公开(公告)号：CN1417852A

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN02150282.X

申请日：2002-11-07

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东京电子株式会社

Inventor： 野口纯司 ,  滨田直秀

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941

Abstract: 制造半导体器件的方法具有包含铜的埋线结构，其中，通过形成布线覆盖的绝缘膜15b，第二膜埋线L2的导电阻挡膜17a被保护着，以免被氧化，绝缘膜15b有一层SiON膜，采用一种例如三甲基氧硅烷气和氮的氧化气的气体混合物，通过等离子体CVD方法形成，由此，半导体器件的包含铜作为主要导体膜的布线之间的电介质击穿强度可以得到提高。

公开(公告)号：CN1314100C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN02150282.X

申请日：2002-11-07

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立东京电子株式会社

Inventor： 野口纯司 ,  滨田直秀

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/823871 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/4941

Abstract: 制造半导体器件的方法具有包含铜的埋线结构，其中，通过形成布线覆盖的绝缘膜15b，第二膜埋线L2的导电阻挡膜17a被保护着，以免被氧化，绝缘膜15b有一层SiON膜，采用一种例如三甲基氧硅烷气和氮的氧化气的气体混合物，通过等离子体CVD方法形成，由此，半导体器件的包含铜作为主要导体膜的布线之间的电介质击穿强度可以得到提高。