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公开(公告)号:CN102403437A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201110275926.8
申请日:2011-09-07
Applicant: 日立电线株式会社 , 日立电线精密株式会社
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供可以不硫化且确保高反射率的半导体发光元件搭载用基板、以及使用其的半导体发光装置。半导体发光元件搭载用基板具备:基材(2),其包含金属部分;以及铝反射层(4),其厚度为0.02μm~5μm,且设在基材(2)的搭载有半导体发光元件的面侧。
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公开(公告)号:CN101452904B
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN200810181655.8
申请日:2008-12-02
Applicant: 日立电线精密株式会社 , 御田护
IPC: H01L23/495 , H01L21/48 , H01L33/00 , H01L31/02 , H01L31/0203
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了在长期使用的情况下也能抑制特性劣化的引线框架及其制造方法以及受光发光装置。本发明的引线框架具有:基体材料;在基体材料的一部分上形成的反射层;以及,至少设置在反射层上并覆盖反射层的特性维持层,该特性维持层将反射层与外部隔绝,从而维持反射层的特性。
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公开(公告)号:CN101452904A
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200810181655.8
申请日:2008-12-02
Applicant: 日立电线精密株式会社 , 御田护
IPC: H01L23/495 , H01L21/48 , H01L33/00 , H01L31/02 , H01L31/0203
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 提供了在长期使用的情况下也能抑制特性劣化的引线框架及其制造方法以及受光发光装置。本发明的引线框架具有:基体材料;在基体材料的一部分上形成的反射层;以及,至少设置在反射层上并覆盖反射层的特性维持层,该特性维持层将反射层与外部隔绝,从而维持反射层的特性。
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