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公开(公告)号：CN100347819C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN03150070.6
申请日：2003-07-31
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/02683 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 本发明涉及面板型的显示装置。本发明可提供在显示区域外的绝缘基板上具有稳定而且高品质的有源元件的显示装置。它是在绝缘基板上形成的显示区域的外侧、用于驱动显示区域所形成的驱动电路的区域的非晶质半导体膜(非晶硅膜)上一边进行扫描、一边使聚光成线状或矩形状(带状)的连续振荡的激光开通或断开。借此，利用聚集的连续振荡的激光对做成驱动电路的区域的非晶质半导体膜进行退火，从而可将在该区域形成有源元件时的有源元件激活层改质为包含不具有横穿电流流动方向的晶粒边界的晶粒的带状多晶硅膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1480780A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03150070.6
申请日：2003-07-31
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/136 , G02F1/1341 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02683 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 本发明涉及面板型的显示装置。本发明可提供在显示区域外的绝缘基板上具有稳定而且高品质的有源元件的显示装置。它是在绝缘基板上形成的显示区域的外侧、用于驱动显示区域所形成的驱动电路的区域的非晶质半导体膜(非晶硅膜)上一边进行扫描、一边使聚光成线状或矩形状(带状)的连续振荡的激光开通或断开。借此，利用聚集的连续振荡的激光对做成驱动电路的区域的非晶质半导体膜进行退火，从而可将在该区域形成有源元件时的有源元件激活层改质为包含不具有横穿电流流动方向的晶粒边界的晶粒的带状多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN100347835C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410091294.X
申请日：2004-12-01
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/20 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02691 , B23K26/0738 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02678 , H01L21/02683 , H01L21/2026 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 在用光束整形器把由调制器调制过的激光整形成细长形的光束时，使光束整形器整形为细长形的光束沿扫描方向的尺寸为2～10μm、2～4μm更好，扫描速度为300～1000mm/s、500～1000mm/s更好，从而使激光能源利用效率高，而且能够不易对硅薄膜产生损伤。这样，就能够以高产量在扫描照射激光的基板上的规定区域内得到横方向生长结晶(带状结晶)的区域。
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公开(公告)号：CN1649089A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410098554.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/02691 , C30B1/06 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置，该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域，通过使激光或上述基板扫描进行激光照射，来形成结晶化了的大致带状晶体，使得晶粒在上述扫描方向上生长，以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴，以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴，在这样的XY坐标上，在条件1：上述光束尺寸W大于激光光束的波长，条件2：上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限，条件3：x×(1/y)＜25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN100444321C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410098554.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/02691 , C30B1/06 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置，该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域，通过使激光或上述基板扫描进行激光照射，来形成结晶化了的大致带状晶体，使得晶粒在上述扫描方向上生长，以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴，以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴，在这样的XY坐标上，在条件1：上述光束尺寸W大于激光光束的波长，条件2：上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限，条件3：x×(1/y)＜25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN1649109A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410091294.X
申请日：2004-12-01
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/20 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02691 , B23K26/0738 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02678 , H01L21/02683 , H01L21/2026 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 在用光束整形器把由调制器调制过的激光整形成细长形的光束时，使光束整形器整形为细长形的光束沿扫描方向的尺寸为2～10μm、2～4μm更好，扫描速度为300～1000mm/s、500～1000mm/s更好，从而使激光能源利用效率高，而且能够不易对硅薄膜产生损伤。这样，就能够以高产量在扫描照射激光的基板上的规定区域内得到横方向生长结晶(带状结晶)的区域。
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