公开(公告)号：CN1434515A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02130508.0

申请日：2002-08-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 高浦则克 ,  松冈秀行 ,  竹村理一郎 ,  奥山幸祐 ,  茂庭昌弘 ,  西田彰男 ,  舟山幸太 ,  关口知纪

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/11 ,  G11C11/34

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件包括多条字线、多条位线以及多个静态存储单元，每个存储单元具有第一、第二、第三、第四、第五和第六个晶体管。每个第一、第二、第三和第四晶体管的沟道相对应该半导体存储器件的基片垂直。每个形成第五和第六晶体管的源极和漏极的半导体区域形成在该基片上的一个PN结。根据本发明另一个方面，该SRAM器件具有多个SRAM单元，其中至少一个是垂直SRAM单元，其包括在基片上的至少四个垂直晶体管，以及每个垂直晶体管包括排列在一条对齐线上的一个源极、一个漏极和它们之间的沟道，该对齐线以大于0度的角穿过该基片的表面。