公开(公告)号：CN115547929A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210711208.9

申请日：2022-06-22

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 若原匡俊

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供芯片的制造方法，能够抑制层叠有芯片贴装层的芯片的制造所涉及的作业工序增加。芯片的制造方法包含如下的步骤：准备步骤，准备如下的晶片单元：形成有器件的晶片隔着含有填料的芯片贴装层而粘贴于带，带安装于环状框架，器件被保护膜保护，晶片的正面沿着分割预定线露出；晶片加工步骤，从晶片的正面侧实施等离子蚀刻，沿着分割预定线将晶片分割，使芯片贴装层露出；芯片贴装层加工步骤，从晶片的正面侧对芯片贴装层实施等离子蚀刻；以及清洗步骤，对晶片单元的正面喷射清洗水而沿着分割预定线将填料残留物从晶片单元去除。

公开(公告)号：CN110707008B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201910564922.8

申请日：2019-06-27

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 若原匡俊 ,  F·韦

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268

Abstract: 提供半导体晶片的加工方法，在激光加工槽形成之后且在半导体晶片的分割之前，不追加掩模层形成工序而去除变质层和应变层。该半导体晶片的加工方法具有如下步骤：将半导体晶片、保护层以及功能层部分地去除而使半导体晶片露出，从而形成激光加工槽；利用掩模层将残留在激光加工槽以外的保护层中的除了金属电极上的区域以外的区域覆盖；第1蚀刻步骤,隔着掩模层而对保护层进行使用了第1气体的等离子蚀刻，使金属电极露出；第2蚀刻步骤,隔着第1蚀刻步骤后的掩模层而对激光加工槽进行使用了第2气体的等离子蚀刻，使激光加工槽扩展；以及分割步骤，沿着在第2蚀刻步骤中进行了扩展的激光加工槽将半导体晶片分割成器件芯片。

公开(公告)号：CN111312658A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911247785.1

申请日：2019-12-09

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 若原匡俊 ,  卡尔·普利瓦西尔 ,  朴美玉 ,  小田中健太郎 ,  尾上若奈 ,  蓝丽华

IPC: H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法，能够抑制器件的破损，并且能够将晶片分割成各个器件。晶片的加工方法包含如下的步骤：掩模形成步骤，在晶片的背面上形成掩模，该掩模用于从晶片的背面侧在基材上形成沿着间隔道的蚀刻槽；等离子蚀刻步骤，在实施了掩模形成步骤之后，隔着掩模从晶片的背面侧实施等离子蚀刻，在基材上形成沿着间隔道的多个蚀刻槽；以及器件层激光加工步骤，在实施等离子蚀刻步骤和掩模形成步骤之前，从晶片的正面侧沿着间隔道对器件层照射激光束，形成与蚀刻槽对应的器件层分割槽。

公开(公告)号：CN111312658B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201911247785.1

申请日：2019-12-09

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 若原匡俊 ,  卡尔·普利瓦西尔 ,  朴美玉 ,  小田中健太郎 ,  尾上若奈 ,  蓝丽华

IPC: H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法，能够抑制器件的破损，并且能够将晶片分割成各个器件。晶片的加工方法包含如下的步骤：掩模形成步骤，在晶片的背面上形成掩模，该掩模用于从晶片的背面侧在基材上形成沿着间隔道的蚀刻槽；等离子蚀刻步骤，在实施了掩模形成步骤之后，隔着掩模从晶片的背面侧实施等离子蚀刻，在基材上形成沿着间隔道的多个蚀刻槽；以及器件层激光加工步骤，在实施等离子蚀刻步骤和掩模形成步骤之前，从晶片的正面侧沿着间隔道对器件层照射激光束，形成与蚀刻槽对应的器件层分割槽。

公开(公告)号：CN116613082A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310116487.9

申请日：2023-02-09

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 若原匡俊 ,  小田中健太郎 ,  蓝丽华

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，即使在从背面对晶片进行检查的情况下，也能够确定晶片内的不良部位的位置。该晶片的加工方法将正面上形成有图案和多条交叉的分割预定线的晶片沿着分割预定线进行加工，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：保持步骤，将晶片的正面保持于保持工作台；加工步骤，隔着保持工作台从正面侧或通过红外线相机从背面侧检测正面的分割预定线，通过加工单元从背面侧沿着分割预定线对晶片进行加工；以及检查步骤，在加工步骤之后，将晶片载置于检查台，从背面对加工品质进行检查。在检查步骤中，以晶片所具有的特征点(例如凹口等)为基准而存储不良部位。

公开(公告)号：CN110707008A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910564922.8

申请日：2019-06-27

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 若原匡俊 ,  F·韦

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/268

Abstract: 提供半导体晶片的加工方法，在激光加工槽形成之后且在半导体晶片的分割之前，不追加掩模层形成工序而去除变质层和应变层。该半导体晶片的加工方法具有如下步骤：将半导体晶片、保护层以及功能层部分地去除而使半导体晶片露出，从而形成激光加工槽；利用掩模层将残留在激光加工槽以外的保护层中的除了金属电极上的区域以外的区域覆盖；第1蚀刻步骤,隔着掩模层而对保护层进行使用了第1气体的等离子蚀刻，使金属电极露出；第2蚀刻步骤,隔着第1蚀刻步骤后的掩模层而对激光加工槽进行使用了第2气体的等离子蚀刻，使激光加工槽扩展；以及分割步骤，沿着在第2蚀刻步骤中进行了扩展的激光加工槽将半导体晶片分割成器件芯片。