公开(公告)号：CN108573844B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201810125436.1

申请日：2018-02-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边敬司 ,  峰利之 ,  志知广康 ,  森下真年

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明提供一种对基于FIB的加工时的加工位置偏差以及加工尺寸偏差进行补正的技术。聚焦离子束装置的控制方法具有：在第1加工视野中通过聚焦离子束的照射在试样表面形成第1加工图形的工序(S102)；基于第1加工图形的外形尺寸，决定接下来的第2加工视野的位置的工序(S103)；以及使台座移动到所决定的第2加工视野的位置的工序(S106、S107)。还具有：在第2加工视野中通过聚焦离子束的照射形成第2加工图形的工序(S108)。

公开(公告)号：CN103548149A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201180070975.6

申请日：2011-05-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边敬司 ,  土屋龙太 ,  服部孝司 ,  松村三江子

IPC: H01L31/0236

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03529 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/0236

Abstract: 为了实现作为表面结构具有能够在太阳光的较宽的波长域防止反射的纳米柱阵列结构的太阳能电池单元，具有基板(1)、与基板(1)连接的直径(D1)的纳米柱(11)以及与基板(1)连接的直径(D2)的纳米柱(12)，其特征在于(D1)＜(D2)。由直径不同的两种纳米柱构成的纳米柱阵列结构(21)兼具备由直径(D1)的纳米柱(11)构成的纳米柱阵列结构的反射率的极小点和由直径(D2)的纳米柱(12)构成的纳米柱阵列结构的反射率的极小点，因此能够实现太阳光的较宽的波长域的防止反射。

公开(公告)号：CN108573844A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810125436.1

申请日：2018-02-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边敬司 ,  峰利之 ,  志知广康 ,  森下真年

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明提供一种对基于FIB的加工时的加工位置偏差以及加工尺寸偏差进行补正的技术。聚焦离子束装置的控制方法具有：在第1加工视野中通过聚焦离子束的照射在试样表面形成第1加工图形的工序(S102)；基于第1加工图形的外形尺寸，决定接下来的第2加工视野的位置的工序(S103)；以及使台座移动到所决定的第2加工视野的位置的工序(S106、S107)。还具有：在第2加工视野中通过聚焦离子束的照射形成第2加工图形的工序(S108)。