公开(公告)号：CN101329485B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810108196.0

申请日：2008-05-30

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 松村三江子 ,  宫泽敏夫 ,  佐藤健史 ,  丰田善章

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。在TFT衬底SUB上形成与该衬底的表面平行层叠的第一透明电极(PSL1)、第二透明电极(PSL2)和第三透明电极(PSL3)这三个层，在第一透明电极(PSL1)与第二透明电极(PSL2)之间、第二透明电极(PSL2)与第三透明电极(PSL3)之间，形成2个液晶电容的辅助电容。该液晶显示装置能够针对由高精细化导致的像素电极的面积降低而形成充分的辅助电容。

公开(公告)号：CN101226311A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710300421.6

申请日：2007-12-27

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 河村哲史 ,  佐藤健史 ,  波多野睦子 ,  丰田善章

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种可以提高像素的开口率的显示装置。在基板上的像素区域内，依次层叠有透明氧化物层、绝缘膜和导电层，上述导电层具有与栅极信号线连接的薄膜晶体管的栅电极，上述透明氧化物层的至少使除了上述栅电极的正下方的沟道区域部以外的其他区域被导体化，且在该被导体化了的部分构成有源极信号线、与该源极信号线连接的上述薄膜晶体管的源极区域部、像素电极、以及与该像素电极连接的上述薄膜晶体管的漏极区域部。

公开(公告)号：CN101800229B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010125750.3

申请日：2010-02-09

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 丰田善章 ,  松村三江子 ,  若木政利

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/528 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供一种显示装置，在形成有显示部的基板上形成有多个薄膜晶体管，上述薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖上述栅电极而形成的栅极绝缘膜；形成在上述栅极绝缘膜的上表面，且当俯视观察时在上述栅电极的形成区域内形成有开口的层间绝缘膜；隔着上述开口而配置在上述层间绝缘膜的上表面的一对高浓度半导体膜；跨上述层间绝缘膜的上述开口而形成，且当俯视观察时形成在上述栅电极的形成区域内，并且与上述一对高浓度半导体膜电连接的多晶半导体层；以及分别与上述一对高浓度半导体膜重叠且不与上述多晶半导体层重叠而形成的一对电极。能降低截止电流并且降低截止漏电流，不增加制造工时而实现电路的集成化。

公开(公告)号：CN101165907A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710166857.0

申请日：2007-10-22

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 松村三江子 ,  丰田善章 ,  佐藤健史 ,  波多野睦子

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/41733 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种图像显示装置及其制造方法，通过做成具有能够削减注入和光刻的工序数的结构的薄膜晶体管，缩短了制造所花费的时间。栅极电极(GT)具有薄的下层金属(GMB)与上层金属(GMT)的层叠结构，保持电容(Cst)部分的上层电极取为仅有下层金属(GMB)。而且，使保持电容(Cst)的下部电极用注入通过薄的下层金属(GMB)与源极/漏极的注入同时进行。(PMOSTFT)的栅极电极也取为仅有下层金属(GMB)，利用相同的抗蚀剂进行源极/漏极的注入和阈值调整注入。通过将薄膜晶体管和保持电容取为这样的结构，能够削减1个光刻工序和1个注入工序，能以更短的时间、更低廉的价格获得用于图像显示装置的有源矩阵基板。

公开(公告)号：CN100592524C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200710166857.0

申请日：2007-10-22

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 松村三江子 ,  丰田善章 ,  佐藤健史 ,  波多野睦子

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/41733 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种图像显示装置及其制造方法，通过做成具有能够削减注入和光刻的工序数的结构的薄膜晶体管，缩短了制造所花费的时间。栅极电极(GT)具有薄的下层金属(GMB)与上层金属(GMT)的层叠结构，保持电容(Cst)部分的上层电极取为仅有下层金属(GMB)。而且，使保持电容(Cst)的下部电极用注入通过薄的下层金属(GMB)与源极/漏极的注入同时进行。(PMOSTFT)的栅极电极也取为仅有下层金属(GMB)，利用相同的抗蚀剂进行源极/漏极的注入和阈值调整注入。通过将薄膜晶体管和保持电容取为这样的结构，能够削减1个光刻工序和1个注入工序，能以更短的时间、更低廉的价格获得用于图像显示装置的有源矩阵基板。

公开(公告)号：CN100543536C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200710102222.4

申请日：2007-04-27

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 丰田善章 ,  佐藤健史 ,  松村三江子

IPC: G02F1/133 ,  G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/4908 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明提供一种显示装置，谋求图像显示装置的低成本化。在绝缘基板上，具有多条栅极线、与上述多条栅极线矩阵状地交叉的多条信号线、以及多个薄膜晶体管，将多条栅极线取为层叠电极。由n沟道传导型和p沟道传导型这2种类型构成多个薄膜晶体管，一种薄膜晶体管的栅极电极由与上述栅极线结构相同的层叠电极构成，另一种薄膜晶体管的栅极电极由与上述栅极线的下层电极同层的电极构成。

公开(公告)号：CN101424853A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810174636.2

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 丰田善章 ,  山口伸也 ,  小岛恭子 ,  石田猛

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136227

Abstract: 一种液晶显示装置，在基板上覆盖有薄膜晶体管且形成有保护膜的像素区域内具有透射区域和反射区域，在反射区域中，在保护膜的表面形成有凹凸面，并在形成有该凹凸面的保护膜的表面形成有：由透明导电膜构成并通过形成于保护膜的第一通孔而与薄膜晶体管的源电极电连接的电容电极；第一电容绝缘膜；以及使形成于保护膜的凹凸面通过电容电极和第一电容绝缘膜而显现出来并且兼作对置电极的反射板，在透射区域中，在保护膜的表面形成有由透明导电膜构成的对置电极，在反射区域和透射区域具有：覆盖反射区域和透射区域而形成的第二电容绝缘膜；和在第二电容绝缘膜的上表面通过形成于第二电容绝缘膜的第二通孔而与薄膜晶体管的源电极电连接的由透明导电膜构成的像素电极。

公开(公告)号：CN101187764A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710165842.2

申请日：2007-11-05

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 丰田善章 ,  佐藤健史 ,  秋元肇

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133 ,  H05B33/00 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种图像显示装置及其制造方法。由层叠电极膜构成底栅式TFT基板的栅极电极(4)，所述层叠电极膜以与绝缘基板(1)的主面上所具有的由透明导电膜构成的像素电极同层的透明导电膜(16)为下层，在其上层重叠了金属膜(26)，像素电极(3)取为透明导电膜(16)。能够削减有源基板的制造中的光刻工序，降低制造成本。

公开(公告)号：CN101226311B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200710300421.6

申请日：2007-12-27

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 河村哲史 ,  佐藤健史 ,  波多野睦子 ,  丰田善章

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种可以提高像素的开口率的显示装置。在基板上的像素区域内，依次层叠有透明氧化物层、绝缘膜和导电层，上述导电层具有与栅极信号线连接的薄膜晶体管的栅电极，上述透明氧化物层的至少使除了上述栅电极的正下方的沟道区域部以外的其他区域被导体化，且在该被导体化了的部分构成有源极信号线、与该源极信号线连接的上述薄膜晶体管的源极区域部、像素电极、以及与该像素电极连接的上述薄膜晶体管的漏极区域部。

公开(公告)号：CN102237412A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110104600.9

申请日：2011-04-22

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 丰田善章

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种能在减小薄膜晶体管的光漏电流的同时提高像素的开口率的图像显示装置。在基板上具有多个薄膜晶体管的图像显示装置，其中，具有：在所述基板上形成的多条栅极线；以及与所述栅极线交叉的多条漏极线，所述薄膜晶体管是底栅型，与沟道区域重叠的区域具有从所述基板侧顺次层叠栅电极、栅极绝缘膜、半导体层的层叠构造，具有在所述沟道区域的沟道宽度方向上在所述栅电极的两端侧形成的、被除去了该栅极绝缘膜的一对除去区域，在将所述沟道区域中的沟道宽度方向的所述栅电极的宽度设为W，并将被所述一对除去区域所夹的、所述沟道宽度方向的所述栅极绝缘膜的宽度设为R时，满足R≥W。