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公开(公告)号：CN101499437A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910002805.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN101436606A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810174029.6
申请日：2008-11-12
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/101 , G11C5/02 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件。在相变存储器等中，存在如下问题：用薄膜形成记录材料和选择元件双方时，因重写工作等的热而使与记录材料层相邻的层的原子扩散到记录材料层，重写特性发生变化。为了解决上述问题，本发明在非易失性记录材料层(224)与选择元件(220、221)之间具有膜厚为5nm～200nm的半导体层(222)。由此，可得到大容量且重写条件稳定的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN1202522C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN01101263.3
申请日：2001-01-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B7/26
CPC classification number: B32B27/36 , B29C59/16 , B29C2035/0827 , B29K2069/00 , B29L2017/003 , B29L2017/005 , B32B27/28 , G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , Y10T428/21
Abstract: 用于记录/再现信息的光盘在其基片表面上具有导致噪声增加的微细不规则性的问题。本发明提供了一种制造光盘基片的方法，包括改善聚碳酸酯表面的工序：这是通过将含氧气体吹流到由在其主有机原子链包含氧原子的塑料材料构成的并且在其表面上具有不规则性的光盘基片上和通过将紫外光辐射到该光盘基片上使得在光盘基片和光源之间的臭氧浓度变成不超过0.1ppm来实现的。
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公开(公告)号：CN101364634B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810128199.0
申请日：2008-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的课题在于提高可存储信息的半导体装置的性能。本发明由下部电极BE侧的第1层ML1和上部电极TE侧的第2层ML2形成存储器元件RM的存储层ML。第1层ML1含有20原子％以上70原子％以下由Cu，Ag，Au，Al，Zn，Cd组成的第1元素组中的至少1种，含有3原子％以上40原子％以下由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru，Os，镧系元素组成的第2元素组中的至少1种，含有20原子％以上60原子％以下由S，Se，Te组成的第3元素组中的至少1种。第2层ML2含有5原子％以上50原子％以下第1元素组中的至少1种，含有10原子％以上50原子％以下第2元素组中的至少1种，含有30原子％以上70原子％以下的氧。
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公开(公告)号：CN101345289A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810130306.3
申请日：2008-07-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L45/145 , G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C2213/11 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，通过采用可高精度控制固体电解质中的离子运动的器件结构，可以提高具有存储或者开关功能的半导体器件的性能，也能够以低成本对多层化的三维结构进行高集成化。作为半导体元件，是在偏离而配置在纵方向(Z轴方向)上的电极之间形成2层以上成分不同的层，在上述电极之间施加脉冲电压来形成导电通路，使电阻值根据信息信号而发生变化的元件。并且，在上述导电通路的途中形成蓄积了提高导电率的成分的区域，由此使电阻率正确地对应信息信号。更优选在X轴方向、Y轴方向的至少一个方向上，也形成电极并施加控制电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101336490A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680052148.3
申请日：2006-02-09
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C2213/79 , H01L27/0688 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 一种半导体器件，在嵌入了塞(35)的绝缘膜(31)上按顺序形成有由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)、由硫属化合物构成的固体电解质区域(46)和上部电极(47)。由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)由圆顶状的电极部分(43)和将电极部分(43)的周围嵌入的绝缘膜(44)构成，在塞(35)上存在着至少1个电极部分(43)。电极部分(43)包括由如氧化钽那样的即使施加电场也仍然稳定的第一组成物构成的第一部分和由如铜或银那样的通过施加电场很容易向固体电解质区域(46)扩散并移动的第二组成物构成的第二部分。通过使从电极部分(43)供给的第二组成物在固体电解质区域(46)中移动来存储信息。
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公开(公告)号：CN1474392A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03141205.X
申请日：2003-06-06
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/02 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11B5/64 , G11B5/66 , G11B5/82 , G11B7/00454 , G11B7/0079 , G11B7/122 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/24085 , G11B7/24088 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B11/10528 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0002 , G11B2005/0021 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , Y10T428/21 , Y10T428/25
Abstract: 本发明的信息记录介质、信息记录、重放方法通过设置光吸收金属或电介质或记录材料的超微小粒子适当规则排列的层，来实现高速记录和高密度记录。通过超微小粒子的共谐等离子体振子激发、共谐吸收等，使记录标记的端部(边沿)的位置正确，能够在多层的情况下通过波长只在特定的层引起强吸收，能够实现高密度大容量的记录。
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公开(公告)号：CN1121031C
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN97122784.5
申请日：1997-11-24
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立马库塞鲁株式会社
IPC: G11B7/24 , G11B7/0037
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/0037 , G11B7/0051 , G11B7/00718 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/254 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B11/10593 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25716 , Y10S428/913 , Y10S428/914 , Y10S430/146
Abstract: 信息记录媒体(1)，至少在与记录层(13)的能束入射一侧相反的一侧具有组成不同的第1金属层(15)和第2金属层(16)，其中，位于与记录层相近的一侧的第1金属层的组成以Al、Ag、Au、Pt、Pd为主要成分，这些原子的含量之和大于60%。这样，就可实现可靠性高的信息的记录再生。
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公开(公告)号：CN101624036A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910138963.7
申请日：2009-05-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: B60R16/023 , B60K28/06 , G01C21/26 , G05B19/04
CPC classification number: A61B5/0476 , A61B5/04012 , A61B5/0478 , A61B5/18 , A61B5/6887 , A61B5/7264 , A61B5/7267 , A61B5/7475 , B60K28/063 , B60W2540/22 , B60W2540/24 , G01C21/3605 , G01C21/3664 , G01C21/367 , G06F3/015
Abstract: 本发明涉及车载装置，能够得到使用脑波信号的控制装置及控制方法，能够使用脑波，对汽车导航装置等电子设备、与机械装置组合的机器人手臂、电动轮椅等进行控制。装置至少具有脑波传感检测开始机构、选项图形显示机构、脑波强度显示机构、脑波检测机构。在汽车的情况下，首先按下安装在方向盘或车内的脑波传感检测开始的按钮，于是显示多个表示选项的图形或文字。用规定的方法进行思考并选择。选项是1级最多6个的分级结构，阶段性地多次进行该操作。脑波检测电极设置在靠近头靠(枕)或从顶棚吊下的部件的位置。对检测到的脑波进行放大或信号处理，然后存储，对控制信号进行有线或无线发送。
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