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公开(公告)号：CN100444321C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410098554.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/02691 , C30B1/06 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置，该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域，通过使激光或上述基板扫描进行激光照射，来形成结晶化了的大致带状晶体，使得晶粒在上述扫描方向上生长，以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴，以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴，在这样的XY坐标上，在条件1：上述光束尺寸W大于激光光束的波长，条件2：上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限，条件3：x×(1/y)＜25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN1649109A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410091294.X
申请日：2004-12-01
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/20 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02691 , B23K26/0738 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02678 , H01L21/02683 , H01L21/2026 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 在用光束整形器把由调制器调制过的激光整形成细长形的光束时，使光束整形器整形为细长形的光束沿扫描方向的尺寸为2～10μm、2～4μm更好，扫描速度为300～1000mm/s、500～1000mm/s更好，从而使激光能源利用效率高，而且能够不易对硅薄膜产生损伤。这样，就能够以高产量在扫描照射激光的基板上的规定区域内得到横方向生长结晶(带状结晶)的区域。
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公开(公告)号：CN1649081A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410097883.9
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/477 , B23K26/00
Abstract: 提供一种激光退火方法及激光退火装置。借助插入到光束整形器和基板之间的转像器的以光轴为中心的转动，将利用调制器进行时间调制、利用光束整形器整形为细长形状的光束的激光的纵向方向围绕光轴转动，在对基板上的多个方向进行退火时，使整形为细长形状的激光在基板上转动，承载基板的基座只在XY两个方向上移动。由此，就可以将进行过时间调制，并且整形为细长形状的连续振荡的激光，在不使基板转动的情况下进行高速扫描对半导体薄膜进行退火。
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公开(公告)号：CN100347835C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410091294.X
申请日：2004-12-01
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , H01L21/20 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02691 , B23K26/0738 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02678 , H01L21/02683 , H01L21/2026 , H01L29/04 , H01L29/78675
Abstract: 在用光束整形器把由调制器调制过的激光整形成细长形的光束时，使光束整形器整形为细长形的光束沿扫描方向的尺寸为2～10μm、2～4μm更好，扫描速度为300～1000mm/s、500～1000mm/s更好，从而使激光能源利用效率高，而且能够不易对硅薄膜产生损伤。这样，就能够以高产量在扫描照射激光的基板上的规定区域内得到横方向生长结晶(带状结晶)的区域。
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公开(公告)号：CN1649089A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410098554.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/02691 , C30B1/06 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置，该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域，通过使激光或上述基板扫描进行激光照射，来形成结晶化了的大致带状晶体，使得晶粒在上述扫描方向上生长，以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴，以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴，在这样的XY坐标上，在条件1：上述光束尺寸W大于激光光束的波长，条件2：上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限，条件3：x×(1/y)＜25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100552749C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200410056323.9
申请日：2004-08-06
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/032 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0652 , B23K26/066 , B23K26/0665 , B23K26/0732 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种显示屏的制造方法及显示屏。在该显示屏的制造方法中，将连续振荡(CW)固体激光聚光为线状并在聚光的宽度方向S上以一定的速度扫描的同时对大尺寸绝缘基板上将成为各单个显示屏的非晶态硅膜进行照射。此时，对连续振荡激光进行时间调制，以变为规定的结晶状态的功率密度对同一绝缘基板内的像素部、外围电路部进行照射，使其改性成为与作入到像素部、外围电路部的薄膜晶体管电路的必需性能相应的结晶状态的硅膜。这样一来，结果就可以在维持像素部或外围电路部所必需的具有最优结晶状态的薄膜晶体管电路的大生产率原样不变的同时，实现廉价提供具有作为显示屏的良好显示特性的产品。
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公开(公告)号：CN1649082A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410098335.8
申请日：2004-12-03
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , G02F1/136 , G09G3/36 , G09G3/38 , B23K26/00
CPC classification number: B23K26/073 , B23K26/702 , H01L27/14625
Abstract: 提供一种平面显示装置的制造装置。设有一直测定激光的空间强度分布及光轴的偏移的机构，入射到激光整形光学元件上的入射激光偏离了规定的条件时，对测定的信号进行处理，根据该处理结果，利用配置在光轴上的被插入构成光束放大器的透镜的焦点位置的空间滤波器，使入射到激光整形光学元件上的激光的光束形状、光束直径、入射位置一直保持预定的条件。因此，能在构成平面显示装置的显示面板的绝缘基板上，以高合格率稳定地形成有均匀的结晶性的硅薄膜。
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公开(公告)号：CN1601579A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410056323.9
申请日：2004-08-06
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/032 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0652 , B23K26/066 , B23K26/0665 , B23K26/0732 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种显示屏的制造方法及显示屏。在该显示屏的制造方法中，将连续振荡(CW)固体激光聚光为线状并在聚光的宽度方向S上以一定的速度扫描的同时对大尺寸绝缘基板上将成为各单个显示屏的非晶态硅膜进行照射。此时，对连续振荡激光进行时间调制，以变为规定的结晶状态的功率密度对同一绝缘基板内的像素部、外围电路部进行照射，使其改性成为与作入到像素部、外围电路部的薄膜晶体管电路的必需性能相应的结晶状态的硅膜。这样一来，结果就可以在维持像素部或外围电路部所必需的具有最优结晶状态的薄膜晶体管电路的大生产率原样不变的同时，实现廉价提供具有作为显示屏的良好显示特性的产品。
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公开(公告)号：CN100347814C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410097883.9
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/477 , B23K26/00
Abstract: 提供一种激光退火方法及激光退火装置。借助插入到光束整形器和基板之间的转像器的以光轴为中心的转动，将利用调制器进行时间调制、利用光束整形器整形为细长形状的光束的激光的纵向方向围绕光轴转动，在对基板上的多个方向进行退火时，使整形为细长形状的激光在基板上转动，承载基板的基座只在XY两个方向上移动。由此，就可以将进行过时间调制，并且整形为细长形状的连续振荡的激光，在不使基板转动的情况下进行高速扫描对半导体薄膜进行退火。
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公开(公告)号：CN100343951C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200410098335.8
申请日：2004-12-03
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , G02F1/136 , G09G3/36 , G09G3/38 , B23K26/00
CPC classification number: B23K26/073 , B23K26/702 , H01L27/14625
Abstract: 提供一种平面显示装置的制造装置。设有一直测定激光的空间强度分布及光轴的偏移的机构，入射到激光整形光学元件上的入射激光偏离了规定的条件时，对测定的信号进行处理，根据该处理结果，利用配置在光轴上的被插入构成光束放大器的透镜的焦点位置的空间滤波器，使入射到激光整形光学元件上的激光的光束形状、光束直径、入射位置一直保持预定的条件。因此，能在构成平面显示装置的显示面板的绝缘基板上，以高合格率稳定地形成有均匀的结晶性的硅薄膜。
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