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公开(公告)号：CN1573844A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410005524.6
申请日：2004-02-11
IPC: G09F9/30
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/20 , G09G3/2011 , G09G3/2074 , G09G3/3225 , G09G2300/08 , G09G2300/0847 , G09G2300/0857 , G09G2300/088 , G09G2310/027 , G09G2310/04 , G09G2360/128 , H01L27/14643 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/3244 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10T428/10 , Y10T428/1064 , Y10T428/1352
Abstract: 提供一种图像显示装置，可同时兼顾图像显示装置的功耗的降低、存储器面积的缩小和多位的图像数据的高画质显示。该图像显示装置具有由多个像素构成的显示部和对该显示部进行控制的控制部，其中，设置有由在各像素中将显示数据存储一定时间以上的至少一个开关和利用硫属化物材料的可变电阻存储元件组成的非易失性相变像素存储器，或是由在控制部中保持1帧显示数据的至少一个开关和利用硫属化物材料的可变电阻存储元件组成的非易失性相变帧存储器。
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公开(公告)号：CN1573844B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200410005524.6
申请日：2004-02-11
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G09F9/30
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/20 , G09G3/2011 , G09G3/2074 , G09G3/3225 , G09G2300/08 , G09G2300/0847 , G09G2300/0857 , G09G2300/088 , G09G2310/027 , G09G2310/04 , G09G2360/128 , H01L27/14643 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/3244 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10T428/10 , Y10T428/1064 , Y10T428/1352
Abstract: 提供一种图像显示装置，可同时兼顾图像显示装置的功耗的降低、存储器面积的缩小和多位的图像数据的高画质显示。该图像显示装置具有由多个像素构成的显示部和对该显示部进行控制的控制部，其中，设置有由在各像素中将显示数据存储一定时间以上的至少一个开关和利用硫属化物材料的可变电阻存储元件组成的非易失性相变像素存储器，或是由在控制部中保持1帧显示数据的至少一个开关和利用硫属化物材料的可变电阻存储元件组成的非易失性相变帧存储器。
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公开(公告)号：CN101345289A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810130306.3
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L45/145 , G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C2213/11 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，通过采用可高精度控制固体电解质中的离子运动的器件结构，可以提高具有存储或者开关功能的半导体器件的性能，也能够以低成本对多层化的三维结构进行高集成化。作为半导体元件，是在偏离而配置在纵方向(Z轴方向)上的电极之间形成2层以上成分不同的层，在上述电极之间施加脉冲电压来形成导电通路，使电阻值根据信息信号而发生变化的元件。并且，在上述导电通路的途中形成蓄积了提高导电率的成分的区域，由此使电阻率正确地对应信息信号。更优选在X轴方向、Y轴方向的至少一个方向上，也形成电极并施加控制电压。
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公开(公告)号：CN101499437A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910002805.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN101436606A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810174029.6
申请日：2008-11-12
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/101 , G11C5/02 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件。在相变存储器等中，存在如下问题：用薄膜形成记录材料和选择元件双方时，因重写工作等的热而使与记录材料层相邻的层的原子扩散到记录材料层，重写特性发生变化。为了解决上述问题，本发明在非易失性记录材料层(224)与选择元件(220、221)之间具有膜厚为5nm～200nm的半导体层(222)。由此，可得到大容量且重写条件稳定的非易失性存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1171304C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN96198458.9
申请日：1996-11-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/108 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10882 , H01L27/10885 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/90
Abstract: 在穿透半导体衬底(1)上层叠的介电膜(6、8、10和12)而制作的沟槽中，制作了由存储电极(19)、电容器介电膜(20)和平板电极(21)组成的电容器，而埋置的布线层(9和11)制作在电容器下方。由于电容器不是制作在半导体衬底之中而是在其上方，故有空间使电容器得以制作，且利用全局字线和选择线的布线层(9和11)减轻了制作布线的困难。由于与外围电路区中的布线(34)的下表面相接触的介电膜(32)的上表面延伸到了存储单元区中且与电容器(33)的侧面相接触，故显著地减小了外围电路区与存储单元区之间的台阶高度。
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公开(公告)号：CN1606093B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200410074044.5
申请日：2004-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明的课题是提供一种在非易失性磁存储器中具有转矩磁化反转功能的超低耗电的高集成存储单元，以及使用这种存储单元的随机存取存储器，本发明的技术解决手段是，在C-MOSFET上具有转矩磁化反转层和隧道型磁阻效应膜。按照本发明可以实现耗电极小的非易失性磁存储器单元，通过装载该非易失性磁存储单元就能够实现耗电极小的随机存取磁存储器。
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公开(公告)号：CN1606093A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410074044.5
申请日：2004-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明的课题是提供一种在非易失性磁存储器中具有转矩磁化反转功能的超低耗电的高集成存储单元，以及使用这种存储单元的随机存取存储器，本发明的技术解决手段是，在C－MOSFET上具有转矩磁化反转层和隧道型磁阻效应膜。按照本发明可以实现耗电极小的非易失性磁存储器单元，通过装载该非易失性磁存储单元就能够实现耗电极小的随机存取磁存储器。
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公开(公告)号：CN1434515A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN02130508.0
申请日：2002-08-15
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/0688 , H01L27/1104
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件包括多条字线、多条位线以及多个静态存储单元，每个存储单元具有第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管。每个第一、第二、第三和第四晶体管的沟道相对应该半导体存储器件的基片垂直。每个形成第五和第六晶体管的源极和漏极的半导体区域形成在该基片上的一个PN结。根据本发明另一个方面，该SRAM器件具有多个SRAM单元，其中至少一个是垂直SRAM单元，其包括在基片上的至少四个垂直晶体管，以及每个垂直晶体管包括排列在一条对齐线上的一个源极、一个漏极和它们之间的沟道，该对齐线以大于0度的角穿过该基片的表面。
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公开(公告)号：CN101499437B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200910002805.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
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