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公开(公告)号：CN100375269C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN03140683.1
申请日：2003-06-03
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/318 , H01L29/78 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823462
Abstract: 本发明的课题是提供通过在不对硅衬底表面造成损伤和污染的情况下有选择地形成氮化硅膜而在同一硅衬底内形成种类不同的多个栅绝缘膜而构成的半导体器件及其制造方法。在硅衬底的表面上形成氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮。除此以外，利用化学气相淀积法在硅衬底的表面上淀积氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮，接着溶解并除去导入了氮的氧化硅膜以使衬底表面露出，对已露出的硅衬底的表面和上述氮化硅膜进行氧化。
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公开(公告)号：CN1467824A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03140683.1
申请日：2003-06-03
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/318 , H01L29/78 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/823857 , H01L21/823462
Abstract: 本发明的课题是提供通过在不对硅衬底表面造成损伤和污染的情况下有选择地形成氮化硅膜而在同一硅衬底内形成种类不同的多个栅绝缘膜而构成的半导体器件及其制造方法。在硅衬底的表面上形成氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮。除此以外，利用化学气相淀积法在硅衬底的表面上淀积氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮，接着溶解并除去导入了氮的氧化硅膜以使衬底表面露出，对已露出的硅衬底的表面和上述氮化硅膜进行氧化。
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公开(公告)号：CN100413075C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200410071440.2
申请日：2004-03-03
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1213 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种存储装置，是由使用了存储元阵和选择晶体管的存储单元构成的相变存储装置，具有可在130度以上工作的高耐热性。作为该装置的结构，在记录层上使用Zn-Ge-Te的Zn或Cd等的含量≥25原子%、Ge的含量≥5原子%且≤25原子%、Te的含量≥40原子%的材料。这样，能够实现用于车载用途等有可能变为高温的用途中的存储装置。
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公开(公告)号：CN1571160A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410071440.2
申请日：2004-03-03
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1213 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种存储装置，是由使用了存储元件和选择晶体管的存储单元构成的相变存储装置，具有可在130度以上工作的高耐热性。作为该装置的结构，在记录层上使用Zn－Ge－Te的Zn或Cd等的含量≥25原子％、Ge的含量≥5原子％且≤25原子％、Te的含量≥40原子％的材料。这样，能够实现用于车载用途等有可能变为高温的用途中的存储装置。
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