柔性电路板、电池装置和电池装置的组装方法

    公开(公告)号:CN112584602A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201910935038.0

    申请日:2019-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种柔性电路板、电池装置和电池装置的组装方法,柔性电路板适于连接在电池管理系统和电芯连接片之间,电芯连接片连接在相邻两个电芯之间,柔性电路板包括电路基板,电路基板包括:本体部和多个采集部,多个采集部间隔开地围绕本体部设置,本体部上设有适于与电池管理系统电连接的连接器,采集部适于与电池管理系统电连接,每一个采集部的一端与本体部的边缘相连,另一端具有焊接部和溢胶孔,焊接部适于与电芯连接片焊接,溢胶孔用于在对采集部和电芯连接片点胶连接时溢胶。根据本发明的柔性电路板,结构简单、便于加工,有利于实现高效组装。

    柔性电路板、冲切基板和电池装置

    公开(公告)号:CN112582690A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201910936566.8

    申请日:2019-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种柔性电路板、冲切基材和电池装置,柔性电路板适于连接在电池管理系统和多个电芯之间,柔性电路板包括电路基板,电路基板包括一体冲切而成的本体部和多个采集部,多个采集部间隔开地围绕本体部设置,本体部上设有适于与电池管理系统电连接的连接器;每一个采集部的一端与本体部的边缘相连,另一端用于与电芯连接,采集部用于使连接器获取电芯的预定参数。根据本发明的柔性电路板,成本低,加工工序简单。

    柔性电路板、电池模组和电池包

    公开(公告)号:CN113745670A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202010462837.3

    申请日:2020-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种柔性电路板、电池模组和电池包,柔性电路板包括:载体膜和线路层,线路层设于载体膜内,其中,载体膜具有加热区和信号采集区,线路层包括:加热线路、加热温度采集线路、电池温度采集线路和电池电压采集线路,加热线路设于加热区且适于对电池组件加热,加热温度采集线路设于加热区且用于采集加热区的温度,电池温度采集线路和电池电压采集线路均设于信号采集区且适于采集电池组件的信息。根据本发明的柔性电路板,结构简单,集成化程度较高,且成本较低。

    一种功率半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN102005472B

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN200910189692.8

    申请日:2009-08-31

    Abstract: 本发明适用于半导体技术领域,提供了一种功率半导体器件的制造方法,包括:在形成于半导体衬底上的半导体层或第二导电类型的单晶正面上依次形成氧化层、氮化硅层;在氮化硅层上形成光刻胶图形,然后除去氮化硅,用残留的氮化硅层作掩模,将杂质离子注入阱区,扩散形成第一导电类型的阱;阱中注入杂质离子,形成第二导电类型的源区;注入杂质离子,形成浓度较阱区高扩散区;除去氮化硅层,向半导体层表面淀积一层电极接触层,使电极接触层与半导体层表面相平。本发明中,器件的源区的横向尺寸可以达到最小,减小位于P-阱中源区下寄生的横向电阻,阻止寄生的NPN管工作在放大状态,从而抑制器件的闩锁效应。

    一种功率半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102005472A

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN200910189692.8

    申请日:2009-08-31

    Abstract: 本发明适用于半导体技术领域,提供了一种功率半导体器件及其制造方法,所述功率半导体器件包括:形成于半导体衬底上的半导体层;形成于所述半导体层上的阱区;所述阱区中间填充有一电极接触层,所述电极接触层与所述半导体层表面平齐;所述电极接触层两侧分别有横向扩散的源区,底面有扩散深阱,并且源区、深阱区、电极接触层两两接触。本发明中,将形成于半导体层上的阱区中部掏空,在其中填充一与半导体层表面平齐的电极接触层,而电极接触层侧面有横向扩散的源区,源区尺寸完全由其横向扩散的宽度决定,即器件的源区的横向尺寸可以达到最小,减小位于P-阱中源区下寄生的横向电阻,阻止寄生的NPN管工作在放大状态,从而抑制器件的闩锁效应。

    一种IGBT及其制作方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102034815B

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN200910110732.5

    申请日:2009-09-29

    Abstract: 本发明涉及功率半导体器件,提供一种IGBT及其制作方法。所述IGBT,其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区,所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管,所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的发射极电连接。本发明利用结型场效应管(JFET)的沟道夹断效应来控制IGBT中的饱和电流,这种结构具有自夹断效果,使得IGBT的短路耐受量大大增加,能够很好的保护IGBT。

    柔性电路板、电池模组和电池包

    公开(公告)号:CN113745670B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202010462837.3

    申请日:2020-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种柔性电路板、电池模组和电池包,柔性电路板包括:载体膜和线路层,线路层设于载体膜内,其中,载体膜具有加热区和信号采集区,线路层包括:加热线路、加热温度采集线路、电池温度采集线路和电池电压采集线路,加热线路设于加热区且适于对电池组件加热,加热温度采集线路设于加热区且用于采集加热区的温度,电池温度采集线路和电池电压采集线路均设于信号采集区且适于采集电池组件的信息。根据本发明的柔性电路板,结构简单,集成化程度较高,且成本较低。

    一种IGBT及其制作方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102034815A

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200910110732.5

    申请日:2009-09-29

    Abstract: 本发明涉及功率半导体器件,提供一种IGBT及其制作方法。所述IGBT,其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区,所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管,所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的发射极电连接。本发明利用结型场效应管(JFET)的沟道夹断效应来控制IGBT中的饱和电流,这种结构具有自夹断效果,使得IGBT的短路耐受量大大增加,能够很好的保护IGBT。

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