公开(公告)号：CN114242586A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111543886.0

申请日：2021-12-16

Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司

Inventor： 余开庆 ,  朱利恒 ,  穆纳福·拉希莫 ,  王辉 ,  肖强 ,  覃荣震 ,  蔡海 ,  罗海辉

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 本申请提供了一种RC‑IGBT元胞的制备方法及RC‑IGBT芯片，该制备方法包括：对半导体基板进行处理并在其上形成由氧化层和多晶硅组成的栅极；在所述栅极的中部刻蚀出多个孔洞区；通过一具有预设结构的光刻版在所述孔洞区进行N+发射极的注入，其中注入有所述N+发射极的区域为IGBT区，未注入所述N+发射极的区域为FRD区。本申请提供的制备方法通过对条形栅极分段，通过在栅极的中部刻蚀出多个孔洞区，并利用有预设结构的光刻版在孔洞区合理布局N+发射极的位置，让没有被沟道短路的二极管部分率先进入电导调制状态，能有效降低VF，优化了VF‑shift。