 ,  C30B29/20 ,  C30B29/22 ,  C30B29/40 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管存储器及制备方法，属于集成电路器件技术领域。所述氮化镓晶体管存储器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、本征氮化镓层和本征铝镓氮层，所述本征铝镓氮层上并列设置有氧化铝隧穿层、源极和漏极，所述氧化铝隧穿层上依次生长有HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层以及栅极；其中，采用GaN/AlGaN异质结所产生的二维电子气来作为存储在HfZrO铁电材料层中的电子来源。本发明采用有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)在本征铝镓氮层上依次外延出氧化铝隧穿层、HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层的结构，形成了氮化镓晶体管存储器。本发明提供的氮化镓基存储器件基于氮化镓基三极管结构，具有存储速率高、存储稳定等优势。