公开(公告)号：CN101540332B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910126586.5

申请日：2009-03-16

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 野田刚史 ,  海东拓生 ,  三宅秀和 ,  贺茂尚广

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。该显示装置具有薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板是在绝缘基板的表面配置了具有非晶半导体的有源层的多个第一薄膜晶体管元件和具有多晶半导体有源层的多个第二薄膜晶体管元件，其中，上述第一薄膜晶体管元件和上述第二薄膜晶体管元件分别是在上述绝缘基板的表面上依次层叠了栅电极、栅极绝缘膜和上述有源层而成的反交错结构，而且，上述有源层之上具有经由接触层而与上述有源层连接的源电极和漏电极，上述第二薄膜晶体管元件的上述有源层的层叠了上述接触层的位置处的膜厚小于60nm。

公开(公告)号：CN101726899B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910208124.8

申请日：2009-10-28

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 野田刚史 ,  宫沢敏夫 ,  海东拓生 ,  阿部裕行

IPC: G02F1/133 ,  H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78645 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 提供一种显示装置，在串联设置了多个在光源侧具有栅电极膜的TFT时，能够抑制光泄漏电流的产生，且还能抑制电容增加。为此，通过针对有多个的TFT的至少一部分，使半导体膜与栅电极膜相对置的面积相对于沟道区的相对面积不同，提供抑制光泄漏电流的产生，且抑制电容增加的结构的平面显示器。

公开(公告)号：CN100343951C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200410098335.8

申请日：2004-12-03

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 矢崎秋夫 ,  本乡幹雄 ,  波多野睦子 ,  野田刚史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/073 ,  B23K26/702 ,  H01L27/14625

Abstract: 提供一种平面显示装置的制造装置。设有一直测定激光的空间强度分布及光轴的偏移的机构，入射到激光整形光学元件上的入射激光偏离了规定的条件时，对测定的信号进行处理，根据该处理结果，利用配置在光轴上的被插入构成光束放大器的透镜的焦点位置的空间滤波器，使入射到激光整形光学元件上的激光的光束形状、光束直径、入射位置一直保持预定的条件。因此，能在构成平面显示装置的显示面板的绝缘基板上，以高合格率稳定地形成有均匀的结晶性的硅薄膜。

公开(公告)号：CN101644865B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200910165701.X

申请日：2009-08-06

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 野田刚史 ,  宫泽敏夫 ,  海东拓生 ,  紫垣匠

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/13624 ,  G02F2202/104

Abstract: 本发明提供一种可以减小降低了截止电流的薄膜晶体管的尺寸的显示装置。本发明提供一种在基板中形成有薄膜晶体管的显示装置，其中，薄膜晶体管被形成为相对于其半导体层隔着栅绝缘膜配置有栅电极、并由以其半导体层的被划分开的各区域作为各自的半导体层的至少第一和第二薄膜晶体管构成，在半导体层中，具备兼作第一薄膜晶体管的漏区和源区的一方以及第二薄膜晶体管的漏区和源区的另一方的公共区，在第一和第二薄膜晶体管各自的半导体层中，在沟道区与漏区之间、及沟道区与源区之间，分别具备掺杂浓度比漏区和源区低的LDD区，栅电极被形成为跨越半导体层的公共区、并至少与第一薄膜晶体管的沟道区和各LDD区、及第二薄膜晶体管的沟道区和各LDD区对置。

公开(公告)号：CN1649082A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410098335.8

申请日：2004-12-03

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 矢崎秋夫 ,  本乡幹雄 ,  波多野睦子 ,  野田刚史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/073 ,  B23K26/702 ,  H01L27/14625

Abstract: 提供一种平面显示装置的制造装置。设有一直测定激光的空间强度分布及光轴的偏移的机构，入射到激光整形光学元件上的入射激光偏离了规定的条件时，对测定的信号进行处理，根据该处理结果，利用配置在光轴上的被插入构成光束放大器的透镜的焦点位置的空间滤波器，使入射到激光整形光学元件上的激光的光束形状、光束直径、入射位置一直保持预定的条件。因此，能在构成平面显示装置的显示面板的绝缘基板上，以高合格率稳定地形成有均匀的结晶性的硅薄膜。

公开(公告)号：CN101726899A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910208124.8

申请日：2009-10-28

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 野田刚史 ,  宫沢敏夫 ,  海东拓生 ,  阿部裕行

IPC: G02F1/133 ,  H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78645 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 提供一种显示装置，在串联设置了多个在光源侧具有栅电极膜的TFT时，能够抑制光泄漏电流的产生，且还能抑制电容增加。为此，通过针对有多个的TFT的至少一部分，使半导体膜与栅电极膜相对置的面积相对于沟道区的相对面积不同，提供抑制光泄漏电流的产生，且抑制电容增加的结构的平面显示器。

公开(公告)号：CN101329486A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810109780.8

申请日：2008-06-17

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  海东拓生 ,  野田刚史 ,  宫泽敏夫

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供一种显示装置，该显示装置在基板上具有薄膜晶体管，上述薄膜晶体管包括：与栅极信号线连接的栅电极；隔着绝缘膜跨上述栅电极而形成的半导体层；与漏极信号线连接而形成在上述半导体层上的漏电极；以及与上述漏电极相对而形成在上述半导体层的源电极，平面观察时，上述漏电极的与源电极面对的边不与上述栅电极重叠而形成，上述源电极的与漏电极面对的边不与上述栅电极重叠而形成。该显示装置虽然结构极为简单，但具备实现截止电流减少的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101183679A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710185194.7

申请日：2007-11-12

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 野田刚史 ,  贺茂尚广 ,  新本秀明

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种显示装置，形成在基板的第一区域的第一MIS晶体管和形成在与所述第一区域不同的第二区域的第二MIS晶体管分别在所述基板和所述半导体层之间具有栅电极，所述第一MIS晶体管的所述半导体层只由非晶半导体构成，所述第二MIS晶体管的所述半导体层包括多晶半导体，所述第二MIS晶体管的栅电极比所述第一MIS晶体管的栅电极薄。在形成有半导体层为非晶半导体的MIS晶体管和半导体层包括多晶半导体的MIS晶体管的显示装置中，在各MIS晶体管采用底栅结构时，能使由多晶半导体构成的半导体层的结晶性良好。

公开(公告)号：CN100347835C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200410091294.X

申请日：2004-12-01

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 本乡干雄 ,  矢崎秋夫 ,  波多野睦子 ,  野田刚史 ,  高崎幸男

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  H01L21/20 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02691 ,  B23K26/0738 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 在用光束整形器把由调制器调制过的激光整形成细长形的光束时，使光束整形器整形为细长形的光束沿扫描方向的尺寸为2～10μm、2～4μm更好，扫描速度为300～1000mm/s、500～1000mm/s更好，从而使激光能源利用效率高，而且能够不易对硅薄膜产生损伤。这样，就能够以高产量在扫描照射激光的基板上的规定区域内得到横方向生长结晶(带状结晶)的区域。

公开(公告)号：CN1649089A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410098554.6

申请日：2004-12-09

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 波多野睦子 ,  本乡干雄 ,  矢崎秋夫 ,  田井光春 ,  野田刚史 ,  高崎幸男

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133 ,  G09F9/30 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L21/02691 ,  C30B1/06 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置，该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域，通过使激光或上述基板扫描进行激光照射，来形成结晶化了的大致带状晶体，使得晶粒在上述扫描方向上生长，以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴，以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴，在这样的XY坐标上，在条件1：上述光束尺寸W大于激光光束的波长，条件2：上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限，条件3：x×(1/y)＜25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。