公开(公告)号：CN100354971C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN02829837.3

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器株式会社 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 关口知纪 ,  宫武伸一 ,  阪田健 ,  竹村理一郎 ,  野田浩正 ,  梶谷一彦

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C7/062 ,  G11C5/063 ,  G11C7/065 ,  G11C7/08 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1096 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  G11C29/1201 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明的直接读出放大器，在作为位线连接到栅极的差动对而动作的MOS晶体管和RLIO线之间，设置由在位线方向上布线的读出列选择线所控制的MOS晶体管而使其隔离，进而，把作为差动对而动作的MOS晶体管的源极连接到在字线方向上布线的共同源极线上。在读出动作时，通过利用读出列选择线和共同源极线仅在选择栅网上激活直接读出放大器，而大幅度地减少读出动作时的消耗电力。而且，从局部IO线隔离作为差动对动作的MOS晶体管的寄生电容，减少局部IO线的负载能力，实现读出速度的高速化。另外，降低读出动作中的局部IO线的负载能力的数据模式依赖性，使制造后的试验容易化。

公开(公告)号：CN1695249A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN02829837.3

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器株式会社 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 关口知纪 ,  宫武伸一 ,  阪田健 ,  竹村理一郎 ,  野田浩正 ,  梶谷一彦

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/407 ,  G11C11/409

CPC classification number: G11C7/062 ,  G11C5/063 ,  G11C7/065 ,  G11C7/08 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1096 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  G11C29/1201 ,  G11C2207/002 ,  G11C2207/005 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明的直接读出放大器，在作为位线连接到栅极的差动对而动作的MOS晶体管和RLIO线之间，设置由在位线方向上布线的列选择线所控制的MOS晶体管而使其隔离，进而，把作为差动对而动作的MOS晶体管的源极连接到在字线方向上布线的共同源极线上。在读出动作时，通过利用列选择线和共同源极线仅在选择栅网上激活直接读出放大器，而大幅度地减少读出动作时的消耗电力。而且，从局部IO线隔离作为差动对动作的MOS晶体管的寄生电容，减少局部IO线的负载能力，实现读出速度的高速化。另外，降低读出动作中的局部IO线的负载能力的数据模式依赖性，使制造后的试验容易化。

公开(公告)号：CN1825481A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610008596.5

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 半泽悟 ,  竹村理一郎 ,  梶谷一彦

IPC: G11C15/04 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C15/04 ,  G11C15/043

Abstract: 课题是实现具备CAM的半导体器件的高速化或功耗的降低。把不同相位的控制时钟分配给已分割成多个存储区BK1、BK2的存储区阵列，用不同的相位进行词条和检索关键字的处理(读出动作、检索动作)。存储区化的存储区阵列，由分割得更小的多个子阵列SARYU、SARYL构成，在2个子阵列SARYU、SARYL中共用读写检索电路群RWSBK内的读出放大器。这时，就成为从双方的子阵列SARYU、SARYL把位线每个一条地连接到读出放大器上的所谓的开放位线构成。把同一个检索表登录在多个存储区BK1、BK2内，依次反复地将连续输入的检索关键字输入到多个存储区BK1、BK2中，与不同相位的控制时钟同步地进行检索动作。

公开(公告)号：CN1702869A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073838.4

申请日：2005-05-24

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 竹村理一郎 ,  秋山悟 ,  半泽悟 ,  关口知纪 ,  梶谷一彦

IPC: H01L27/108 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/405 ,  G11C11/4097 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873

Abstract: 提供一种半导体存储装置，能实现高速工作，或能实现高集成化且高速工作。将晶体管(MT1、MT2)配置在连接存储信息的电容器(CAP)的扩散层区(DIFF(SN))的两侧，将各个晶体管(MT1、MT2)的另一扩散层区(DIFF)连接在同一条位线(BL)上。对存储单元(MC)进行存取时，将两个晶体管(MT1、MT2)激活，进行读出。另外对存储单元(MC)进行写入工作时，用两个晶体管(MT1、MT2)将电荷写入电容器中。

公开(公告)号：CN103260515B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201080070627.4

申请日：2010-10-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河原尊之 ,  竹村理一郎 ,  曾根原刚志 ,  长坂晃朗

IPC: A61B5/1455

CPC classification number: A61B5/14532 ,  A61B5/1455

Abstract: 为了高精度地求出血糖值，使用对于作为血液所特有的成分的血红蛋白的吸收大的第一波长来确定血管部分的部位，将使用对于葡萄糖的吸收大的第二波长来测定的吸光度的数据分离为血管部分与其以外的部分。

公开(公告)号：CN1391702A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN00816039.2

申请日：2000-11-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹村理一郎 ,  関口知纪 ,  木村胜高 ,  梶谷一彦 ,  高桥继雄

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G11C11/401

CPC classification number: H01L27/10894 ,  G11C11/4097 ,  H01L27/10897

Abstract: 在进行读出放大器交互配置的情况下，作为从子存储器阵列(SMA)向读出放大器(SA)引出数据线的方式，把在子存储器阵列内连续的2条或者交错地把2条数据线夹在中间的2条数据线，连接到相邻的读出放大器上。说得更详细点，采用使被夹持在连接到2个相邻的读出放大器上的每一条数据线之间的数据线的条数变成为偶数(0、2、4…)的办法，就可以避免在读出放大器块与子存储器阵列的连接部分处的断线、短路，因而使布局变得容易起来。

公开(公告)号：CN101336490B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200680052148.3

申请日：2006-02-09

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺尾元康 ,  黑土健三 ,  竹村理一郎 ,  高浦则克 ,  半泽悟

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种半导体器件，在嵌入了塞(35)的绝缘膜(31)上按顺序形成有由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)、由硫属化合物构成的固体电解质区域(46)和上部电极(47)。由第一组成物和第二组成物构成的第二组成物释放区域(45)由圆顶状的电极部分(43)和将电极部分(43)的周围嵌入的绝缘膜(44)构成，在塞(35)上存在着至少1个电极部分(43)。电极部分(43)包括由如氧化钽那样的即使施加电场也仍然稳定的第一组成物构成的第一部分和由如铜或银那样的通过施加电场很容易向固体电解质区域(46)扩散并移动的第二组成物构成的第二部分。通过使从电极部分(43)供给的第二组成物在固体电解质区域(46)中移动来存储信息。

公开(公告)号：CN101345289B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200810130306.3

申请日：2008-07-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺尾元康 ,  松冈秀行 ,  入江直彦 ,  笹子佳孝 ,  竹村理一郎 ,  高浦则克

IPC: H01L45/00 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/145 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/0011 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，通过采用可高精度控制固体电解质中的离子运动的器件结构，可以提高具有存储或者开关功能的半导体器件的性能，也能够以低成本对多层化的三维结构进行高集成化。作为半导体元件，是在偏离而配置在纵方向(Z轴方向)上的电极之间形成2层以上成分不同的层，在上述电极之间施加脉冲电压来形成导电通路，使电阻值根据信息信号而发生变化的元件。并且，在上述导电通路的途中形成蓄积了提高导电率的成分的区域，由此使电阻率正确地对应信息信号。更优选在X轴方向、Y轴方向的至少一个方向上，也形成电极并施加控制电压。

公开(公告)号：CN101068036B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200610169475.9

申请日：2006-12-15

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  国家科学研究中心 ,  巴黎第十一大学

Inventor： 伊藤显知 ,  高桥宏昌 ,  河原尊之 ,  竹村理一郎 ,  蒂博·德沃尔代 ,  保罗·克罗扎 ,  约-冯·基姆 ,  克洛德·沙佩尔

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/1657 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659

Abstract: 一种磁性存储装置包括磁隧道结(MTJ)(37)，通过隔离晶体管(81)将比特线(31)连接至感应线(49)。MTJ(37)包括具有难磁化轴的铁磁层。辅助电流线(33)位于比特线(31)之上并与比特线(31)隔离。MTJ(37)可在第一相对高的阻态和第二相对低的阻态之间转换。辅助电流线(33)沿着铁磁层的难磁化轴施加磁场，其不依赖于流过MTJ(37)的电流而辅助MTJ(37)在第一态和第二态之间转换。

公开(公告)号：CN101221808B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810002051.2

申请日：2008-01-09

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 秋山悟 ,  关口知纪 ,  竹村理一郎 ,  中谷浩晃 ,  宫武伸一 ,  渡边由布子

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4096

CPC classification number: G11C11/4091 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明提供兼顾了高集成、低功耗高速动作的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括由多个下拉电路和一个上拉电路构成的读出放大器电路。构成多个下拉电路中的一个下拉电路的晶体管的特征在于，沟道长度、沟道宽度这些常数比构成其他下拉电路的晶体管大。此外，先驱动多个下拉电路中晶体管常数大的下拉电路，然后激活另一个下拉电路和上拉电路来进行读出。此外，数据线和先驱动的下拉电路由NMOS晶体管连接，通过激活、不激活上述NMOS晶体管，来控制上述下拉电路的激活、非激活。