公开(公告)号：CN116092942A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310020546.2

申请日：2023-01-06

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 刘启军 ,  王亚飞 ,  李诚瞻 ,  郑昌伟 ,  宋瓘 ,  赵艳黎 ,  陈海军 ,  罗海辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件的制作方法及功率半导体器件，解决了栅极氧化层电场应力过大，进而影响器件长期可靠性，甚至导致器件失效的问题。包括：提供一衬底；在衬底上形成外延层；在外延层的上表面进行离子注入，以在外延层上形成第一导电类型阱区；对第一导电类型阱区的上表面进行离子注入，以在第一导电类型阱区的上表面形成第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层；对子第二导电类型掺杂层进行沟槽刻蚀；在沟槽内填充多晶硅；在第一导电类型掺杂层、第二导电类型掺杂层和多晶硅的表面形成具有图像化的掩膜层；去除沟槽内的多晶硅；进行至少两组离子倾斜注入，以在沟槽的侧壁和底部形成第一导电类型电场屏蔽层；去除掩膜层。