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公开(公告)号：CN100361304C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN03158004.1
申请日：1999-01-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 株式会社日立显示器件
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0416 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L29/7888 , H01L29/7889
Abstract: 表面面积小的存储器单元，分别选择每个存储器单元的局部数据线，连接于全局数据线，以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压，获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器，被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。
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公开(公告)号：CN105453239A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201380078189.X
申请日：2013-07-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种在例如以SiC功率MOSFET为代表的使用禁带宽度比硅大的半导体材料的半导体装置中，确保与Si功率MOSFET近似的栅绝缘膜的可靠性的技术。为了实现该目的，在SiC功率MOSFET中，栅电极(GE)由与栅绝缘膜(GOX)接触地形成且厚度为200nm以下的多结晶硅膜(PF1)和与该多结晶硅膜(PF1)接触地形成且任意厚度的多结晶硅膜(PF2)构成。
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公开(公告)号：CN1979715A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610164502.3
申请日：2006-12-06
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009 , G02B6/357 , G02B6/358 , G02B6/3584 , H01H2001/0042 , H01H2001/0063
Abstract: 本发明提供一种双稳态MEMS开关，其小型、结构简单、可低电压驱动、保持状态长期稳定、且和半导体集成电路的混载容易。包括：衬底(101)、与上述衬底(101)隔着空气隙(103)地设置并由静电力引起弹性形变的膜片(134)、设置于衬底(101)的开关驱动电极(102)、以及设置于膜片(134)的开关驱动电极107。并且，电荷蓄积电极(105)位于开关驱动电极(102)和开关驱动电极(107)之间，并设置于膜片(134)。当在电荷蓄积电极(105)上蓄积了电荷时，电荷蓄积电极(105)和开关驱动电极(102)之间产生静电力(F)，膜片(134)变形。
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公开(公告)号：CN108573844B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810125436.1
申请日：2018-02-07
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01J37/304 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种对基于FIB的加工时的加工位置偏差以及加工尺寸偏差进行补正的技术。聚焦离子束装置的控制方法具有：在第1加工视野中通过聚焦离子束的照射在试样表面形成第1加工图形的工序(S102)；基于第1加工图形的外形尺寸，决定接下来的第2加工视野的位置的工序(S103)；以及使台座移动到所决定的第2加工视野的位置的工序(S106、S107)。还具有：在第2加工视野中通过聚焦离子束的照射形成第2加工图形的工序(S108)。
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公开(公告)号：CN1886006B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200610002116.4
申请日：2006-01-16
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本发明的目的在于在使膜片型电声转换元件的电声转换特性稳定的同时，降低使用该电声转换元件构成的超声波诊断装置的噪音级。由在硅底板(1)上所形成的下部电极(2)和在其上部夹持空隙部(4)的上部电极(6)形成的电容器单元(8)构成电声转换元件(9)，使用电气时间常数比1秒短且比10微秒长的材料，例如在化学计量方面过多包含硅的氮化硅形成在上部电极(6)的空隙部(4)一侧形成的电极短路防止膜(5)。其结果，电极短路防止膜(5)因为变得具有微弱的导电性，所以可以防止向电极短路防止膜(5)的带电或其漂移。其结果，电声转换元件(9)的电声转换特性稳定，而且超声波诊断装置的音响噪音级降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1929699B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200610105747.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H04R17/00
CPC classification number: B06B1/0292 , H04R19/005
Abstract: 提供一种电声变换元件，其特征在于，具有：在基板或者基板中形成的第一电极；以在上述基板上设置的硅或者硅化合物为基体材料的薄膜；在上述薄膜上或者薄膜中形成的第二电极；在上述第一电极和上述第二电极间设置的空隙层；将由上述第一电极和上述第二电极赋予的电荷蓄积的、在上述第一电极和上述第二电极间设置的电荷蓄积层；以及用来测量在上述电荷蓄积层中蓄积的电荷量的源电极和漏电极。由此可以减小半导体振膜型电声变换元件中因泄漏等引起的电荷蓄积量和电声变换效率的变化，防止以该电声变换元件为基本单位构成的超声波阵列变换器的主束灵敏度的漂移和声音SN比与超声波束指向性的劣化。
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公开(公告)号：CN1467824A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03140683.1
申请日：2003-06-03
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/318 , H01L29/78 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823462
Abstract: 本发明的课题是提供通过在不对硅衬底表面造成损伤和污染的情况下有选择地形成氮化硅膜而在同一硅衬底内形成种类不同的多个栅绝缘膜而构成的半导体器件及其制造方法。在硅衬底的表面上形成氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮。除此以外，利用化学气相淀积法在硅衬底的表面上淀积氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮，接着溶解并除去导入了氮的氧化硅膜以使衬底表面露出，对已露出的硅衬底的表面和上述氮化硅膜进行氧化。
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公开(公告)号：CN107710787B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201680038034.7
申请日：2016-05-16
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 在静电电容检测型的超声波换能器中，由于超声波换能器的单元阵列的各单元的膜状物的膜厚偏差，导致单元阵列内的单元的器件特性变得不均匀。超声波换能器具备CMUT芯片(301)，CMUT芯片(301)包括：形成有多个单元的单元阵列区域CAR；以及与单元阵列区域CAR相邻接的周边区域PER，在单元阵列区域CAR配置梁结构体(201)，并且在周边区域PER配置相当于梁结构体(201)的多个图案结构体(311)。由此，将单元阵列区域CAR的单位表面积和周边区域PER的单位表面积的差减小。其结果，能够提高覆盖梁结构体(201)和图案结构体(311)的绝缘膜的膜厚的均匀性。
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公开(公告)号：CN100375269C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN03140683.1
申请日：2003-06-03
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/318 , H01L29/78 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823462
Abstract: 本发明的课题是提供通过在不对硅衬底表面造成损伤和污染的情况下有选择地形成氮化硅膜而在同一硅衬底内形成种类不同的多个栅绝缘膜而构成的半导体器件及其制造方法。在硅衬底的表面上形成氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮。除此以外，利用化学气相淀积法在硅衬底的表面上淀积氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮，接着溶解并除去导入了氮的氧化硅膜以使衬底表面露出，对已露出的硅衬底的表面和上述氮化硅膜进行氧化。
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公开(公告)号：CN1144294C
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN99101611.4
申请日：1999-01-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立器件工程株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/02 , G11C11/34 , G11C16/00
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/0416 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7883 , H01L29/7888 , H01L29/7889
Abstract: 表面面积小的存储器单元，分别选择每个存储器单元的局部数据线，连接于全局数据线，以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压，获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器，被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。
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