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公开(公告)号：CN100437906C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410059047.1
申请日：2004-07-29
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/00 , H01L21/66 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/066 , B23K26/0738 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 提供一种半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用。在用激光退火法形成多晶态半导体的方法中，降低多晶态半导体膜的表面粗糙度。在激光退火装置的光学系统中设置透射率分布滤光器，将形成了非晶态硅半导体薄膜的基板上的扫描方向的照射光强度分布，控制成有高能量光强度侧的微晶阈值以上的能量区和只熔化表层的能量区的分布，通过应用于利用通常的线光束的受激准分子激光退火法、或相位移动条纹掩模法、或SLS法中，能降低用各种方法获得的多晶的表面突起的高度。
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公开(公告)号：CN1674229A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510000501.0
申请日：2005-01-07
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3244 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种多晶半导体膜制造方法及其装置和图像显示面板，通过一边对非晶半导体膜扫描激光光束一边照射来进行结晶化，从而防止形成多晶半导体膜时的照射光束内强度的突起分布的发生。在用于使进行照射的激光光束(13)内的光强度分布均匀的光学系统(5)～(8)中，设置将成为狗耳(16)的发生原因的由透镜边界产生的衍射光(17、18)除去的除去狗耳用滤光器(15)。由此，通过除去狗耳分布，不需要使激光光束(13)的光强度分布模糊，就能维持高能量效率的分布，提高处理能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1638017A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410058669.2
申请日：2004-07-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02686 , G02F1/13454 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供了一种显示装置及其制造方法。测量形成于基板上的非晶质硅膜的平均膜厚，将激光照射到该非晶质硅膜，然后，测定由该照射进行了晶体化的多晶硅膜的粒径分布，根据多晶硅膜的2个点A、B的粒径的测定值，计算出适当的激光照射能量密度值，然后，测量下一非晶质硅膜的平均膜厚，根据该平均膜厚与1个前的非晶质硅膜的平均膜厚计算出照射的能量密度值，将该能量密度值反馈到激光照射系。如上述那样，通过对应于形成在基板上的硅膜的膜厚控制此时应照射的激光照射能量，从而可在大型基板上沿基板整个面形成均匀的大粒径的多晶硅，结果，可在大面积形成多晶硅TFT。
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公开(公告)号：CN100375231C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410058669.2
申请日：2004-07-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02686 , G02F1/13454 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供了一种显示装置的制造方法，对于每个基板按顺序进行第一工序、第二工序及第三工序，该制造方法的特征在于具有：在上述第三工序中，将在上述第二工序中照射在后续于上述基板的其他基板(7)的激光(11)的能量密度，(1)在该基板的区域A测定的晶体粒径比在该基板的区域B测定的晶体粒径大时，调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度低；(2)在粒径小时，调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度高；(3)在相同时，保持成照射该基板的上述激光(11)的能量密度。
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公开(公告)号：CN1574196A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200310124570.3
申请日：2003-12-30
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/0622 , B23K26/066 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78645
Abstract: 本发明提供了一种用并不昂贵的装置以高吞吐量制造高性能有源矩阵衬底的方法，和使用所述有源矩阵衬底的图象显示设备。在导轨上沿着短轴方向X和长轴方向Y移动的平台上携带有玻璃衬底，其形成有无定形硅半导体膜。通过用沿着激光束的长轴方向Y具有周期性的相移掩模将脉冲激光束强度调制成线束形，同时沿着在玻璃衬底上形成的无定形硅半导体膜的调制方向任意地移动激光束进行曝光从而对膜进行结晶，可以获得多晶化的大晶粒硅膜。图象显示设备可以结合具有有源元件，例如用所述硅膜形成的薄膜晶体管的有源矩阵衬底。
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公开(公告)号：CN100483609C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200310124570.3
申请日：2003-12-30
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/0622 , B23K26/066 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78645
Abstract: 本发明提供了一种用并不昂贵的装置以高吞吐量制造高性能有源矩阵衬底的方法，和使用所述有源矩阵衬底的图象显示设备。在导轨上沿着短轴方向X和长轴方向Y移动的平台上携带有玻璃衬底，其形成有无定形硅半导体膜。通过用沿着激光束的长轴方向Y具有周期性的相移掩模将脉冲激光束强度调制成线束形，同时沿着在玻璃衬底上形成的无定形硅半导体膜的调制方向任意地移动激光束进行曝光从而对膜进行结晶，可以获得多晶化的大晶粒硅膜。图象显示设备可以结合具有有源元件，例如用所述硅膜形成的薄膜晶体管的有源矩阵衬底。
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公开(公告)号：CN1610061A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410059047.1
申请日：2004-07-29
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/00 , H01L21/66 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02686 , B23K26/066 , B23K26/0738 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 提供一种半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用。在用激光退火法形成多晶态半导体的方法中，降低多晶态半导体膜的表面粗糙度。在激光退火装置的光学系统中设置透射率分布滤光器，将形成了非晶态硅半导体薄膜的基板上的扫描方向的照射光强度分布，控制成有高能量光强度侧的微晶阈值以上的能量区和只熔化表层的能量区的分布，通过应用于利用通常的线光束的受激准分子激光退火法、或相位移动条纹掩模法、或SLS法中，能降低用各种方法获得的多晶的表面突起的高度。
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