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公开(公告)号：CN104934309B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201510113149.5
申请日：2015-03-16
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够不使品质劣化地将在背面外周形成有环状凸部的晶片分割成一个个器件。本发明的加工方法用于分割晶片(W)，在该晶片(W)，通过仅对与器件形成区域(A1)对应的背面进行磨削，而在与包围器件形成区域的外周剩余区域(A2)对应的背面形成加强用的环状凸部(16)，该加工方法构成为，在使保护带(T1)粘贴于晶片的正面的状态下在晶片的环状凸部和凹部(15)的边界处形成分割槽(17)，对晶片的背面侧粘贴切割带(T2)，并从晶片的正面除去保护带和环状凸部，将晶片的器件形成区域分割成一个个器件(D)。
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公开(公告)号：CN102103986A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010541104.5
申请日：2010-11-08
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 田渕智隆
CPC classification number: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/228
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，其能减少发生于环状加强部的缺损且能高效地将蚀刻液或抗蚀液等处理液排出至晶片外。晶片的加工方法包括：带锥度外周加强部形成工序，将具有外周锥度面的切削刀具以使锥度面朝向外周剩余区域侧的方式定位在晶片的与器件区域的外周缘对应的背面侧的对应位置，一边使卡盘工作台旋转一边使切削刀具切入晶片以形成环状槽，并在晶片的整个背面侧外周部形成环状外周加强部，该环状外周加强部的环状内周面形成为随着从晶片的背面侧至表面侧而朝半径方向内侧倾斜的锥度面；以及晶片磨削工序，将晶片的与器件区域对应的背面磨削到至少与环状槽的底部相同的深度，在被环状外周加强部围绕的晶片的背面区域中形成圆形凹部。
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公开(公告)号：CN1493086A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN02805229.3
申请日：2002-11-15
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/3043 , H01L21/78 , Y10S438/977
Abstract: 使有由于外因而使粘贴力降低的粘贴层的粘贴胶带10介于其间，将半导体晶片的表面粘贴到板状物支撑部件上，在该状态下，研磨半导体晶片的背面，在研磨后的半导体晶片的背面，粘贴切割胶带，同时通过切割架支撑切割胶带的外周，由于使外因作用于粘贴层，而使粘贴层的粘贴力降低，所以不损伤半导体晶片或者半导体芯片，就可以取下板状物支撑部件和粘贴胶带。
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公开(公告)号：CN108231676B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201711305827.3
申请日：2017-12-11
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/268
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够在晶片正面的器件区域被保护膜覆盖的状态下进行等离子照射，并能够抑制器件的损伤。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：保护膜形成工序，形成将晶片(W)的正面整体包覆的保护膜(70)；激光照射工序，沿着间隔道(ST)照射激光(LB)而将功能层(72)去除，并使基板(71)露出；保护膜检测工序，对激光照射后的晶片上的多个器件(DV)区域中的保护膜的包覆状态进行检测；保护膜再形成工序，当在器件区域中存在未包覆保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将各器件区域覆盖；等离子照射工序，对晶片进行等离子照射；以及分割工序，通过沿着间隔道的切削对晶片进行分割。
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公开(公告)号：CN108630603A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810224062.9
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 田渕智隆
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 提供加工方法，在对形成有膜的板状的被加工物进行分割的情况下，不使切削刀具产生堵塞并且不利用激光加工装置而能够对被加工物进行加工。该加工方法具有如下的步骤：槽形成步骤，从被加工物(W)的正面(W1a)沿着分割预定线(S)形成槽(M1)；保持步骤，在实施了槽形成步骤之后，对被加工物的正面侧进行保持而使被加工物的背面(W2b)侧的膜(W2)露出；高压水喷射步骤，在实施了保持步骤之后，对被加工物的背面侧喷射高压水(J)而沿着槽对膜进行分割，使至少一部分的槽在背面侧贯通；以及固态二氧化碳颗粒喷射步骤，对已喷射了高压水的被加工物的背面侧喷射固态二氧化碳颗粒(P1)而将与槽对应的膜去除。
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公开(公告)号：CN108231676A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711305827.3
申请日：2017-12-11
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/268 , B24B27/06 , B28D5/0011 , H01L21/02071 , H01L21/3081 , H01L21/67023 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/67745 , H01L21/6836 , H01L21/76 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2221/68327
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够在晶片正面的器件区域被保护膜覆盖的状态下进行等离子照射，并能够抑制器件的损伤。一种晶片的加工方法，包含如下的工序：保护膜形成工序，形成将晶片(W)的正面整体包覆的保护膜(70)；激光照射工序，沿着间隔道(ST)照射激光(LB)而将功能层(72)去除，并使基板(71)露出；保护膜检测工序，对激光照射后的晶片上的多个器件(DV)区域中的保护膜的包覆状态进行检测；保护膜再形成工序，当在器件区域中存在未包覆保护膜的部分的情况下，再次形成保护膜以便将各器件区域覆盖；等离子照射工序，对晶片进行等离子照射；以及分割工序，通过沿着间隔道的切削对晶片进行分割。
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公开(公告)号：CN107026122A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610827032.8
申请日：2016-09-14
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法。其包含：改质层形成工序，从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层；保护膜形成工序，在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护膜；分割工序，对实施了改质层形成工序和保护膜形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成一个个的器件，并且在相邻的器件与器件之间形成间隙；刻蚀工序，从实施了分割工序的晶片的保护膜侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改质层进行刻蚀从而去除；以及保护膜去除工序，对实施了刻蚀工序的器件提供水而将由水溶性树脂构成的保护膜去除。
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公开(公告)号：CN104934309A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510113149.5
申请日：2015-03-16
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/78 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/3043 , H01L21/6836 , H01L2221/68327
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够不使品质劣化地将在背面外周形成有环状凸部的晶片分割成一个个器件。本发明的加工方法用于分割晶片(W)，在该晶片(W)，通过仅对与器件形成区域(A1)对应的背面进行磨削，而在与包围器件形成区域的外周剩余区域(A2)对应的背面形成加强用的环状凸部(16)，该加工方法构成为，在使保护带(T1)粘贴于晶片的正面的状态下在晶片的环状凸部和凹部(15)的边界处形成分割槽(17)，对晶片的背面侧粘贴切割带(T2)，并从晶片的正面除去保护带和环状凸部，将晶片的器件形成区域分割成一个个器件(D)。
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公开(公告)号：CN117584039A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310973580.1
申请日：2023-08-03
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供卡盘工作台的制造方法，不分别单独地制造期望形状的多孔板，能够提高卡盘工作台的生产率。该卡盘工作台能够与至少两个面积或形状不同的被加工物对应地切换保持面的形状，其中，该卡盘工作台的制造方法包含如下的工序：多孔板粘接工序，以多孔板的上表面露出的状态使该多孔板收纳在框体的凹部中，并将该框体与该多孔板粘接；槽形成工序，在该多孔板中形成到达该凹部的底面的槽；以及树脂填充工序，使液态树脂填充于该槽并固化。
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公开(公告)号：CN109003942A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810562014.0
申请日：2018-06-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供器件芯片的制造方法，在制造在正面上形成有器件且在背面上形成有膜的器件芯片的情况下，确保不产生膜从芯片的剥离、芯片飞散、或由于芯片彼此的接触所导致的损伤等。该器件芯片的制造方法是在正面(Wa)上形成有器件(D)且在背面(Wb)上形成有金属膜的器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：晶片准备步骤，准备在正面(Wa)的由交叉的多条间隔道(S)划分的各区域中分别形成有器件(D)的晶片(W)；分割步骤，沿着间隔道(S)将晶片(W)分割成各个器件芯片；以及金属膜形成步骤，在已被分割成各个器件芯片的晶片(W)的背面(Wb)上形成金属膜(J)。
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