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公开(公告)号:CN101561737B
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200910133593.8
申请日:2009-04-16
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: G06F3/044
Abstract: 本发明提供一种静电电容式触摸板,包括:基板;并排设置在基板上的多个第一电极;覆盖多个第一电极而形成的绝缘膜;在绝缘膜上与多个第一电极交叉而并排设置的多个第二电极;分别与多个第一电极连接并被引出至连接端子的多条第一引出布线;以及分别与多个第二电极连接并被引出至连接端子的多条第二引出布线,多条第一引出布线具有不同的布线长度,布线长度越短则布线宽度越宽,并且布线长度越长则与相邻的第一引出布线的间隔越大。根据本发明,能通过使检测灵敏度均匀而提高检测精度。
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公开(公告)号:CN101207164B
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN200710198851.1
申请日:2007-12-14
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L31/112 , H01L27/144 , G09G3/00 , G02F1/1362 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/1214 , G09G2360/14 , H01L31/1136
Abstract: 本发明提供一种高灵敏度的光传感元件和传感器驱动电路,其利用平面工艺仅用多晶材料在绝缘膜基板上形成。用多晶硅膜制作光传感元件和传感器驱动电路这两者,作为光传感元件,利用具有在绝缘性基板(10)上形成的第一电极(11)、受光区域(14)、第二电极和在受光区域(14)上形成的第三电极(13)的TFT而形成光电晶体管,在第三电极(13)下方的两侧的区域(15和16)或一侧的区域(15或16)中设置接近本征层的杂质层(活性杂质浓度在1017cm-3以下)。
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公开(公告)号:CN100347835C
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200410091294.X
申请日:2004-12-01
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/20 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02691 , B23K26/0738 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02678 , H01L21/02683 , H01L21/2026 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 在用光束整形器把由调制器调制过的激光整形成细长形的光束时,使光束整形器整形为细长形的光束沿扫描方向的尺寸为2~10μm、2~4μm更好,扫描速度为300~1000mm/s、500~1000mm/s更好,从而使激光能源利用效率高,而且能够不易对硅薄膜产生损伤。这样,就能够以高产量在扫描照射激光的基板上的规定区域内得到横方向生长结晶(带状结晶)的区域。
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公开(公告)号:CN1649089A
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN200410098554.6
申请日:2004-12-09
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/02691 , C30B1/06 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置,该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域,通过使激光或上述基板扫描进行激光照射,来形成结晶化了的大致带状晶体,使得晶粒在上述扫描方向上生长,以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴,以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴,在这样的XY坐标上,在条件1:上述光束尺寸W大于激光光束的波长,条件2:上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限,条件3:x×(1/y)<25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。
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公开(公告)号:CN100505315C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200710112587.5
申请日:2007-06-22
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L27/12 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/78612 , H01L27/12 , H01L29/42384
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管,消除在顶层栅极型薄膜晶体管的岛状半导体薄膜的端部发生的、由在硅薄膜端部处的栅极电场的集中和硅薄膜端部附近的固定电荷引起的阈值偏差而导致的电流成分。在岛状半导体薄膜(SEMI-I)的源极侧或漏极侧的某一单侧,使栅电极(GT)沿着该岛状半导体薄膜(SEMI-I)的轮廓不间断地延伸而设置分支闭路(DET),取消作为子沟道的岛状半导体薄膜(SEMI-I)的端部的电流成分路径。
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公开(公告)号:CN101226311A
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200710300421.6
申请日:2007-12-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种可以提高像素的开口率的显示装置。在基板上的像素区域内,依次层叠有透明氧化物层、绝缘膜和导电层,上述导电层具有与栅极信号线连接的薄膜晶体管的栅电极,上述透明氧化物层的至少使除了上述栅电极的正下方的沟道区域部以外的其他区域被导体化,且在该被导体化了的部分构成有源极信号线、与该源极信号线连接的上述薄膜晶体管的源极区域部、像素电极、以及与该像素电极连接的上述薄膜晶体管的漏极区域部。
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公开(公告)号:CN101038735A
公开(公告)日:2007-09-19
申请号:CN200710004229.2
申请日:2007-01-18
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: G06F3/147 , G09G3/2096 , G09G5/397 , G09G2300/0857 , G09G2310/0275 , G09G2310/0289 , G09G2360/18 , G09G2370/16
Abstract: 本发明提供一种具有显示图像数据的功能的信息终端。由天线(6)接收从位于信息终端(1)外部的主装置输出的电磁波,通过检波电路(7)转换为二值化信号。通过由该检波电路(7)得到的信号,电源电路(10)产生驱动处理器(8)、存储器(9)、显示部(2)、数据布线驱动电路(3)、扫描布线驱动电路(4)以及时序控制器(5)的电力。处理器(8)对检波电路(7)接收到的信号进行译码,将接收到的信息存储到存储器(9)。时序控制器(5),根据由检波电路(7)二值化后的信号生成数据布线驱动电路(3)的控制信号、扫描布线驱动电路(4)的控制信号以及图像数据,并在显示部(2)显示图像。
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公开(公告)号:CN1573436A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410003629.8
申请日:2004-02-04
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: H01L27/1296 , G02F1/13624 , G02F1/136277 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明的课题是实现构成驱动以矩阵状配置的像素部用的驱动电路的薄膜晶体管的高速化。在玻璃基板SUB上的显示区域DSP中以矩阵状配置多个像素PXL,在该显示区域DSP的周边配置由漏移位寄存器DSR、数模变换器DAC、漏电平移动器DLS、缓冲器BF、取样开关SSW构成的漏侧像素驱动电路、由栅移位寄存器GSR、栅电平移动器GLS等构成的栅侧像素驱动电路和各种电路。在每个电路中使构成这些像素驱动电路的高速工作所必要的电路区域SX的薄膜晶体管的电流迁移率最佳化,使多个布局和配置结构最佳化,在各电路中满足特有的规格。
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公开(公告)号:CN1480780A
公开(公告)日:2004-03-10
申请号:CN03150070.6
申请日:2003-07-31
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/136 , G02F1/1341 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02683 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 本发明涉及面板型的显示装置。本发明可提供在显示区域外的绝缘基板上具有稳定而且高品质的有源元件的显示装置。它是在绝缘基板上形成的显示区域的外侧、用于驱动显示区域所形成的驱动电路的区域的非晶质半导体膜(非晶硅膜)上一边进行扫描、一边使聚光成线状或矩形状(带状)的连续振荡的激光开通或断开。借此,利用聚集的连续振荡的激光对做成驱动电路的区域的非晶质半导体膜进行退火,从而可将在该区域形成有源元件时的有源元件激活层改质为包含不具有横穿电流流动方向的晶粒边界的晶粒的带状多晶硅膜。
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公开(公告)号:CN101345218B
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200810130304.4
申请日:2008-07-04
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/136 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/133305 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的课题在于提供一种采用转印方式在树脂基板上形成TFT的方法,所述方法不需降低操作温度,可以使用现有的生产线,同时能够抑制成本。本发明涉及一种半导体装置的制造方法,所述半导体装置的制造方法包含如下工序:在支承基板的上层形成树脂膜(a)的工序、在树脂膜(a)的上层形成半导体元件的工序、和从形成有半导体元件的树脂膜(a)上剥离支承基板的工序,其中,树脂膜(a)的膜厚为1μm以上30μm以下,波长400nm以上800nm以下的可见光的透过率为80%以上,重量减少3%的温度为300℃以上,熔点为280℃以上。
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