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公开(公告)号：CN1864270A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029528.6
申请日：2004-10-06
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明旨在提供一种可容易地制造的绝缘栅型半导体器件及其制造方法，同时实现较高的耐压设计和较低的接通电阻设计。所述半导体器件包括N+源极区31、N+漏极区11、P－体区41以及N－漂移区12。通过挖出所述半导体器件上部的部分区域，形成栅极沟槽21。所述栅极沟槽21包括栅电极22。P浮置区51设置在所述栅极沟槽21的下方。可形成与栅极沟槽21具有不同深度的另一沟槽25，P浮置区54设置在所述沟槽25的下方。
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公开(公告)号：CN1950948A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580015045.5
申请日：2005-05-11
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/7811
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅半导体器件，其在沟槽底部周围具有浮置区，且能够可靠地实现高耐压。绝缘栅半导体器件100包括电流流过的元件区域和围绕元件区域的终端区域。半导体器件100还包括在元件区域中的多个栅极沟槽21和在终端区域中的多个终端沟槽62。栅极沟槽21形成为条形，以及终端沟槽62形成为同心环形。在半导体器件100中，栅极沟槽21和终端沟槽62以使栅极沟槽21的端部和终端沟槽62的侧面之间的间隔均匀的方式设置。也就是说，根据终端沟槽62的拐角的曲率来调整栅极沟槽21的长度。
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公开(公告)号：CN100557819C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200480029528.6
申请日：2004-10-06
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明旨在提供一种可容易地制造的绝缘栅型半导体器件及其制造方法，同时实现较高的耐压设计和较低的接通电阻设计。所述半导体器件包括N+源极区31、N+漏极区11、P-体区41以及N-漂移区12。通过挖出所述半导体器件上部的部分区域，形成栅极沟槽21。所述栅极沟槽21包括栅电极22。P浮置区51设置在所述栅极沟槽21的下方。可形成与栅极沟槽21具有不同深度的另一沟槽25，P浮置区54设置在所述沟槽25的下方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100487916C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200580015045.5
申请日：2005-05-11
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/7811
Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅半导体器件，其在沟槽底部周围具有浮置区，且能够可靠地实现高耐压。绝缘栅半导体器件100包括电流流过的元件区域和围绕元件区域的终端区域。半导体器件100还包括在元件区域中的多个栅极沟槽21和在终端区域中的多个终端沟槽62。栅极沟槽21形成为条形，以及终端沟槽62形成为同心环形。在半导体器件100中，栅极沟槽21和终端沟槽62以使栅极沟槽21的端部和终端沟槽62的侧面之间的间隔均匀的方式设置。也就是说，根据终端沟槽62的拐角的曲率来调整栅极沟槽21的长度。
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公开(公告)号：CN101048874A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580036986.7
申请日：2005-09-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件(100)具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽(21)和P浮置区域(51)，并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽(62)和P浮置沟槽(53)。另外，三个接线沟槽(62)(接线沟槽621、622、623)中的接线沟槽(62)具有类似于栅极沟槽(21)的结构，并且其它接线沟槽填充有诸如氧化硅的绝缘物质。另外，P浮置区域(51)是从栅极沟槽(21)的底表面注入杂质而形成的区域，并且P浮置区域(53)是从接线沟槽(62)的底表面注入杂质而形成的区域。
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公开(公告)号：CN100477267C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580036986.7
申请日：2005-09-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件(100)具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽(21)和P浮置区域(51)，并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽(62)和P浮置沟槽(53)。另外，三个接线沟槽(62)(接线沟槽621、622、623)中的接线沟槽(62)具有类似于栅极沟槽(21)的结构，并且其它接线沟槽填充有诸如氧化硅的绝缘物质。另外，P浮置区域(51)是从栅极沟槽(21)的底表面注入杂质而形成的区域，并且P浮置区域(53)是从接线沟槽(62)的底表面注入杂质而形成的区域。
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公开(公告)号：CN101083420B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710106422.7
申请日：2007-05-29
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: F02M37/08 , F04D5/002 , F04D13/0633 , F04D13/064 , H02K3/51 , H02K5/12 , H02K13/003 , H02K15/12 , Y10T29/49011 , Y10T29/49012
Abstract: 一种燃料泵包括泵部分(12)用于泵送燃料。所述燃料泵还包括磁铁(40)，所述磁铁具有多个周向彼此交替布置的磁极。所述燃料泵还包括位于所述磁铁(40)径向内侧上的电枢(50)。所述电枢(50)包括设有由线材形成的线圈(60)的转子芯(52)。所述电枢(50)为了驱动泵部分(12)是可以旋转的。基本上为盘状的整流器(70)设置在所述电枢(50)的轴向端，用于调整供应给线圈(60)的电流。所述转子芯(52)具有含有外周的轴向端，所述周限定伸向整流器(70)的整流器侧轴环部分(57)。所述线圈(60)通过在所述整流器(70)的外周与整流器侧轴环部分(57)之间卷绕线材形成。
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公开(公告)号：CN101083420A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710106422.7
申请日：2007-05-29
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: F02M37/08 , F04D5/002 , F04D13/0633 , F04D13/064 , H02K3/51 , H02K5/12 , H02K13/003 , H02K15/12 , Y10T29/49011 , Y10T29/49012
Abstract: 一种燃料泵包括泵部分(12)用于泵送燃料。所述燃料泵还包括磁铁(40)，所述磁铁具有多个周向彼此交替布置的磁极。所述燃料泵还包括位于所述磁铁(40)径向内侧上的电枢(50)。所述电枢(50)包括设有由线材形成的线圈(60)的转子芯(52)。所述电枢(50)为了驱动泵部分(12)是可以旋转的。基本上为盘状的整流器(70)设置在所述电枢(50)的轴向端，用于调整供应给线圈(60)的电流。所述转子芯(52)具有含有外周的轴向端，所述周限定伸向整流器(70)的整流器侧轴环部分(57)。所述线圈(60)通过在所述整流器(70)的外周与整流器侧轴环部分(57)之间卷绕线材形成。
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