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公开(公告)号：CN1417852A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02150282.X
申请日：2002-11-07
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/02074 , H01L21/3003 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/3148 , H01L21/3212 , H01L21/32136 , H01L21/324 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L21/76883 , H01L21/823871 , H01L29/4933 , H01L29/4941
Abstract: 制造半导体器件的方法具有包含铜的埋线结构，其中，通过形成布线覆盖的绝缘膜15b，第二膜埋线L2的导电阻挡膜17a被保护着，以免被氧化，绝缘膜15b有一层SiON膜，采用一种例如三甲基氧硅烷气和氮的氧化气的气体混合物，通过等离子体CVD方法形成，由此，半导体器件的包含铜作为主要导体膜的布线之间的电介质击穿强度可以得到提高。
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公开(公告)号：CN1420560A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN02149594.7
申请日：2002-11-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76844 , H01L21/28562 , H01L21/76801 , H01L21/76811 , H01L21/76814 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76838 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L21/84 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/5329 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：制作在半导体衬底上并具有布线沟槽的第一层间绝缘膜；布线部分，它具有制作在所述布线沟槽侧壁和底部表面上的第一阻挡金属层、制作在所述第一阻挡金属层上用以掩埋所述布线沟槽的第一导体层、以及制作在所述第一导体层表面上的帽层阻挡金属膜；制作在所述第一层间绝缘膜上并具有连接孔的第二层间绝缘膜；以及连接部分，它具有制作在所述连接孔的侧壁和底部表面上的第二阻挡金属层，以及制作在所述第二阻挡金属层上用以掩埋所述连接孔的第二导体层；其中，在所述连接部分与所述布线部分之间的连接处，至少清除所述连接孔底部表面上的所述第二阻挡金属层或所述帽层阻挡金属膜中的任何一个。根据本发明，能够减小第一层互连与栓塞之间的接触电阻，并能够改善电迁移阻力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111989629A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980022894.5
申请日：2019-01-18
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G05B23/02
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够更准确地诊断机械的故障预兆的故障预兆诊断系统以及故障预兆诊断方法。具备：运转传感器数据表，其表示传感器数据与该传感器数据取得时刻的对应；运转模式数据表，其表示运转模式与该运转模式下的运转时刻的对应；以及运转数据表，其是对上述运转传感器数据表以及上述运转模式数据表进行合并处理而创建的，具有针对相同时刻的运转模式的传感器数据。将根据从正常的传感器数据学习并创建的诊断模型决定的阈值和根据成为诊断对象的传感器数据基于诊断模型计算出的值，在相同的运转模式下进行比较来判定是否异常。
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公开(公告)号：CN112805728A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201880098506.7
申请日：2018-12-25
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 学习诊断装置根据故障数据进行学习并制作诊断模型，在作为该机器的故障原因部位不满足固定的件数的情况下，将该机器的机型、故障原因部位、传感器数据储存在稀有案例数据表中。接着，根据由学习部制作出的诊断模型，针对产生了故障的机器的每个部位，计算成为故障原因的推定概率，根据稀有案例数据表，计算产生了故障的机器的传感器数据与该机器的机型过去的传感器数据的传感器数据一致率。并且，显示诊断出的产生了故障的机器的故障原因部位和该故障原因部位的推定概率，显示计算出的产生了故障的机器的每个部位的传感器数据一致率。
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公开(公告)号：CN1314100C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN02150282.X
申请日：2002-11-07
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/02074 , H01L21/3003 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/3148 , H01L21/3212 , H01L21/32136 , H01L21/324 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L21/76883 , H01L21/823871 , H01L29/4933 , H01L29/4941
Abstract: 制造半导体器件的方法具有包含铜的埋线结构，其中，通过形成布线覆盖的绝缘膜15b，第二膜埋线L2的导电阻挡膜17a被保护着，以免被氧化，绝缘膜15b有一层SiON膜，采用一种例如三甲基氧硅烷气和氮的氧化气的气体混合物，通过等离子体CVD方法形成，由此，半导体器件的包含铜作为主要导体膜的布线之间的电介质击穿强度可以得到提高。
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公开(公告)号：CN112805728B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201880098506.7
申请日：2018-12-25
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G06F18/2415 , G06N5/04
Abstract: 学习诊断装置根据故障数据进行学习并制作诊断模型，在作为该机器的故障原因部位不满足固定的件数的情况下，将该机器的机型、故障原因部位、传感器数据储存在稀有案例数据表中。接着，根据由学习部制作出的诊断模型，针对产生了故障的机器的每个部位，计算成为故障原因的推定概率，根据稀有案例数据表，计算产生了故障的机器的传感器数据与该机器的机型过去的传感器数据的传感器数据一致率。并且，显示诊断出的产生了故障的机器的故障原因部位和该故障原因部位的推定概率，显示计算出的产生了故障的机器的每个部位的传感器数据一致率。
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公开(公告)号：CN100470787C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN02149594.7
申请日：2002-11-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76844 , H01L21/28562 , H01L21/76801 , H01L21/76811 , H01L21/76814 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76838 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L21/84 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/5329 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：制作在半导体衬底上并具有布线沟槽的第一层间绝缘膜；布线部分，它具有制作在所述布线沟槽侧壁和底部表面上的第一阻挡金属层、制作在所述第一阻挡金属层上用以掩埋所述布线沟槽的第一导体层、以及制作在所述第一导体层表面上的帽层阻挡金属膜；制作在所述第一层间绝缘膜上并具有连接孔的第二层间绝缘膜；以及连接部分，它具有制作在所述连接孔的侧壁和底部表面上的第二阻挡金属层，以及制作在所述第二阻挡金属层上用以掩埋所述连接孔的第二导体层；其中，在所述连接部分与所述布线部分之间的连接处，至少清除所述连接孔底部表面上的所述第二阻挡金属层或所述帽层阻挡金属膜中的任何一个。根据本发明，能够减小第一层互连与栓塞之间的接触电阻，并能够改善电迁移阻力。
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