公开(公告)号：CN101292299A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200580051863.0

申请日：2005-10-17

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 外村修 ,  高浦则克 ,  黑土健三 ,  松崎望

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/79

Abstract: 本发明提供如下的技术：在包括使用了相变材料的存储单元的半导体器件中，使控制写入速度的置位动作高速化。采用如下方案：将施加在相变材料上的置位脉冲电压取为2级，以第一级电压使相变材料的温度成为核生成最快的温度，以第二级脉冲使之成为结晶生长最快的温度，不溶化相变材料地使其固相生长。另外，采用如下方案：在相变材料上施加的2级脉冲电压由可降低漏极电流标准离差的施加在字线上的2级电压来控制。

公开(公告)号：CN1624803A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410098334.3

申请日：2004-12-03

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 黑土健三 ,  高浦则克 ,  外村修 ,  竹村理一郎 ,  寺尾元康 ,  松冈秀行

IPC: G11C13/00 ,  G11C17/00

CPC classification number: G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79

Abstract: 在非易失性相变存储器中，利用相变部的电阻变化来记录信息。如果使相变部发生焦耳热并保持为特定的温度，则成为低电阻状态，但如果此时使用恒定电压源，则由于在相变部的低电阻化的同时流过大电流，故试样被过热，成为高电阻状态。为此，难以稳定地进行相变部的低电阻化。解决方法是，控制存储单元选择用晶体管QM(MISFET)的栅电压，通过在成为低电阻状态时施加中间状态的电压来限制对试样施加的最大电流。