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公开(公告)号:CN1260810C
公开(公告)日:2006-06-21
申请号:CN00816039.2
申请日:2000-11-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/401
CPC classification number: H01L27/10894 , G11C11/4097 , H01L27/10897
Abstract: 在进行读出放大器交互配置的情况下,作为从子存储器阵列(SMA)向读出放大器(SA)引出数据线的方式,把在子存储器阵列内连续的2条或者交错地把2条数据线夹在中间的2条数据线,连接到相邻的读出放大器上。说得更详细点,采用使被夹持在连接到2个相邻的读出放大器上的每一条数据线之间的数据线的条数变成为偶数(0、2、4…)的办法,就可以避免在读出放大器块与子存储器阵列的连接部分处的断线、短路,因而使布局变得容易起来。
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公开(公告)号:CN1391702A
公开(公告)日:2003-01-15
申请号:CN00816039.2
申请日:2000-11-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/401
CPC classification number: H01L27/10894 , G11C11/4097 , H01L27/10897
Abstract: 在进行读出放大器交互配置的情况下,作为从子存储器阵列(SMA)向读出放大器(SA)引出数据线的方式,把在子存储器阵列内连续的2条或者交错地把2条数据线夹在中间的2条数据线,连接到相邻的读出放大器上。说得更详细点,采用使被夹持在连接到2个相邻的读出放大器上的每一条数据线之间的数据线的条数变成为偶数(0、2、4…)的办法,就可以避免在读出放大器块与子存储器阵列的连接部分处的断线、短路,因而使布局变得容易起来。
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公开(公告)号:CN1092898A
公开(公告)日:1994-09-28
申请号:CN94100573.9
申请日:1994-01-24
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C21/00 , H01L27/108
CPC classification number: G11C11/4097 , G11C11/4091
Abstract: 一种采用对成对MOSFET特性偏差进行补偿的读出放大器的动态RAM,位线的寄生电容至少是存储单元的电容的20倍。每根位线被开关MOSFET分成两部分,需要时可以断开。电路中提供了许多组存储器矩阵,每一组包括一个开关MOSFET,用于互连与读出放大器相连的公共源极线,因此在它们之间可以对公共源极线进行循环充电。
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