多层电路基板以及电子部件安装多层基板

    公开(公告)号:CN115735419A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202180046129.4

    申请日:2021-06-07

    Abstract: 多层电路基板(1)具备:基板主体(10),包含层叠的多个绝缘体层(11);第一焊盘图案(20),为了安装无源部件(PC)而设置于基板主体(10);第二焊盘图案(30),为了安装有源部件(AC)而设置于基板主体(10);以及散热层(40),配置在绝缘体层(11)之间,并设置为沿着绝缘体层(11)的主面。散热层(40)具有在绝缘体层(11)的层叠方向贯通的孔(40a)。在从层叠方向俯视时,散热层(40)的孔(40a)的外缘与第一焊盘图案(20)相比位于外侧,或者处于与第一焊盘图案(20)重叠的位置。

    均热板
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110476033B

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN201880023013.7

    申请日:2018-04-26

    Abstract: 本发明提供均热板(1),具有:壳体(4),其由外缘部相互接合的对置的第1片材(2)和第2片材(3)构成;柱(5),其设置为在上述第1片材(2)和第2片材(3)之间从内侧对上述第1片材(2)和第2片材(3)进行支承;芯体(8),其配置于上述壳体内;以及工作液,其封入上述壳体内,上述第2片材(3)在其内表面具备多个凸部(7),上述凸部(7)在邻接的凸部(7)之间与上述芯体(8)一起形成第1流路(13),上述第2片材(3)、上述凸部(7)以及上述芯体(8)在末端区域处形成第2流路(14),上述第2流路的截面积大于上述第1流路的截面积。

    薄型散热板
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111023879A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911225706.7

    申请日:2015-10-23

    Abstract: 本发明提供一种片型热管和利用了该片型热管的薄型散热板,片型热管构成为具有片状容器、封入至容器内的芯、以及封入至容器内的工作液,片状容器由第一金属片和第二金属片构成,第一金属片和第二金属片在重叠的状态下使周边部紧贴,片状容器的厚度为0.5mm以下。

    芯片型电子部件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1303621C

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN03155709.0

    申请日:2003-08-29

    Abstract: 本发明提供一种芯片型电子部件,是一种在形成在陶瓷素体表面上的端子电极的表面上形成镀膜的芯片型电子部件,其特征在于:在所述陶瓷素体的表面上的至少在没有形成所述端子电极的部分形成玻璃层;在成为所述玻璃层的玻璃中含有从从Li、Na和K中选出的碱金属元素中的至少两种,并且所述碱金属元素的原子总量占除去所述玻璃的氧元素的原子总量中的20atom%以上。由此,在陶瓷素体的表面形成玻璃层时,可防止因玻璃层上的皲裂和割裂而造成的向陶瓷素体浸入镀液,并得到了充分的耐压。

    均热板
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110088556B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201880005148.0

    申请日:2018-04-26

    Abstract: 本发明是均热板,具有:壳体,其由外缘部接合起来的对置的第1片材和第2片材构成;柱,其在上述第1片材和第2片材之间从内侧对它们进行支承;以及工作液,其被封入于上述壳体内,上述第1片材和第2片材在接合部和距接合部最近的上述柱间之间不具有角度为90°以下的角部,均热板满足下述式1,式1:0.02≤b/a≤0.3[式中:a是从最外侧的柱的外缘起至第1片材与第2片材的接合部的内缘止的距离(mm),b是上述最外侧的柱的外缘处的第1片材与第2片材之间的距离(mm)]。

    均热板
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110088556A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201880005148.0

    申请日:2018-04-26

    Abstract: 本发明是均热板,具有:壳体,其由外缘部接合起来的对置的第1片材和第2片材构成;柱,其在上述第1片材和第2片材之间从内侧对它们进行支承;以及工作液,其被封入于上述壳体内,上述第1片材和第2片材在接合部和距接合部最近的上述柱间之间不具有角度为90°以下的角部,均热板满足下述式1,式1:0.02≤b/a≤0.3[式中:a是从最外侧的柱的外缘起至第1片材与第2片材的接合部的内缘止的距离(mm),b是上述最外侧的柱的外缘处的第1片材与第2片材之间的距离(mm)]。

    层叠型正特性热敏电阻
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101268528B

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN200680034323.6

    申请日:2006-09-20

    CPC classification number: H01C7/021 H01C7/025 H01C7/18

    Abstract: 本发明的层叠型正特性热敏电阻的半导体陶瓷层,以BaTiO3系陶瓷材料为主成分,Ba位点和Ti位点之比为0.998~1.006且包括从La、Ce、Pr、Nd以及Pm中选择的至少一种元素作为半导体化剂。该层叠型正特性热敏电阻的内部电极层的厚度d以及半导体陶瓷层的厚度D满足d≥0.6μm且d/D<0.2。从而,即使在实际测量烧结密度降低到理论烧结密度的65~95%这样的半导体陶瓷层的情况下,不采用热处理等烦杂的方法,也能实现室温电阻值随时间的变化率小的层叠型正特性热敏电阻。在半导体体化剂的含有量相对Ti100摩尔部为0.1~0.5摩尔部时,能进行1150℃的低温烧制,能够得到低的室温电阻值和足够大的电阻变化率。

    层叠型正特性热敏电阻
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101268527B

    公开(公告)日:2011-04-27

    申请号:CN200680034077.4

    申请日:2006-09-20

    CPC classification number: H01C7/021 H01C7/025 H01C7/18

    Abstract: 在本发明的层叠型正特性热敏电阻中,半导体陶瓷层以BaTiO3系陶瓷材料为主要成分,并且,Ba位点与Ti位点之比为0.998~1.006,作为半导体化剂而从Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho、Er、Tm选择的至少一种元素相对于Ti100摩尔部含有0.1摩尔部以上0.5摩尔部以下。由此,即便是在实测烧结密度为理论烧结密度的65%~90%等烧结密度低的半导体陶瓷层情况下,也能够实现具有充分大的电阻变化率、且居里点以上的温度下的电阻上升系数高的层叠型正特性热敏电阻。

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