公开(公告)号：CN1047249C

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN94119568.6

申请日：1994-12-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹内干 ,  堀口真志 ,  青木正和 ,  松野胜己 ,  阪田健 ,  卫藤润

IPC: G11C11/22

Abstract: 涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和DRAM进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由1个晶体管和1个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即DRAM进行读出和写入。另一方面，仅在电源接通时，检测铁电体电容器的极化方向，进行变换为电容器的节点电位的动作。

公开(公告)号：CN1112716A

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：CN94119568.6

申请日：1994-12-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹内干 ,  堀口真志 ,  青木正和 ,  松野胜己 ,  阪田健 ,  卫藤润

IPC: G11C11/22

Abstract: 涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和DRAM进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由1个晶体管和1个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即DRAM进行读出和写入。另一方面，仅在电源接通时，检测铁电体电容器的极化方向，进行变换为电容器的节点电位的动作。