公开(公告)号：CN116209337A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310147195.1

申请日：2023-02-22

Applicant: 江南大学

Inventor： 敖金平 ,  王利强 ,  繆璟润 ,  王霄 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  朱霞

IPC: H10N30/30 ,  H10N30/01 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  G01L1/16 ,  G01L9/08

Abstract: 本发明公开了一种多沟道GaN压力传感器件及其制备方法，包括由下至上依次设置的衬底、沟道结构层、设置于沟道结构层上的栅极以及位于沟道结构层两侧的源极和漏极；其中，沟道结构层由多层堆叠的GaN层和AlGaN势垒层构成，GaN层位于AlGaN势垒层下方。本发明通过多次进行AlGaN/GaN材料的堆叠构成多沟道压力传感器在微纳尺度方面，可以较大的提高相关性能参数，灵敏度高、可靠性强、检测限低。