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公开(公告)号：CN115995407A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211237400.5
申请日：2022-10-10
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供加工装置，其能够自动地进行使晶片与环状框架借助带而成为一体的作业。加工装置包含：对晶片进行支承的晶片台；对环状框架进行支承的框架台；具有将带压接于环状框架的第一压接辊的第一带压接单元；以及具有将有带环状框架的带压接于晶片的正面或背面的第二压接辊的第二带压接单元。在框架台和第一压接辊中的任意一方或双方中配设有第一加热单元，并且在晶片台和第二压接辊中的任意一方或双方中配设有第二加热单元。
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公开(公告)号：CN113948419A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110784478.8
申请日：2021-07-12
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供加工装置，其容易进行在背面形成有加强部的晶片的背面上粘贴带而使晶片与框架成为一体的作业，将加强部切断而从晶片去除。加工装置包含：晶片搬出机构，其将晶片搬出；晶片台，其支承晶片；框架搬出机构，其将框架搬出；框架台，其支承框架；带粘贴机构，其将带粘贴于框架上；有带框架搬送机构，其将有带框架搬送至晶片台；带压接机构，其将有带框架的带压接于晶片的背面上；框架单元搬出机构，其将压接了有带框架的带和晶片的背面的框架单元从晶片台搬出；加强部去除机构，其从框架单元的晶片切断并去除环状的加强部；无环单元搬出机构，其将去除了加强部的无环单元从加强部去除机构搬出；和框架盒台，其载置收纳无环单元的框架盒。
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公开(公告)号：CN116137239A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211360124.1
申请日：2022-11-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供带压接装置，其即使利用按压辊将有带环状框架的带压接于晶片的背面也不会使晶片破损。带压接装置包含：上部腔室；下部腔室；升降机构，其对使上部腔室下降而与下部腔室接触的封闭状态和使上部腔室从下部腔室分离的开放状态进行切换；真空部，其在封闭状态下使上部腔室和下部腔室成为真空；以及大气开放部，其使上部腔室和下部腔室向大气开放。在下部腔室中收纳有晶片台，该晶片台具有仅对晶片的外周剩余区域进行支承且包含与器件区域非接触的圆形凹部的保持面。带压接装置包含向晶片台的圆形凹部提供空气而使该圆形凹部内的气压与上部腔室和下部腔室的气压相比成为正压的正压生成部。
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公开(公告)号：CN114628282A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111484444.3
申请日：2021-12-07
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供加工装置，其容易进行将划片带粘贴于在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片的背面上而与框架成为一体的作业，并且容易将加强部切断而从晶片去除。加工装置包含将有带框架的带压接于晶片的背面上的带压接单元。带压接单元包含：上部腔室；下部腔室；使上部腔室升降的升降机构；使上部腔室和下部腔室成为真空的真空部；以及使上部腔室和下部腔室向大气开放的大气开放部。
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公开(公告)号：CN118039529A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311475484.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供带粘贴装置，其能够在每次对带施加相同的张力的状态下将带粘贴于被加工物。带粘贴装置包含：保持工作台，其对被加工物进行保持；送带轴，其对具有剥离纸的卷状带的轴心进行支承并旋转；带粘贴辊，其将带推抵于保持工作台所保持的被加工物而进行粘贴；卷绕辊，其对剥离纸(P)进行卷绕；引导辊，其将剥离纸向卷绕辊引导；以及控制器。控制器测量相对于卷状带的送出量的送带轴的旋转角度，求出卷状带的半径，对半径×张力＝该送带轴的扭矩进行控制，以使得送带轴维持规定的张力。
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公开(公告)号：CN115838093A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211082859.2
申请日：2022-09-06
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供带粘贴装置，其即使从粘贴于有带环状框架的带的晶片去除环状的增强部，也能够防止在带上产生褶皱。带粘贴装置包含：支承环状框架的框架支承工作台、使框架支承工作台升降的升降单元、带粘贴单元以及控制单元。带粘贴单元包含带送出部、带卷取部以及按压辊，该按压辊一边将所送出的带从框架支承工作台所支承的环状框架的一端朝向另一端按压一边移动从而进行粘贴。控制单元将按压辊定位于按压位置而对带施加张力从而将带粘贴于在环状框架的一端，使按压辊朝向环状框架的另一端移动并且与按压辊的移动同步地使框架支承工作台上升，从而使施加至带的张力保持恒定。
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公开(公告)号：CN116895544A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310280347.5
申请日：2023-03-21
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 内保贵
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供张力确认方法和带粘贴装置，能够容易地确认粘贴于框架的带的张力是否均匀。张力确认方法包含如下的工序：加热工序，将带(T)加热；拍摄工序，对被加热的带(T)进行拍摄并显示于监视器(24)；以及确认工序，通过带(T)的扭转来确认张力。
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公开(公告)号：CN116572102A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310119682.7
申请日：2023-02-02
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供磨削装置和磨削方法，即使在从侧部沿水平方向磨削晶片的情况下，也无需再磨削磨削面整体，生产率优异。磨削装置的控制单元执行如下的步骤：临时定位步骤，使Z轴进给单元动作，将磨削单元临时定位于未到达期望的厚度的Z轴位置；临时磨削步骤，使Y轴进给单元动作，通过磨削磨具从侧部临时磨削晶片的一部分；厚度测量步骤，使厚度测量单元动作，测量被临时磨削的晶片的区域的厚度；计算步骤，计算期望的厚度与通过厚度测量步骤测量的晶片的厚度的差；正式定位步骤，根据差的值使Z轴进给单元动作，将磨削单元定位于到达期望的厚度的Z轴位置；精磨削步骤，使Y轴进给单元动作，通过磨削磨具磨削晶片而将晶片的厚度精加工成期望的厚度。
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公开(公告)号：CN107920419A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710905381.1
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H05K3/0044 , H05K3/04
Abstract: 提供布线基板的制造方法，得到更良好地与所搭载的部件的电极进行连接、平坦度更高的布线基板。在芯基板的正面和背面形成基体绝缘层(基体绝缘层形成步骤ST1)，利用刀具工具或磨削磨具对正面和背面的基体绝缘层的表面进行切削而平坦化(正面和背面平坦化步骤ST2)，利用激光光线或光刻在基体绝缘层上形成作为电路图案的槽(槽形成步骤ST3)。利用溅射等在基体绝缘层上形成金属薄膜(金属薄膜形成步骤ST4)，以金属薄膜作为电极，利用镀覆处理将金属包覆在基体绝缘层的表面上(金属包覆步骤ST5)。利用刀具工具来切削金属和基体绝缘层直至基体绝缘层达到规定的完工厚度，形成金属的电路图案露出而成的平坦的电路图案层(电路图案层形成步骤ST6)。
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