公开(公告)号：CN100375269C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03140683.1

申请日：2003-06-03

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 辻川真平 ,  峰利之 ,  由上二郎 ,  橫山夏樹 ,  山内豪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823462

Abstract: 本发明的课题是提供通过在不对硅衬底表面造成损伤和污染的情况下有选择地形成氮化硅膜而在同一硅衬底内形成种类不同的多个栅绝缘膜而构成的半导体器件及其制造方法。在硅衬底的表面上形成氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮。除此以外，利用化学气相淀积法在硅衬底的表面上淀积氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮，接着溶解并除去导入了氮的氧化硅膜以使衬底表面露出，对已露出的硅衬底的表面和上述氮化硅膜进行氧化。

公开(公告)号：CN1467824A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03140683.1

申请日：2003-06-03

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 辻川真平 ,  峰利之 ,  由上二郎 ,  橫山夏樹 ,  山内豪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/823462

Abstract: 本发明的课题是提供通过在不对硅衬底表面造成损伤和污染的情况下有选择地形成氮化硅膜而在同一硅衬底内形成种类不同的多个栅绝缘膜而构成的半导体器件及其制造方法。在硅衬底的表面上形成氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮。除此以外，利用化学气相淀积法在硅衬底的表面上淀积氧化硅膜之后除去其一部分、在除去了氧化硅膜的衬底面上形成氮化硅膜，同时在未除去而留下的氧化硅膜的表面上导入氮，接着溶解并除去导入了氮的氧化硅膜以使衬底表面露出，对已露出的硅衬底的表面和上述氮化硅膜进行氧化。