公开(公告)号：CN102809812A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210178442.6

申请日：2012-06-01

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 新田秀和 ,  大仓理 ,  海东拓生 ,  松本克巳

IPC: G02B26/02 ,  G09G3/34

CPC classification number: G02B26/085 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/045 ,  B81C2201/0167

Abstract: 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法。在可动快门方式的显示器中，使用低残留应力的稳定的非晶硅膜形成可动快门。显示装置中，具有包括第一基板和第二基板的显示面板，上述显示面板具有多个像素，上述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动上述可动快门的驱动电路，上述可动快门的上述非晶硅由至少2个非晶硅膜构成，当令上述至少2个非晶硅膜中彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，上述第一非晶硅膜与上述第二非晶硅膜的特性值不同。

公开(公告)号：CN1574196A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200310124570.3

申请日：2003-12-30

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立显示器

Inventor： 佐藤健史 ,  武田一男 ,  斋藤雅和 ,  后藤順 ,  大仓理

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明提供了一种用并不昂贵的装置以高吞吐量制造高性能有源矩阵衬底的方法，和使用所述有源矩阵衬底的图象显示设备。在导轨上沿着短轴方向X和长轴方向Y移动的平台上携带有玻璃衬底，其形成有无定形硅半导体膜。通过用沿着激光束的长轴方向Y具有周期性的相移掩模将脉冲激光束强度调制成线束形，同时沿着在玻璃衬底上形成的无定形硅半导体膜的调制方向任意地移动激光束进行曝光从而对膜进行结晶，可以获得多晶化的大晶粒硅膜。图象显示设备可以结合具有有源元件，例如用所述硅膜形成的薄膜晶体管的有源矩阵衬底。

公开(公告)号：CN1480780A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03150070.6

申请日：2003-07-31

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 本乡干雄 ,  宇都幸雄 ,  野本峰生 ,  中田俊彦 ,  波多野睦子 ,  山口伸也 ,  大仓理

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1341 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明涉及面板型的显示装置。本发明可提供在显示区域外的绝缘基板上具有稳定而且高品质的有源元件的显示装置。它是在绝缘基板上形成的显示区域的外侧、用于驱动显示区域所形成的驱动电路的区域的非晶质半导体膜(非晶硅膜)上一边进行扫描、一边使聚光成线状或矩形状(带状)的连续振荡的激光开通或断开。借此，利用聚集的连续振荡的激光对做成驱动电路的区域的非晶质半导体膜进行退火，从而可将在该区域形成有源元件时的有源元件激活层改质为包含不具有横穿电流流动方向的晶粒边界的晶粒的带状多晶硅膜。

公开(公告)号：CN1523412A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410004414.8

申请日：2004-02-19

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 贺茂尚广 ,  糸贺敏彦 ,  海东拓生 ,  大仓理

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。

公开(公告)号：CN100552749C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200410056323.9

申请日：2004-08-06

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 矢崎秋夫 ,  本乡幹雄 ,  波多野睦子 ,  齐藤裕 ,  大仓理

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G02F1/136 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0652 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/0732 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种显示屏的制造方法及显示屏。在该显示屏的制造方法中，将连续振荡(CW)固体激光聚光为线状并在聚光的宽度方向S上以一定的速度扫描的同时对大尺寸绝缘基板上将成为各单个显示屏的非晶态硅膜进行照射。此时，对连续振荡激光进行时间调制，以变为规定的结晶状态的功率密度对同一绝缘基板内的像素部、外围电路部进行照射，使其改性成为与作入到像素部、外围电路部的薄膜晶体管电路的必需性能相应的结晶状态的硅膜。这样一来，结果就可以在维持像素部或外围电路部所必需的具有最优结晶状态的薄膜晶体管电路的大生产率原样不变的同时，实现廉价提供具有作为显示屏的良好显示特性的产品。

公开(公告)号：CN100483609C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200310124570.3

申请日：2003-12-30

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 佐藤健史 ,  武田一男 ,  斋藤雅和 ,  后藤順 ,  大仓理

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明提供了一种用并不昂贵的装置以高吞吐量制造高性能有源矩阵衬底的方法，和使用所述有源矩阵衬底的图象显示设备。在导轨上沿着短轴方向X和长轴方向Y移动的平台上携带有玻璃衬底，其形成有无定形硅半导体膜。通过用沿着激光束的长轴方向Y具有周期性的相移掩模将脉冲激光束强度调制成线束形，同时沿着在玻璃衬底上形成的无定形硅半导体膜的调制方向任意地移动激光束进行曝光从而对膜进行结晶，可以获得多晶化的大晶粒硅膜。图象显示设备可以结合具有有源元件，例如用所述硅膜形成的薄膜晶体管的有源矩阵衬底。

公开(公告)号：CN100422798C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410004414.8

申请日：2004-02-19

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 贺茂尚广 ,  糸贺敏彦 ,  海东拓生 ,  大仓理

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。

公开(公告)号：CN100347819C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN03150070.6

申请日：2003-07-31

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 本乡干雄 ,  宇都幸雄 ,  野本峰生 ,  中田俊彦 ,  波多野睦子 ,  山口伸也 ,  大仓理

IPC: H01L21/20 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明涉及面板型的显示装置。本发明可提供在显示区域外的绝缘基板上具有稳定而且高品质的有源元件的显示装置。它是在绝缘基板上形成的显示区域的外侧、用于驱动显示区域所形成的驱动电路的区域的非晶质半导体膜(非晶硅膜)上一边进行扫描、一边使聚光成线状或矩形状(带状)的连续振荡的激光开通或断开。借此，利用聚集的连续振荡的激光对做成驱动电路的区域的非晶质半导体膜进行退火，从而可将在该区域形成有源元件时的有源元件激活层改质为包含不具有横穿电流流动方向的晶粒边界的晶粒的带状多晶硅膜。

公开(公告)号：CN1601579A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410056323.9

申请日：2004-08-06

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 矢崎秋夫 ,  本乡幹雄 ,  波多野睦子 ,  齐藤裕 ,  大仓理

IPC: G09F9/30 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G02F1/136 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/032 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0652 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/0732 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种显示屏的制造方法及显示屏。在该显示屏的制造方法中，将连续振荡(CW)固体激光聚光为线状并在聚光的宽度方向S上以一定的速度扫描的同时对大尺寸绝缘基板上将成为各单个显示屏的非晶态硅膜进行照射。此时，对连续振荡激光进行时间调制，以变为规定的结晶状态的功率密度对同一绝缘基板内的像素部、外围电路部进行照射，使其改性成为与作入到像素部、外围电路部的薄膜晶体管电路的必需性能相应的结晶状态的硅膜。这样一来，结果就可以在维持像素部或外围电路部所必需的具有最优结晶状态的薄膜晶体管电路的大生产率原样不变的同时，实现廉价提供具有作为显示屏的良好显示特性的产品。