公开(公告)号：CN101369605A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810146148.0

申请日：2008-08-12

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 松本克己 ,  安田好三 ,  木村泰一 ,  海东拓生 ,  糸贺敏彦 ,  景山宽

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78618 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种显示器件，包括：绝缘基板；设置在绝缘基板上的晶体管；设置在晶体管上的多晶半导体层；栅极绝缘膜；栅电极，其中，栅电极隔着栅极绝缘膜而形成在多晶半导体层上，多晶半导体层包括：俯视观察时与栅电极重叠的第一区域；夹着第一区域的第二区域和第三区域，其中，第一区域被夹在第二区域和第三区域之间而形成，多晶半导体层的第二区域包括：第一杂质扩散区域；以及导电类型与第一杂质扩散区域的导电类型相反的第二杂质扩散区域，第一区域和第一杂质扩散区域在第一边界连接，第一区域和第二杂质扩散区域在第二边界连接，沿栅电极夹着第一杂质扩散区域而设置有2个第二杂质扩散区域。在显示器件中对泄漏电流进行抑制。

公开(公告)号：CN100422798C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410004414.8

申请日：2004-02-19

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 贺茂尚广 ,  糸贺敏彦 ,  海东拓生 ,  大仓理

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。

公开(公告)号：CN101369605B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200810146148.0

申请日：2008-08-12

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 松本克己 ,  安田好三 ,  木村泰一 ,  海东拓生 ,  糸贺敏彦 ,  景山宽

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78618 ,  G02F1/13454 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种显示器件，包括：绝缘基板；设置在绝缘基板上的晶体管；设置在晶体管上的多晶半导体层；栅极绝缘膜；栅电极，其中，栅电极隔着栅极绝缘膜而形成在多晶半导体层上，多晶半导体层包括：俯视观察时与栅电极重叠的第一区域；夹着第一区域的第二区域和第三区域，其中，第一区域被夹在第二区域和第三区域之间而形成，多晶半导体层的第二区域包括：第一杂质扩散区域；以及导电类型与第一杂质扩散区域的导电类型相反的第二杂质扩散区域，第一区域和第一杂质扩散区域在第一边界连接，第一区域和第二杂质扩散区域在第二边界连接，沿栅电极夹着第一杂质扩散区域而设置有2个第二杂质扩散区域。在显示器件中对泄漏电流进行抑制。

公开(公告)号：CN1523412A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410004414.8

申请日：2004-02-19

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 贺茂尚广 ,  糸贺敏彦 ,  海东拓生 ,  大仓理

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。