Patent search ap:("株式会社日立制作所") AND inv:"远藤恒雄" Page 1

1.

发明授权
焊料失效

公开(公告)号：CN101337308B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810145147.4

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 曾我太佐男 , 秦英惠 , 中塚哲也 , 根岸干夫 , 中*浩一 , 远藤恒雄

IPC: B23K35/24

CPC classification number: H05K3/3484 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/262 , H01L23/49816 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/11334 , H01L2224/13022 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/82 , H01L2224/85 , H01L2224/86 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/166 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K2201/0215 , Y10T428/12181 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/1275 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/1291 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种焊料，在温度层级结合中实现高温端焊接结合，其中，半导体装置与衬底之间的连接部分通过由Cu之类构成的金属球以及由金属球和Sn构成的化合物而形成，并且金属球通过化合物而结合在一起。

2.

发明公开
焊料失效转让

公开(公告)号：CN1443625A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03120150.4

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 曾我太佐男 , 秦英惠 , 中塚哲也 , 根岸干夫 , 中嶋浩一 , 远藤恒雄

IPC: B23K35/24

CPC classification number: H05K3/3484 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/262 , H01L23/49816 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/11334 , H01L2224/13022 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/82 , H01L2224/85 , H01L2224/86 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/166 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K2201/0215 , Y10T428/12181 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/1275 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/1291 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

Abstract: 在一种在温度层级结合中实现高温端焊接结合的焊料中，半导体装置与衬底之间的连接部分通过由Cu之类构成的金属球以及由金属球和Sn构成的化合物而形成，并且金属球通过化合物而结合在一起。

3.

发明授权
电子装置失效转让

公开(公告)号：CN1295783C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN03120151.2

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 曾我太佐男 , 秦英惠 , 中哲也 , 根岸干夫 , 中浩一 , 远藤恒雄

IPC: H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H05K3/3484 , B23K35/0244 , B23K35/262 , H01L24/73 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/00013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/141 , H05K3/3463 , H05K2201/0215 , H05K2201/0218 , H05K2201/045 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669

Abstract: 在一种在温度层级结合中实现高温端焊接结合的电子装置中，半导体装置与衬底之间的结合部分通过由Cu之类构成的金属球和由金属球和Sn构成的化合物而形成，并且金属球通过化合物而结合在一起。

4.

发明公开
焊料失效

公开(公告)号：CN101337308A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810145147.4

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 曾我太佐男 , 秦英惠 , 中塚哲也 , 根岸干夫 , 中浩一 , 远藤恒雄

IPC: B23K35/24

CPC classification number: H05K3/3484 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/262 , H01L23/49816 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/11334 , H01L2224/13022 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/82 , H01L2224/85 , H01L2224/86 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/166 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K2201/0215 , Y10T428/12181 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/1275 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/1291 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种焊料，在温度层级结合中实现高温端焊接结合，其中，半导体装置与衬底之间的连接部分通过由Cu之类构成的金属球以及由金属球和Sn构成的化合物而形成，并且金属球通过化合物而结合在一起。

5.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1442902A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN03104900.1

申请日：2003-02-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 根岸干夫 , 能登大树 , 山田富男 , 远藤恒雄

IPC: H01L25/04 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L23/12 , H01L23/48 , H01L23/34 , H01L23/28

CPC classification number: H01L23/36 , H01L25/165 , H01L2224/16225 , H01L2924/01057 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106

Abstract: 提供实现器件的小型化的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括具有表面4b和背面4c的布线基板的组件基板4；装载到组件基板4的表面4b上的控制用芯片2；与控制用芯片2相邻地被装载在表面4b上的芯片部件3；装载到组件基板4的背面4c上的第一输出用芯片7和第二输出用芯片8；设置在组件基板4的背面4c上的多个结合区1a；用密封用树脂形成，而且密封控制用芯片2和多个芯片部件3的密封部分6。每一个上述第一输出用芯片7和第二输出用芯片8，发热量都比控制用芯片2大，使由上述第一输出用芯片7和第二输出用芯片8发出的热向母板12散热，同时仅仅用密封用树脂而不使用金属帽地把表面4b一侧的装配部件密封起来以实现组件的小型化。