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公开(公告)号:CN103081099A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180041371.9
申请日:2011-08-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/34 , H01L23/3735 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/48101 , H01L2224/48157 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/09701 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及具备在动作时会发热的半导体元件和安装该半导体元件的基板的半导体装置,在该半导体装置中,能实现小型化且提高电流强度,并且能通过朝向基板的下表面来实现半导体元件的电连接。通过散热用基板(4)和布线用基板(5)来分担作为基板的功能,其中,该散热用基板(4)具有较高的导热率,且该散热用基板的两个主面(8,13)由电绝缘体来构成,在电绝缘体上形成有外部导体(14);该布线用基板(5)安装于该散热用基板(4)的上方主面(8)上,且该布线用基板(5)具有比散热用基板(4)低的导热率,在该布线用基板(5)的内部形成有布线导体(18),该布线导体(18)以银或铜为主要成分且与外部导体(14)电连接。在散热用基板(4)的上方主面(8)上、且在设于布线用基板(5)的通孔(6)内,安装半导体元件(2)。半导体元件(2)具有下表面电极(10),该下表面电极(10)经由外部导体(14)与布线导体(18)电连接。
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公开(公告)号:CN1816502A
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:CN200480018771.8
申请日:2004-09-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0306 , C03C3/15 , C03C10/00 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种能够与低熔点金属同时煅烧的即使在数十GHz的高频区域中也显示出优良的介电特性的陶瓷基板用组合物。陶瓷基板用组合物的特征是,将以aB2O3-bRe2O3-cZnO表示且其摩尔比(a、b、c)在三元组成图中处于由点A(0.4,0.595,0.005)、点B(0.4,0.25,0.35)、点C(0.52,0.01,0.47)、点D(0.9,0.005,0.095)及点E(0.9,0.09,0.01)包围的区域中的玻璃作为主成分。
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公开(公告)号:CN1795151A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200480014335.3
申请日:2004-05-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 高田隆裕
CPC classification number: C03C8/20 , C03C3/15 , C03C8/02 , C03C8/14 , C04B35/01 , C04B35/63 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3258 , C04B2235/3409 , C04B2235/656 , H05K1/0306
Abstract: 本发明提供一种陶瓷组合物,是在玻璃组合物中含有由Al2O3及TiO2的至少一方构成的填充物的陶瓷组合物,其特征是,陶瓷组合物的组成为:在将稀土类元素Ln的氧化物Ln2O3的摩尔量设为a,将氧化硼B2O3的摩尔量设为b,使a+b=1摩尔时,a为0.15~0.55摩尔,b为0.45~0.85摩尔,碱土类金属元素R的氧化物RO为0.01~0.2摩尔,填充物为0.1~0.4摩尔。
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公开(公告)号:CN115735420A
公开(公告)日:2023-03-03
申请号:CN202180046136.4
申请日:2021-06-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明的多层电路基板(1)具备:层叠多个由热塑性树脂构成的树脂层而成的树脂坯体(11)、设置于树脂坯体(11)的多个信号线(12a)和多个接地导体(12b)、以及连接信号线(12a)彼此或者接地导体(12b)彼此的导通导体(13a)和(13b)。接地导体(12b)包含一层或者两层以上的对置接地导体(12c),该对置接地导体设置于树脂坯体(11),使得在上述树脂层的层叠方向上与信号线(12a)对置,并且在从上述层叠方向俯视时与信号线(12a)重叠。至少一层对置接地导体(12c)由表面和侧面被导体层(14)覆盖的石墨片(15)构成。在从上述层叠方向俯视时,跨越刚性部(22)和挠性部(23)地配置有石墨片(15)。
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公开(公告)号:CN100351203C
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200480018771.8
申请日:2004-09-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0306 , C03C3/15 , C03C10/00 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种能够与低熔点金属同时烧制的即使在数十GHz的高频区域中也显示出优良的介电特性的陶瓷基板用组合物。陶瓷基板用组合物的特征是,将以aB2O3-bRe2O3-cZnO表示且其摩尔比(a、b、c)在三元组成图中处于由点A(0.4,0.595,0.005)、点B(0.4,0.25,0.35)、点C(0.52,0.01,0.47)、点D(0.9,0.005,0.095)及点E(0.9,0.09,0.01)包围的区域中的玻璃作为主成分。
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公开(公告)号:CN115735419A
公开(公告)日:2023-03-03
申请号:CN202180046129.4
申请日:2021-06-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H05K3/46
Abstract: 多层电路基板(1)具备:基板主体(10),包含层叠的多个绝缘体层(11);第一焊盘图案(20),为了安装无源部件(PC)而设置于基板主体(10);第二焊盘图案(30),为了安装有源部件(AC)而设置于基板主体(10);以及散热层(40),配置在绝缘体层(11)之间,并设置为沿着绝缘体层(11)的主面。散热层(40)具有在绝缘体层(11)的层叠方向贯通的孔(40a)。在从层叠方向俯视时,散热层(40)的孔(40a)的外缘与第一焊盘图案(20)相比位于外侧,或者处于与第一焊盘图案(20)重叠的位置。
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公开(公告)号:CN102822112B
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201180015855.6
申请日:2011-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/15 , B32B18/00 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2237/10 , C04B2237/341 , C04B2237/407 , C04B2237/56 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C24/082 , C23C28/04 , H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H05K1/053 , Y10T156/10 , Y10T428/2495 , Y10T428/265
Abstract: 在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中,提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板(14)的表面上层叠包含含有换算成BaO为10~40摩尔%的钡和换算成SiO2为40~80摩尔%的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层,从而制作生的层叠体,在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板(12)中的金属板(14)和低温烧结陶瓷层(15)之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1~5μm的玻璃层(22)。该玻璃层(22)显示良好的接合可靠性。
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公开(公告)号:CN102822112A
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN201180015855.6
申请日:2011-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L23/15 , B32B18/00 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2237/10 , C04B2237/341 , C04B2237/407 , C04B2237/56 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C24/082 , C23C28/04 , H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H05K1/053 , Y10T156/10 , Y10T428/2495 , Y10T428/265
Abstract: 在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中,提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板(14)的表面上层叠包含含有换算成BaO为10~40摩尔%的钡和换算成SiO2为40~80摩尔%的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层,从而制作生的层叠体,在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板(12)中的金属板(14)和低温烧结陶瓷层(15)之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1~5μm的玻璃层(22)。该玻璃层(22)显示良好的接合可靠性。
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公开(公告)号:CN100366577C
公开(公告)日:2008-02-06
申请号:CN200480014335.3
申请日:2004-05-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 高田隆裕
CPC classification number: C03C8/20 , C03C3/15 , C03C8/02 , C03C8/14 , C04B35/01 , C04B35/63 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3258 , C04B2235/3409 , C04B2235/656 , H05K1/0306
Abstract: 本发明提供一种陶瓷组合物,其含有玻璃组合物和由Al2O3及TiO2的至少一方构成的填充物,该玻璃组合物中含有稀土类元素Ln的氧化物Ln2O3、氧化硼B2O3和碱土类金属元素R的氧化物RO,其特征是,陶瓷组合物的组成为:在将稀土类元素Ln的氧化物Ln2O3的摩尔量设为a,将氧化硼B2O3的摩尔量设为b,使a+b=1摩尔时,a为0.15~0.55摩尔,b为0.45~0.85摩尔,碱土类金属元素R的氧化物RO为0.01~0.2摩尔,填充物为0.1~0.4摩尔。
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公开(公告)号:CN103241715B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201310047233.2
申请日:2013-02-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C01B13/11
CPC classification number: B01J19/087 , C01B13/11 , C01B2201/10 , C01B2201/22 , C01B2201/32 , C01B2201/62 , C01B2201/64
Abstract: 本发明公开一种能够抑制因保护层的劣化引起的臭氧的产生量的下降的臭氧产生元件及其制造方法。层叠体(12)将电介质层(18a~18e)层叠而构成。放电电极(14)设置在电介质层(18a)上。感应电极(16)通过设置在电介质层(18b)上而隔着电介质层(18a)与放电电极(14)对置。保护层(20)以覆盖放电电极(14)的方式设置在电介质层(18a)上,且由玻璃陶瓷构成。
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