公开(公告)号：CN102034815B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910110732.5

申请日：2009-09-29

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 唐盛斌 ,  朱超群 ,  冯卫 ,  陈宇 ,  吴海平 ,  刘林

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及功率半导体器件，提供一种IGBT及其制作方法。所述IGBT，其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区，所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管，所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的发射极电连接。本发明利用结型场效应管(JFET)的沟道夹断效应来控制IGBT中的饱和电流，这种结构具有自夹断效果，使得IGBT的短路耐受量大大增加，能够很好的保护IGBT。

公开(公告)号：CN102034815A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910110732.5

申请日：2009-09-29

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 唐盛斌 ,  朱超群 ,  冯卫 ,  陈宇 ,  吴海平 ,  刘林

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及功率半导体器件，提供一种IGBT及其制作方法。所述IGBT，其第一导电类型的漂移层中浮置有第二导电类型第一半导体区，所述第二导电类型第一半导体区与漂移层形成结型场效应管，所述第二导电类型第一半导体区与IGBT的发射极电连接。本发明利用结型场效应管(JFET)的沟道夹断效应来控制IGBT中的饱和电流，这种结构具有自夹断效果，使得IGBT的短路耐受量大大增加，能够很好的保护IGBT。

公开(公告)号：CN102005472B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200910189692.8

申请日：2009-08-31

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 朱超群 ,  唐盛斌 ,  冯卫 ,  陈宇 ,  吴海平 ,  刘林

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L27/082

Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种功率半导体器件的制造方法，包括：在形成于半导体衬底上的半导体层或第二导电类型的单晶正面上依次形成氧化层、氮化硅层；在氮化硅层上形成光刻胶图形，然后除去氮化硅，用残留的氮化硅层作掩模，将杂质离子注入阱区，扩散形成第一导电类型的阱；阱中注入杂质离子，形成第二导电类型的源区；注入杂质离子，形成浓度较阱区高扩散区；除去氮化硅层，向半导体层表面淀积一层电极接触层，使电极接触层与半导体层表面相平。本发明中，器件的源区的横向尺寸可以达到最小，减小位于P-阱中源区下寄生的横向电阻，阻止寄生的NPN管工作在放大状态，从而抑制器件的闩锁效应。

公开(公告)号：CN102005472A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200910189692.8

申请日：2009-08-31

Applicant: 比亚迪股份有限公司

Inventor： 朱超群 ,  唐盛斌 ,  冯卫 ,  陈宇 ,  吴海平 ,  刘林

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L27/082

Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种功率半导体器件及其制造方法，所述功率半导体器件包括：形成于半导体衬底上的半导体层；形成于所述半导体层上的阱区；所述阱区中间填充有一电极接触层，所述电极接触层与所述半导体层表面平齐；所述电极接触层两侧分别有横向扩散的源区，底面有扩散深阱，并且源区、深阱区、电极接触层两两接触。本发明中，将形成于半导体层上的阱区中部掏空，在其中填充一与半导体层表面平齐的电极接触层，而电极接触层侧面有横向扩散的源区，源区尺寸完全由其横向扩散的宽度决定，即器件的源区的横向尺寸可以达到最小，减小位于P-阱中源区下寄生的横向电阻，阻止寄生的NPN管工作在放大状态，从而抑制器件的闩锁效应。