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公开(公告)号：CN108694442A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810156156.7
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G06N3/08 , G06F16/2477 , G06F17/18 , G06N3/04 , G06N3/0445 , G06N3/0675 , G06N3/063 , G06N3/049
Abstract: 一种计算机系统以及使用了递归神经网络的运算方法，计算机系统执行使用了由输入部、储备池部以及输出部构成的递归神经网络的运算处理，输入部包括接收多个时间序列数据的输入节点，储备池部包括伴随时间延迟的至少一个非线性节点，输出部包括计算输出值的输出节点，输入部对所接收的多个时间序列数据的每一个执行采样以及保持处理以及掩蔽处理，从而计算多个输入流，对多个输入流的每一个执行给予时间偏差的时移处理，通过将执行了时移处理的多个输入流的每一个进行叠加来计算输入数据。据此，在将多个时间序列数据作为输入来处理的储备池计算中，实现高精度且高速的处理。
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公开(公告)号：CN1573436A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410003629.8
申请日：2004-02-04
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: H01L27/1296 , G02F1/13624 , G02F1/136277 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/78621 , H01L29/78627
Abstract: 本发明的课题是实现构成驱动以矩阵状配置的像素部用的驱动电路的薄膜晶体管的高速化。在玻璃基板SUB上的显示区域DSP中以矩阵状配置多个像素PXL，在该显示区域DSP的周边配置由漏移位寄存器DSR、数模变换器DAC、漏电平移动器DLS、缓冲器BF、取样开关SSW构成的漏侧像素驱动电路、由栅移位寄存器GSR、栅电平移动器GLS等构成的栅侧像素驱动电路和各种电路。在每个电路中使构成这些像素驱动电路的高速工作所必要的电路区域SX的薄膜晶体管的电流迁移率最佳化，使多个布局和配置结构最佳化，在各电路中满足特有的规格。
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公开(公告)号：CN101499437A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910002805.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN101436606A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810174029.6
申请日：2008-11-12
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/101 , G11C5/02 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件。在相变存储器等中，存在如下问题：用薄膜形成记录材料和选择元件双方时，因重写工作等的热而使与记录材料层相邻的层的原子扩散到记录材料层，重写特性发生变化。为了解决上述问题，本发明在非易失性记录材料层(224)与选择元件(220、221)之间具有膜厚为5nm～200nm的半导体层(222)。由此，可得到大容量且重写条件稳定的非易失性存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108694442B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810156156.7
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 一种计算机系统以及使用了递归神经网络的运算方法，计算机系统执行使用了由输入部、储备池部以及输出部构成的递归神经网络的运算处理，输入部包括接收多个时间序列数据的输入节点，储备池部包括伴随时间延迟的至少一个非线性节点，输出部包括计算输出值的输出节点，输入部对所接收的多个时间序列数据的每一个执行采样以及保持处理以及掩蔽处理，从而计算多个输入流，对多个输入流的每一个执行给予时间偏差的时移处理，通过将执行了时移处理的多个输入流的每一个进行叠加来计算输入数据。据此，在将多个时间序列数据作为输入来处理的储备池计算中，实现高精度且高速的处理。
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公开(公告)号：CN101499437B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200910002805.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN100377365C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03136734.8
申请日：2003-05-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02609 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明将通过提供使低温多晶硅实现大粒径化且使表面平坦化以充分地确保栅耐压的技术来实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置作为课题。本发明的薄膜半导体器件中，通过对固体激光等的连续的振荡光在时间和空间方面进行调制以实现对于硅薄膜的结晶结构和生长速度来说接近于最佳的结晶生长，通过形成大粒径、在粒界部中呈现没有凸起的平坦性且其面取向被控制的结晶粒并使用这些结晶粒形成沟道，实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置。
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公开(公告)号：CN101325226A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810005559.8
申请日：2008-02-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L27/144
CPC classification number: H01L31/03762 , H01L27/14609 , H01L27/14676 , H01L27/14692 , H01L31/115 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种在同一绝缘性衬底上使用LTPS平面工艺形成高敏感度的光传感器元件和传感器驱动电路等开关元件，并内置了传感器驱动电路的低成本的区域传感器(光传感器装置)或内置了该光传感器元件的图像显示装置。作为光传感器元件的结构，用与构成电路的开关元件的有源层的多晶硅膜相同的膜制作传感器元件的一个电极，且进行光电变换的受光部为非晶硅或本征层的多晶硅膜。另外，采用在传感器元件的两个电极之间夹着受光部的非晶硅和绝缘层的结构。
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公开(公告)号：CN1458698A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN03136734.8
申请日：2003-05-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1285 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02609 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明将通过提供使低温多晶硅实现大粒径化且使表面平坦化以充分地确保栅耐压的技术来实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置作为课题。本发明的薄膜半导体器件中，通过对固体激光等的连续的振荡光在时间和空间方面进行调制以实现对于硅薄膜的结晶结构和生长速度来说接近于最佳的结晶生长，通过形成大粒径、在粒界部中呈现没有凸起的平坦性且其面取向被控制的结晶粒并使用这些结晶粒形成沟道，实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置。
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