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公开(公告)号：CN105453239A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201380078189.X
申请日：2013-07-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种在例如以SiC功率MOSFET为代表的使用禁带宽度比硅大的半导体材料的半导体装置中，确保与Si功率MOSFET近似的栅绝缘膜的可靠性的技术。为了实现该目的，在SiC功率MOSFET中，栅电极(GE)由与栅绝缘膜(GOX)接触地形成且厚度为200nm以下的多结晶硅膜(PF1)和与该多结晶硅膜(PF1)接触地形成且任意厚度的多结晶硅膜(PF2)构成。
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公开(公告)号：CN105453242B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380078836.7
申请日：2013-08-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , G01R31/265 , H01L22/20 , H01L22/24
Abstract: 在本发明的半导体检查装置的半导体检查方法中，选择入射能量和负电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第一检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第一检查图像中的宏观缺陷、层叠缺陷、基面位错和贯通位错。另外，选择入射能量和正电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第二检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第二检查图像中的点形状图形的贯通螺旋位错。
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公开(公告)号：CN105453242A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201380078836.7
申请日：2013-08-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , G01R31/265 , H01L22/20 , H01L22/24
Abstract: 在本发明的半导体检查装置的半导体检查方法中，选择入射能量和负电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第一检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第一检查图像中的宏观缺陷、层叠缺陷、基面位错和贯通位错。另外，选择入射能量和正电位来进行控制，向晶圆的检查面扫描一次电子而检测二次电子，取得第二检查图像，通过基于预先确定的二次电子的信号量的阈值的图像处理，判别包含在第二检查图像中的点形状图形的贯通螺旋位错。
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