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公开(公告)号：CN104103497B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201410143412.0
申请日：2014-04-10
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： F·韦
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供加工方法，该加工方法抑制了加工时的加工对象面的高度位置的波动，并能够防止胶和粘结剂的残留。所述加工方法构成为，其具备：定位步骤，将板状物（11）载置到支承板（20）上；结合步骤，向载置于支承板上的板状物的外周部（19）照射激光束（26），在板状物的外周部形成将板状物熔接于支承板的熔接区域（30），将板状物固定在支承板上；以及加工步骤，在实施结合步骤后，对板状物实施加工。
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公开(公告)号：CN108878284B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201810409277.8
申请日：2018-05-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供被加工物的加工方法，能够抑制器件的安装不良、断线等加工后的破损。该被加工物的加工方法包含如下的步骤：掩模准备步骤，准备将被加工物正面的器件覆盖并且使间隔道露出的掩模；等离子蚀刻步骤，在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程：隔着掩模对背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF6而形成槽，接着隔着掩模对被加工物提供等离子化的C4F8而使被膜堆积于被加工物，然后隔着掩模对被加工物提供等离子化的SF6从而将槽底的被膜去除而对槽底进行蚀刻；以及异物去除步骤，在实施了等离子蚀刻步骤(ST3)之后，利用清洗液对被加工物进行清洗而将通过等离子蚀刻步骤(ST3)而生成的被膜去除。
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公开(公告)号：CN107920424A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710928667.1
申请日：2017-10-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H05K3/04
CPC classification number: H05K3/26 , B24B37/042 , C25D5/48 , C25D7/123 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/562 , H05K3/0044 , H05K3/045 , H05K3/107 , H05K3/465 , H05K2203/025 , H05K2203/0346 , H05K3/043 , H05K2203/0228
Abstract: 提供布线基板的制造方法，抑制在布线基板的电路图案上产生粗糙，按照设计形成电路图案。在芯基板上形成绝缘层，在绝缘层上形成供电路图案的布线层设置的槽，在形成了槽的绝缘层的露出面上形成金属的种子层，利用镀覆处理将作为布线层的金属电沉积在种子层上并填充金属而形成金属层，对金属层进行刀具切削而去除至未达到绝缘层的上端的位置，利用蚀刻或CMP处理使绝缘层的上端露出而在槽中形成布线层，并且对布线层露出的露出面进行平坦化。
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公开(公告)号：CN107920419A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710905381.1
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H05K3/0044 , H05K3/04
Abstract: 提供布线基板的制造方法，得到更良好地与所搭载的部件的电极进行连接、平坦度更高的布线基板。在芯基板的正面和背面形成基体绝缘层(基体绝缘层形成步骤ST1)，利用刀具工具或磨削磨具对正面和背面的基体绝缘层的表面进行切削而平坦化(正面和背面平坦化步骤ST2)，利用激光光线或光刻在基体绝缘层上形成作为电路图案的槽(槽形成步骤ST3)。利用溅射等在基体绝缘层上形成金属薄膜(金属薄膜形成步骤ST4)，以金属薄膜作为电极，利用镀覆处理将金属包覆在基体绝缘层的表面上(金属包覆步骤ST5)。利用刀具工具来切削金属和基体绝缘层直至基体绝缘层达到规定的完工厚度，形成金属的电路图案露出而成的平坦的电路图案层(电路图案层形成步骤ST6)。
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公开(公告)号：CN110707008B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910564922.8
申请日：2019-06-27
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/268
Abstract: 提供半导体晶片的加工方法，在激光加工槽形成之后且在半导体晶片的分割之前，不追加掩模层形成工序而去除变质层和应变层。该半导体晶片的加工方法具有如下步骤：将半导体晶片、保护层以及功能层部分地去除而使半导体晶片露出，从而形成激光加工槽；利用掩模层将残留在激光加工槽以外的保护层中的除了金属电极上的区域以外的区域覆盖；第1蚀刻步骤,隔着掩模层而对保护层进行使用了第1气体的等离子蚀刻，使金属电极露出；第2蚀刻步骤,隔着第1蚀刻步骤后的掩模层而对激光加工槽进行使用了第2气体的等离子蚀刻，使激光加工槽扩展；以及分割步骤，沿着在第2蚀刻步骤中进行了扩展的激光加工槽将半导体晶片分割成器件芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107920424B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201710928667.1
申请日：2017-10-09
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H05K3/04
Abstract: 提供布线基板的制造方法，抑制在布线基板的电路图案上产生粗糙，按照设计形成电路图案。在芯基板上形成绝缘层，在绝缘层上形成供电路图案的布线层设置的槽，在形成了槽的绝缘层的露出面上形成金属的种子层，利用镀覆处理将作为布线层的金属电沉积在种子层上并填充金属而形成金属层，对金属层进行刀具切削而去除至未达到绝缘层的上端的位置，利用蚀刻或CMP处理使绝缘层的上端露出而在槽中形成布线层，并且对布线层露出的露出面进行平坦化。
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公开(公告)号：CN104103497A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410143412.0
申请日：2014-04-10
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： F·韦
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B23K26/324 , B23K26/21 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/68 , H01L21/6835 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供加工方法，该加工方法抑制了加工时的加工对象面的高度位置的波动，并能够防止胶和粘结剂的残留。所述加工方法构成为，其具备：定位步骤，将板状物（11）载置到支承板（20）上；结合步骤，向载置于支承板上的板状物的外周部（19）照射激光束（26），在板状物的外周部形成将板状物熔接于支承板的熔接区域（30），将板状物固定在支承板上；以及加工步骤，在实施结合步骤后，对板状物实施加工。
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公开(公告)号：CN111863722A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010331857.7
申请日：2020-04-24
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： F·韦
IPC: H01L21/78 , H01L21/336 , B81C1/00
Abstract: 提供器件芯片的制造方法，能够抑制器件芯片的成本的高昂。器件芯片的制造方法包含如下的步骤：粘贴步骤(ST2)，将晶片粘贴于半导体锭的第1面上；分离步骤(ST3)，在实施了粘贴步骤(ST2)之后，将半导体锭分离而形成在半导体锭的一部分层叠在晶片上而得的层叠晶片和一部分被去除后的半导体锭；器件形成步骤(ST4)，在实施了分离步骤(ST3)之后，在层叠晶片的半导体锭侧的正面上设定交叉的多条分割预定线，并且在由分割预定线划分的各区域内分别形成器件；以及分割步骤(ST5)，在实施了器件形成步骤(ST4)之后，将层叠晶片沿着分割预定线进行分割而形成多个器件芯片。
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公开(公告)号：CN110707008A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910564922.8
申请日：2019-06-27
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/268
Abstract: 提供半导体晶片的加工方法，在激光加工槽形成之后且在半导体晶片的分割之前，不追加掩模层形成工序而去除变质层和应变层。该半导体晶片的加工方法具有如下步骤：将半导体晶片、保护层以及功能层部分地去除而使半导体晶片露出，从而形成激光加工槽；利用掩模层将残留在激光加工槽以外的保护层中的除了金属电极上的区域以外的区域覆盖；第1蚀刻步骤,隔着掩模层而对保护层进行使用了第1气体的等离子蚀刻，使金属电极露出；第2蚀刻步骤,隔着第1蚀刻步骤后的掩模层而对激光加工槽进行使用了第2气体的等离子蚀刻，使激光加工槽扩展；以及分割步骤，沿着在第2蚀刻步骤中进行了扩展的激光加工槽将半导体晶片分割成器件芯片。
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公开(公告)号：CN108878284A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810409277.8
申请日：2018-05-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02068 , H01L21/308 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/67132 , H01L21/6831 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 提供被加工物的加工方法，能够抑制器件的安装不良、断线等加工后的破损。该被加工物的加工方法包含如下的步骤：掩模准备步骤，准备将被加工物正面的器件覆盖并且使间隔道露出的掩模；等离子蚀刻步骤，在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程：隔着掩模对背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF6而形成槽，接着隔着掩模对被加工物提供等离子化的C4F8而使被膜堆积于被加工物，然后隔着掩模对被加工物提供等离子化的SF6从而将槽底的被膜去除而对槽底进行蚀刻；以及异物去除步骤，在实施了等离子蚀刻步骤(ST3)之后，利用清洗液对被加工物进行清洗而将通过等离子蚀刻步骤(ST3)而生成的被膜去除。
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