公开(公告)号：CN1150624C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN96121356.6

申请日：1996-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田丸刚 ,  饭岛晋平 ,  横山夏树 ,  中田昌之

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10894 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10888 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 半导体集成电路器件制造方法包括：(a)在半导体衬底第一主表面上的下电极上形成主要由氧化钽构成的电容器绝缘膜；(b)退火电容器绝缘膜；然后(c)在电容器绝缘膜上淀积主要由氮化钛构成的上电极，步骤(c)包括下列子步骤：(i)在子步骤(ii)之前，在已将半导体衬底引入到反应室中的条件下，使含钛源气体流过质量流量控制器；(ii)在将含钛源气体通过质量流量控制器引入反应室的同时将含氮还原气体引入到反应室中，从而淀积构成上电极的氮化钛膜；(iii)在子步骤(i)之前或同时，将惰性气体引入到含有半导体衬底的反应室中。通过在向反应室中引入还原气体前流过钛源气体和惰性气体，能够获得薄膜特性优良的氮化钛膜而不会破坏下电容器绝缘膜。

公开(公告)号：CN1420560A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02149594.7

申请日：2002-11-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 齋藤達之 ,  大桥直史 ,  今井俊则 ,  野口纯司 ,  田丸刚

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/84 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：制作在半导体衬底上并具有布线沟槽的第一层间绝缘膜；布线部分，它具有制作在所述布线沟槽侧壁和底部表面上的第一阻挡金属层、制作在所述第一阻挡金属层上用以掩埋所述布线沟槽的第一导体层、以及制作在所述第一导体层表面上的帽层阻挡金属膜；制作在所述第一层间绝缘膜上并具有连接孔的第二层间绝缘膜；以及连接部分，它具有制作在所述连接孔的侧壁和底部表面上的第二阻挡金属层，以及制作在所述第二阻挡金属层上用以掩埋所述连接孔的第二导体层；其中，在所述连接部分与所述布线部分之间的连接处，至少清除所述连接孔底部表面上的所述第二阻挡金属层或所述帽层阻挡金属膜中的任何一个。根据本发明，能够减小第一层互连与栓塞之间的接触电阻，并能够改善电迁移阻力。

公开(公告)号：CN1158007A

公开(公告)日：1997-08-27

申请号：CN96121356.6

申请日：1996-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田丸刚 ,  饭岛晋平 ,  横山夏树 ,  中田昌之

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10894 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10888 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91

Abstract: 本发明公开了一种动态随机存取存储器或诸如此类，为了防止电容性元件的击穿电压变劣，当采用CVD法在构成电容性元件的电容器绝缘膜的钽膜上淀积电极材料和TiN膜时，预先在氧化钽膜表面上形成钝化膜，以此避免采用含钛源气体和含氮还原气体通过CVD法，在氧化钽膜上淀积TiN膜时，氧化钽膜与含氮还原气体接触。

公开(公告)号：CN100470787C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN02149594.7

申请日：2002-11-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 齋藤達之 ,  大桥直史 ,  今井俊则 ,  野口纯司 ,  田丸刚

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/84 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：制作在半导体衬底上并具有布线沟槽的第一层间绝缘膜；布线部分，它具有制作在所述布线沟槽侧壁和底部表面上的第一阻挡金属层、制作在所述第一阻挡金属层上用以掩埋所述布线沟槽的第一导体层、以及制作在所述第一导体层表面上的帽层阻挡金属膜；制作在所述第一层间绝缘膜上并具有连接孔的第二层间绝缘膜；以及连接部分，它具有制作在所述连接孔的侧壁和底部表面上的第二阻挡金属层，以及制作在所述第二阻挡金属层上用以掩埋所述连接孔的第二导体层；其中，在所述连接部分与所述布线部分之间的连接处，至少清除所述连接孔底部表面上的所述第二阻挡金属层或所述帽层阻挡金属膜中的任何一个。根据本发明，能够减小第一层互连与栓塞之间的接触电阻，并能够改善电迁移阻力。