公开(公告)号：CN100361304C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN03158004.1

申请日：1999-01-28

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立显示器件

Inventor： 佐野聪明 ,  石井智之 ,  矢野和男 ,  峰利之

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7888 ,  H01L29/7889

Abstract: 表面面积小的存储器单元，分别选择每个存储器单元的局部数据线，连接于全局数据线，以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压，获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器，被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。

公开(公告)号：CN1144294C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN99101611.4

申请日：1999-01-28

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立器件工程株式会社

Inventor： 佐野聪明 ,  石井智之 ,  矢野和男 ,  峰利之

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/02 ,  G11C11/34 ,  G11C16/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7888 ,  H01L29/7889

Abstract: 表面面积小的存储器单元，分别选择每个存储器单元的局部数据线，连接于全局数据线，以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压，获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器，被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。

公开(公告)号：CN1495904A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03158004.1

申请日：1999-01-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐野聪明 ,  石井智之 ,  矢野和男 ,  峰利之

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7888 ,  H01L29/7889

Abstract: 表面面积小的存储器单元，分别选择每个存储器单元的局部数据线，连接于全局数据线，以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压，获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器，被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。

公开(公告)号：CN1224932A

公开(公告)日：1999-08-04

申请号：CN99101611.4

申请日：1999-01-28

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立器件工程株式会社

Inventor： 佐野聪明 ,  石井智之 ,  矢野和男 ,  峰利之

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/02 ,  G11C11/34 ,  G11C16/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5635 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7888 ,  H01L29/7889

Abstract: 表面面积小的存储器单元,分别选择每个存储器单元的局部数据线,连接于全局数据线,以时间复用方式执行读出和写入。存储器单元能够置于字线和数据线的所有交点处。借助于建立完全相同的模拟单元的标准阈值电压,获得了改善的噪声裕度。在写入过程中将写入数据暂时保存在存储器单元中的寄存器,被用作在写入验证过程中保存表示写入已经终止的标志的寄存器。由一个nMOS晶体管组成的电路被用作改变写入终止标志上的数值的装置。