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公开(公告)号：CN105453239A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201380078189.X
申请日：2013-07-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种在例如以SiC功率MOSFET为代表的使用禁带宽度比硅大的半导体材料的半导体装置中，确保与Si功率MOSFET近似的栅绝缘膜的可靠性的技术。为了实现该目的，在SiC功率MOSFET中，栅电极(GE)由与栅绝缘膜(GOX)接触地形成且厚度为200nm以下的多结晶硅膜(PF1)和与该多结晶硅膜(PF1)接触地形成且任意厚度的多结晶硅膜(PF2)构成。
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公开(公告)号：CN103548149A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201180070975.6
申请日：2011-05-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/02366 , H01L31/03529 , Y02E10/50 , H01L31/0236
Abstract: 为了实现作为表面结构具有能够在太阳光的较宽的波长域防止反射的纳米柱阵列结构的太阳能电池单元，具有基板(1)、与基板(1)连接的直径(D1)的纳米柱(11)以及与基板(1)连接的直径(D2)的纳米柱(12)，其特征在于(D1)＜(D2)。由直径不同的两种纳米柱构成的纳米柱阵列结构(21)兼具备由直径(D1)的纳米柱(11)构成的纳米柱阵列结构的反射率的极小点和由直径(D2)的纳米柱(12)构成的纳米柱阵列结构的反射率的极小点，因此能够实现太阳光的较宽的波长域的防止反射。
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公开(公告)号：CN1938854A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200480042779.8
申请日：2004-04-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H04N5/335 , G06F3/0412 , H01L27/14643 , H01L27/14678 , H01L27/14692 , H01L27/3234 , H01L27/3272 , H01L2251/5323 , H04N1/00392 , H04N1/00411 , H04N1/0461 , H04N1/195
Abstract: 本发明的图像显示装置，对在透明基片上2维配置了由薄膜发光二极管构成的光传感器和由TFT构成的读取功能的面传感器附加显示功能。在具有读取功能的像素上设置有光透射区域，进而，薄膜发光二极管和TFT由近乎透明的材料形成，所以装置本身为透明的。由此，在使用者将面传感器放置于印刷物上的状态下，就能够直接阅览印刷物的内容。进而，通过使用者从装置上指定需要的图像等方法，就能够只在需要的时候读取图像。由此，能够降低装置的功耗。
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公开(公告)号：CN100449766C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200480042779.8
申请日：2004-04-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H04N5/335 , G06F3/0412 , H01L27/14643 , H01L27/14678 , H01L27/14692 , H01L27/3234 , H01L27/3272 , H01L2251/5323 , H04N1/00392 , H04N1/00411 , H04N1/0461 , H04N1/195
Abstract: 本发明的图像显示装置，对在透明基片上2维配置了由薄膜发光二极管构成的光传感器和由TFT构成的读取功能的面传感器附加显示功能。在具有读取功能的像素上设置有光透射区域，进而，薄膜发光二极管和TFT由近乎透明的材料形成，所以装置本身为透明的。由此，在使用者将面传感器放置于印刷物上的状态下，就能够直接阅览印刷物的内容。进而，通过使用者从装置上指定需要的图像等方法，就能够只在需要的时候读取图像。由此，能够降低装置的功耗。
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