公开(公告)号：CN1215925A

公开(公告)日：1999-05-05

申请号：CN98124682.6

申请日：1998-10-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 角南英夫 ,  伊藤清男 ,  嶋田寿一 ,  中里和郎 ,  水田博

IPC: H01L27/108

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L27/108

Abstract: 高速/大容量DRAM(动态随机存取存储器)通常每0.1秒刷新一次,这是因为漏电流使其丢失存储的信息。DRAM在切断电源时也丢失存储的信息。同时,非易失ROM(只读存储器)不能构成为高速/大容量存储器。本发明的半导体存储器件,通过利用隧道绝缘体使起存储节点作用的漏与漏电流隔绝,实现了非易失特性,而且通过使存储单元增加读出用晶体管实现了稳定高速运行。

公开(公告)号：CN1195861A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN97120849.2

申请日：1997-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 中里和郎 ,  伊藤清男 ,  水田博 ,  佐藤俊彦 ,  田寿一 ,  哈鲁恩·阿迈德

IPC: G11C11/00

Abstract: 改善了写入、读出、消去时间的具有隧道阻挡层的存储器。具有从控制电极穿越隧道阻挡层写入电荷的存储节点。该电荷影响源/漏路径的导电性并由此读出数据。电荷阻挡层由多隧道阻挡层构成,包裹形成存储节点的硅的多晶层,以3nm的多晶硅层和1nm的Si3N4叠积构成。还披露了两种肖特基阻挡层结构,和在电绝缘掩模内分散的、具有存储节点功能的包括导电性纳米级导电岛的其它阻挡层结构。

公开(公告)号：CN1197089C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN00804146.6

申请日：2000-02-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹村理一朗 ,  伊藤清男 ,  关口知纪 ,  阪田健 ,  木村胜高

IPC: G11C11/4091

CPC classification number: G11C7/06 ,  G11C7/065 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4091 ,  G11C2207/065

Abstract: 即便存储器阵列的电压低，读出放大器也能够高速地从存储单元读出弱信号而电力消耗很小。将用于过激励的驱动开关分散地配置在读出放大器区域内，并将用于恢复的驱动开关集中地配置在读出放大器阵列的一端。通过网状电源线供给过激励电位。每个过激励开关最初从具有比数据线的振幅电压高的电压的数据线对读出数据，实现高速读出。通过分散地配置驱动开关，能够分散读出电流并减小一端与另一端之间的读出电压差。

公开(公告)号：CN1202982A

公开(公告)日：1998-12-23

申请号：CN96198458.9

申请日：1996-11-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木村绅一郎 ,  山中俊明 ,  伊藤清男 ,  阪田健 ,  关口知纪 ,  松冈秀行

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/90

Abstract: 在穿透半导体衬底(1)上层叠的介质膜(6、8、10和12)而制作的沟槽中,制作了由存储电极(19)、电容器介质膜(20)和平板电极(21)组成的电容器,而埋置的布线层(9和11)制作在电容器下方。由于电容器不是制作在半导体衬底之中而是在其上方,故有空间使电容器得以制作,且利用全局字线和选择线的布线层(9和11)减轻了制作布线的困难。由于与外围电路区中的布线(34)的下表面相接触的介质膜(32)的上表面延伸到了存储单元区中且与电容器(33)的侧面相接触,故显著地减小了外围电路区与存储单元区之间的台阶高度。

公开(公告)号：CN1897284A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610009369.4

申请日：2006-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 伊藤清男 ,  土屋龙太 ,  河原尊之

IPC: H01L27/12 ,  H03K19/00

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648 ,  H03K19/0027 ,  H03K19/00384 ,  H03K19/018585

Abstract: 一种低电压、低消耗功率、高速化或小型化的CMOS电路。在采用通过阱来控制反向栅极的FD－SOI的电路(INV)中，形成采用了使阱的电压振幅比栅极的输入电压振幅大，增强型和耗尽型动态地改变的MOST的电路。

公开(公告)号：CN1652252A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510007096.5

申请日：2000-02-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹村理一朗 ,  伊藤清男 ,  关口知纪 ,  阪田健 ,  木村胜高

IPC: G11C11/4091 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/06 ,  G11C7/065 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4091 ,  G11C2207/065

Abstract: 即便存储器阵列的电压低，读出放大器也能够高速地从存储单元读出弱信号而电力消耗很小。将用于过激励的驱动开关分散地配置在读出放大器区域内，并将用于恢复的驱动开关集中地配置在读出放大器阵列的一端。通过网状电源线供给过激励电位。每个过激励开关最初从具有比数据线的振幅电压高的电压的数据线对读出数据，实现高速读出。通过分散地配置驱动开关，能够分散读出电流并减小一端与另一端之间的读出电压差。

公开(公告)号：CN1159765C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN98124682.6

申请日：1998-10-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 角南英夫 ,  伊藤清男 ,  田寿一 ,  中里和郎 ,  水田博

IPC: H01L27/108

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L27/108

Abstract: 高速/大容量DRAM(动态随机存取存储器)通常每0.1秒刷新一次，这是因为漏电流使其丢失存储的信息。DRAM在切断电源时也丢失存储的信息。同时，非易失ROM(只读存储器)不能构成为高速/大容量存储器。本发明的半导体存储器件，通过利用隧道绝缘体使起存储节点作用的漏与漏电流隔绝，实现了非易失特性，而且通过使存储单元增加读出用晶体管实现了稳定高速运行。

公开(公告)号：CN101281929B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810086880.3

申请日：2006-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 伊藤清男 ,  土屋龙太 ,  河原尊之

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648 ,  H03K19/0027 ,  H03K19/00384 ,  H03K19/018585

Abstract: 一种低电压、低消耗功率、高速化或小型化的CMOS电路。在采用通过阱来控制反向栅极的FD-SOI的电路(INV)中，形成采用了使阱的电压振幅比栅极的输入电压振幅大，增强型和耗尽型动态地改变的MOST的电路。

公开(公告)号：CN100511688C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610009369.4

申请日：2006-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 伊藤清男 ,  土屋龙太 ,  河原尊之

IPC: H01L27/12 ,  H03K19/00

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648 ,  H03K19/0027 ,  H03K19/00384 ,  H03K19/018585

Abstract: 一种低电压、低消耗功率、高速化或小型化的CMOS电路。在采用通过阱来控制反向栅极的FD-SOI的电路(INV)中，形成采用了使阱的电压振幅比栅极的输入电压振幅大，增强型和耗尽型动态地改变的MOST的电路。

公开(公告)号：CN101281929A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810086880.3

申请日：2006-02-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 伊藤清男 ,  土屋龙太 ,  河原尊之

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648 ,  H03K19/0027 ,  H03K19/00384 ,  H03K19/018585

Abstract: 一种低电压、低消耗功率、高速化或小型化的CMOS电路。在采用通过阱来控制反向栅极的FD－SOI的电路(INV)中，形成采用了使阱的电压振幅比栅极的输入电压振幅大，增强型和耗尽型动态地改变的MOST的电路。