公开(公告)号：CN101313406B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200680043494.5

申请日：2006-11-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 森川贵博 ,  寺尾元康 ,  高浦则克 ,  黑土健三

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2463 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 在存储单元区域mmry形成以矩阵状配置多个存储元件R的存储单元阵列，所述存储元件R具有通过原子排列变化存储电阻值高的高电阻状态和电阻值低的低电阻状态的硫属元素化物材料存储层22，在逻辑电路区域lgc形成半导体集成电路，存储单元阵列和半导体集成电路混装在同一半导体衬底1上。该硫属元素化物材料存储层22由含有10.5原子％以上40原子％以下的Ga或In中的至少任意一种、和5原子％以上35原子％以下的Ge、和5原子％以上25原子％以下的Sb、和40原子％以上65原子％以下的Te的硫属元素化物材料构成。

公开(公告)号：CN101313406A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680043494.5

申请日：2006-11-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 森川贵博 ,  寺尾元康 ,  高浦则克 ,  黑土健三

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2463 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 在存储单元区域mmry形成以矩阵状配置多个存储元件R的存储单元阵列，所述存储元件R具有通过原子排列变化存储电阻值高的高电阻状态和电阻值低的低电阻状态的硫属元素化物材料存储层22，在逻辑电路区域lgc形成半导体集成电路，存储单元阵列和半导体集成电路混装在同一半导体衬底1上。该硫属元素化物材料存储层22由含有10.5原子％以上40原子％以下的Ga或In中的至少任意一种、和5原子％以上35原子％以下的Ge、和5原子％以上25原子％以下的Sb、和40原子％以上65原子％以下的Te的硫属元素化物材料构成。