公开(公告)号：CN100354971C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN02829837.3

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器株式会社 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 关口知纪 ,  宫武伸一 ,  阪田健 ,  竹村理一郎 ,  野田浩正 ,  梶谷一彦

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C7/062 ,  G11C5/063 ,  G11C7/065 ,  G11C7/08 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1096 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  G11C29/1201 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明的直接读出放大器，在作为位线连接到栅极的差动对而动作的MOS晶体管和RLIO线之间，设置由在位线方向上布线的读出列选择线所控制的MOS晶体管而使其隔离，进而，把作为差动对而动作的MOS晶体管的源极连接到在字线方向上布线的共同源极线上。在读出动作时，通过利用读出列选择线和共同源极线仅在选择栅网上激活直接读出放大器，而大幅度地减少读出动作时的消耗电力。而且，从局部IO线隔离作为差动对动作的MOS晶体管的寄生电容，减少局部IO线的负载能力，实现读出速度的高速化。另外，降低读出动作中的局部IO线的负载能力的数据模式依赖性，使制造后的试验容易化。

公开(公告)号：CN1695249A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN02829837.3

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器株式会社 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 关口知纪 ,  宫武伸一 ,  阪田健 ,  竹村理一郎 ,  野田浩正 ,  梶谷一彦

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/407 ,  G11C11/409

CPC classification number: G11C7/062 ,  G11C5/063 ,  G11C7/065 ,  G11C7/08 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1096 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  G11C29/1201 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明的直接读出放大器，在作为位线连接到栅极的差动对而动作的MOS晶体管和RLIO线之间，设置由在位线方向上布线的列选择线所控制的MOS晶体管而使其隔离，进而，把作为差动对而动作的MOS晶体管的源极连接到在字线方向上布线的共同源极线上。在读出动作时，通过利用列选择线和共同源极线仅在选择栅网上激活直接读出放大器，而大幅度地减少读出动作时的消耗电力。而且，从局部IO线隔离作为差动对动作的MOS晶体管的寄生电容，减少局部IO线的负载能力，实现读出速度的高速化。另外，降低读出动作中的局部IO线的负载能力的数据模式依赖性，使制造后的试验容易化。

公开(公告)号：CN1645514A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410081864.7

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 半泽悟 ,  阪田健 ,  梶谷一彦

IPC: G11C15/04

CPC classification number: G11C15/04 ,  G11C15/043

Abstract: 本发明通过高效率地存储范围被指定的IP地址，减少必要的条目数，从而提高TCAM的存储器容量。本发明的具有代表性的一种装置如下：使存储信息(条目)和输入信息(比较信息或检索键)成为某一个位一定是逻辑值‘1’的公共的成组编码。此外，使匹配线成为分层结构，在多条副匹配线与多条搜索线的交点上设置存储器单元，进而使副匹配线通过副匹配判定电路与主匹配线分别连接，在主匹配线上设置主匹配判定电路。

公开(公告)号：CN1652252A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510007096.5

申请日：2000-02-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹村理一朗 ,  伊藤清男 ,  关口知纪 ,  阪田健 ,  木村胜高

IPC: G11C11/4091 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C7/06 ,  G11C7/065 ,  G11C11/406 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4091 ,  G11C2207/065

Abstract: 即便存储器阵列的电压低，读出放大器也能够高速地从存储单元读出弱信号而电力消耗很小。将用于过激励的驱动开关分散地配置在读出放大器区域内，并将用于恢复的驱动开关集中地配置在读出放大器阵列的一端。通过网状电源线供给过激励电位。每个过激励开关最初从具有比数据线的振幅电压高的电压的数据线对读出数据，实现高速读出。通过分散地配置驱动开关，能够分散读出电流并减小一端与另一端之间的读出电压差。

公开(公告)号：CN1210869C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN00816937.3

申请日：2000-12-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菅野雄介 ,  水野弘之 ,  阪田健 ,  渡部隆夫

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/018521

Abstract: 具备本发明的电平变换电路的半导体器件，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分，和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。

公开(公告)号：CN1047249C

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN94119568.6

申请日：1994-12-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹内干 ,  堀口真志 ,  青木正和 ,  松野胜己 ,  阪田健 ,  卫藤润

IPC: G11C11/22

Abstract: 涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和DRAM进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由1个晶体管和1个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即DRAM进行读出和写入。另一方面，仅在电源接通时，检测铁电体电容器的极化方向，进行变换为电容器的节点电位的动作。

公开(公告)号：CN1112716A

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：CN94119568.6

申请日：1994-12-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹内干 ,  堀口真志 ,  青木正和 ,  松野胜己 ,  阪田健 ,  卫藤润

IPC: G11C11/22

Abstract: 涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和DRAM进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由1个晶体管和1个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即DRAM进行读出和写入。另一方面，仅在电源接通时，检测铁电体电容器的极化方向，进行变换为电容器的节点电位的动作。

公开(公告)号：CN1052344C

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN94109104.X

申请日：1994-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据。栅极－沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1173043A

公开(公告)日：1998-02-11

申请号：CN97110214.7

申请日：1994-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC: H01L27/105

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1700599A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510072780.1

申请日：2000-12-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 菅野雄介 ,  水野弘之 ,  阪田健 ,  渡部隆夫

IPC: H03K19/0175

CPC classification number: H03K19/0016 ,  H03K19/018521

Abstract: 具备本发明的电平变换电路的半导体器件，由用低压电源(VDD)使电平变换电路(LSC)进行动作的升压部分，和用高压电源(VDDQ)进行动作的电路部分(LSC2)构成。升压部分使用永远可以得到2×VDD电平的升压电路，以便使低压电源(VDD)可以在亚1V下进行动作。此外，使该低压电路作成为可以仅仅用可以高速动作的薄的氧化膜厚的MOSFET构成的电路构成。再有，为了使阻止在低压一侧电路CB1的睡眠模式时发生的电平变换电路的漏电流的设计容易化，在电路部分(LSC2)中，设置不需要来自外部的控制信号且在内部自律地对漏电流进行控制的电路(LPC)。