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公开(公告)号:CN1834759A
公开(公告)日:2006-09-20
申请号:CN200610065098.4
申请日:2006-03-16
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1296 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置,包括:TFT电路在透明基板上配置成阵列状的TFT基板;与TFT基板的设置有TFT的面相对地配置的对置基板;充填在TFT基板和对置基板之间的液晶材料;当设TFT基板的第1区域的栅极电极线的导电膜的膜厚和宽度分别为GLD1和GLW1、与上述第1区域不同的第2区域的栅极电极线的导电膜的膜厚和宽度分别为GLD2和GLW2时,满足以下关系:当GLD1<GLD2时,GLW1>GLW2。由此,可以使TFT液晶显示装置的画面上的像质均匀化。
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公开(公告)号:CN100559248C
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:CN200610065098.4
申请日:2006-03-16
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1296 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置,包括:TFT电路在透明基板上配置成阵列状的TFT基板;与TFT基板的设置有TFT的面相对地配置的对置基板;充填在TFT基板和对置基板之间的液晶材料;当设TFT基板的第1区域的栅极电极线的导电膜的膜厚和宽度分别为GLD1和GLW1、与上述第1区域不同的第2区域的栅极电极线的导电膜的膜厚和宽度分别为GLD2和GLW2时,满足以下关系:当GLD1<GLD2时,GLW1>GLW2。由此,可以使TFT液晶显示装置的画面上的像质均匀化。
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公开(公告)号:CN100552749C
公开(公告)日:2009-10-21
申请号:CN200410056323.9
申请日:2004-08-06
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/032 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0652 , B23K26/066 , B23K26/0665 , B23K26/0732 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种显示屏的制造方法及显示屏。在该显示屏的制造方法中,将连续振荡(CW)固体激光聚光为线状并在聚光的宽度方向S上以一定的速度扫描的同时对大尺寸绝缘基板上将成为各单个显示屏的非晶态硅膜进行照射。此时,对连续振荡激光进行时间调制,以变为规定的结晶状态的功率密度对同一绝缘基板内的像素部、外围电路部进行照射,使其改性成为与作入到像素部、外围电路部的薄膜晶体管电路的必需性能相应的结晶状态的硅膜。这样一来,结果就可以在维持像素部或外围电路部所必需的具有最优结晶状态的薄膜晶体管电路的大生产率原样不变的同时,实现廉价提供具有作为显示屏的良好显示特性的产品。
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公开(公告)号:CN1601579A
公开(公告)日:2005-03-30
申请号:CN200410056323.9
申请日:2004-08-06
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/032 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0652 , B23K26/066 , B23K26/0665 , B23K26/0732 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种显示屏的制造方法及显示屏。在该显示屏的制造方法中,将连续振荡(CW)固体激光聚光为线状并在聚光的宽度方向S上以一定的速度扫描的同时对大尺寸绝缘基板上将成为各单个显示屏的非晶态硅膜进行照射。此时,对连续振荡激光进行时间调制,以变为规定的结晶状态的功率密度对同一绝缘基板内的像素部、外围电路部进行照射,使其改性成为与作入到像素部、外围电路部的薄膜晶体管电路的必需性能相应的结晶状态的硅膜。这样一来,结果就可以在维持像素部或外围电路部所必需的具有最优结晶状态的薄膜晶体管电路的大生产率原样不变的同时,实现廉价提供具有作为显示屏的良好显示特性的产品。
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