公开(公告)号：CN1146985C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN98102973.6

申请日：1998-06-06

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立电线株式会社

Inventor： 荻野雅彦 ,  上野巧 ,  江口州志 ,  濑川正则 ,  永井晃 ,  小角博义 ,  石井利昭 ,  安生一郎 ,  西村朝雄 ,  宫崎忠一 ,  御田护 ,  冈部则夫

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力，在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中，作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层，设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚度的0.2以上，由于采用粘接薄片可简化制造工序，所以能够大量生产并提高封装可靠性。

公开(公告)号：CN1207583A

公开(公告)日：1999-02-10

申请号：CN98102973.6

申请日：1998-06-06

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立电线株式会社

Inventor： 荻野雅彦 ,  上野巧 ,  江口州志 ,  濑川正则 ,  永井晃 ,  小角博义 ,  石井利昭 ,  安生一郎 ,  西村朝雄 ,  宫崎忠一 ,  御田护 ,  冈部则夫

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了缓和半导体装置与封装基板之间的热应力,在使用由具有3维网孔结构方式连续气泡的中心层1和粘接层2的三层结构构成粘接薄片的半导体装置中,作为配置在半导体芯片5与形成布线4的布线层之间的应力缓冲层,设定中心层1的厚度比率为整个应力缓冲层厚度的0.2以上,由于采用粘接薄片可简化制造工序,所以能够大量生产并提高封装可靠性。

公开(公告)号：CN102403437A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110275926.8

申请日：2011-09-07

Applicant: 日立电线株式会社 ,  日立电线精密株式会社

Inventor： 和岛峰生 ,  三轮崇夫 ,  和田山芳英 ,  珍田聪 ,  高畑一博 ,  川野边直 ,  冈部则夫 ,  猪野昌信 ,  大熊晃

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供可以不硫化且确保高反射率的半导体发光元件搭载用基板、以及使用其的半导体发光装置。半导体发光元件搭载用基板具备：基材(2)，其包含金属部分；以及铝反射层(4)，其厚度为0.02μm～5μm，且设在基材(2)的搭载有半导体发光元件的面侧。